Занимаюсь моделированием премников/передатчиков и пр. При использовании Micro-Cap’a неплохие результаты получаются на частотах до 150-200 МГц. Сейчас возникла проблема с моделированием на частотах ~450 МГц, т. к. в данном случае на параметры устройств большое влияние оказывают топология печатной платы, взаимное расположение элементов, расположение переходных отверстий на плате. Вопрос: можно ли с помощью MWO промоделировать схему на элементах с сосредоточенными параметрами с учетом топологии печатной платы (двухсторонняя) на 450 МГц-ах? В книге Разевига ответ на этот вопрос не нашел.

Можно через внутрение порты (Internal port) к которым цепляются элементы с сосредоточенными параметрами. Хотя сам не полность разобрался в их работе, в Sonnete как-то более понятно.
Удачи

С MWO надо очень аккуратно. Лучше в CST посчитать, там есть сосредоточенные элементы. У меня приличные результаты до 2 гиг получались (в смысле сходства результатов измерений и того,что на модели получалось). Дальше на сосредоточеннных не проверял.

В принципе было бы можно проанализировать именно на сосредоточенных элементах в Schematice, но смущает именно двухсторонняя плата, если бы она была микрополосковой или на "подвешенной" подложке, хотя чем черт не шутит на всякий случай в Elements гляньте Substrates. Еще момент, который вобщем-то смущает еще сильней, про большое влияние топологии, здесь методы анализа принятые в Schematice, наверное, не покатят, хотя тогда можно использовать EM-Sight, но там по-моему возможно только микрополоски.

Сообщение отредактировал MaryM - Apr 12 2006, 10:08

Топологию (любую планарную) промоделировать можно в EMSight, используя внутренние порты, хотя на мой взгляд на таких частотах влияние топологии не слишком существенно, гораздо большее влияние оказывают паразитные параметры сосредоточенных элементов (емкостей, индуктивностей) - используйте соответствующие модели.

А вот взаимное влияние элементов пожалуй промоделировать не удасться (ну если конечно не строить их полные 3D модели и не использовать 3D-моделяторы).

В Schematic можно задавать множество паразитных элементов и без задания подложки. Например для переходных отверстий VIA задается диаметр, толщина металлизации и удельное сопротивление, элементы проводников печатной платы можно промоделировать с помощью Ribbon (cм. вкладку Interconnects).
В книжке Разевига есть пример моделирования транзистора с учетом топологии. Вот приложил пару страничек
 Pages_from_________________________________________________Microwave_Office.pdf ( 233.31 килобайт ) Кол-во скачиваний: 3914

[quote name='DesNer' date='Apr 12 2006, 21:12' post='104072']
[quote name='Mr. Brightside' post='103740' date='Apr 12 2006, 11:03']
... Сейчас возникла проблема с моделированием на частотах ~450 МГц, т. к. в данном случае на параметры устройств большое влияние оказывают топология печатной платы, взаимное расположение элементов, расположение переходных отверстий на плате...
[/quote]


Мне кажется, все-таки, для таких частот ЭМ моделирование - это из пушки по воробъям и излишние трудозатраты. Сосредоточенные паразитные элементы плюс грамотное расположение взаимовлияющих частей (индуктивности под прямым углом...) - вполне.

У меня сейчас так же возникли проблемы с использованием внутренних портов. Не могли бы Вы мне объяснить,как в Sonnet корреткно подключить в разрыв микрополоска элемент (конденсатор, катушку или резистор)? Элементы представлены своими S-параметрами.

Никак не могу понять такой момент: полярность внутреннего порта важна только в том случае,если к порту подключается,скажем,транзистор или генератор,а при подключении обычных пассивных элементов (емкости,индуктивности,сопротивления) полярность не влияет на результат моделирования?

А какие при этом порты Вы использовали в структуре-волновые иил дискретные?

Можно. Нужно каждому элементу задать Layout. Все via и проводники лучше пересчитать в EM и вставить в схему как Subsircuit. Для элементов использовать или S-параметры или модели. Влияние подложки/паразитные емкости здесь еще незначительно. Хотя можете для проверки использовать какой-либо конденсатор/резистор по моделям Modelithics (биб-ка XML, если она у Вас полная).

Стал экспериментировать с внутренними портами в MWO... Немного непонятно получается:внутренний порт должен быть добавлен в стык между двумя полигонами и только так. Значит,чтобы мне воткнуть в разрыв микрополосковой линии какой-либо элемент,мне надо эту линию разорвать,заполнить разрыв металлом (вставить металлический полигон) а потом расставить порты. Сделав так я получил результаты,похожие на правду...НО,мне непонятно каким образом программа учитывает тот полигон, который стоит в разрыве линии? Это же небольшая индуктивность+емкость на землю...
Или я не прав и чего-то не понимаю?