Трассирую DDR3-Spartan6. Так вот, в ихнем ките, трассы страссированы с импедансом 43 Ом. Причем, в стекапэидиторе заложен импеданс 45 Ом при толщине дорожки 3 мил. А реально страссировано с толщиной 3.3 тоесть 43 Ом. Промоделировал я этот кит в Huperlynx, получается уменьшение импеданса позволяет уменьшить овершоты., и таким образом вложиться в зону Vac -Vdc. Тогда я не пойму зачем писать в рекомендациях про 50 Ом импеданса. Понятное дело что понизив импеданс, можно снизить отражение сигнала от несогласованной линии, ток микросхемы греться жутко будут.