Столкнулся с проблемой. Есть транзистор в S диапазоне, даны требуемые импедансы цепей согласования в полосе частот, подобрал требуемые цепи согласования при помощи электромагнитного моделирования в MWO. Но заметил, что результат Zin очень сильно варьируется от изменения длины референсной плоскости (всегда больше двух толщин подложки). Вопрос: как добиться наиболее близких к реальности результатов?

именно длинна? или ширина?
помоему в mwo по умолчанию вы моделируете в металической трубе, возможно что вы не достаточно далеко оттащили модель от краев этой трубы, по бокам от 2-10 толщин диэлектрика, с торца на 2-5 толщины оттаскивал :-)
если смотреть сверху на планарную модель, то от ширины должно зависеть.

Проверьте может быть у вас не нагружен один из концво модели? те двигая по длинне вы попдаете в кратные Лямб/4 точки.

Да, длина, а ширина вроде задается шириной порта. Я применяю axiem, там границы не указываются. Но результаты практически совпадают с EMSight. Оба конца нагружены, высылаю один из примеров моего согласования.

Может все дело в том что вы подключаете вашу цепь согласования к 50 портам???
Тогда при задании портов на краю проводника вы получаете линию отличающуюся от 50 ом и при изменении ее длины (или опорной плоскости) видите ее влияние.

Нет, я задал комплексно-сопряжённое число в роли импеданса. Да и изменение импеданса портов почти не влияет на результаты.

Вы задали комплексно-сопряжённое число импедансам портов? Но в ЕМ анализе порты всегда считаются 50-омными, не зависимо от этих установок. И выкладывать нужно не только emp-файл, но и vin. Иначе не понятно, Вы не забыли подключить порты к нижней земле, если это AXIEM?

А тот факт, что в EM анализе порты всегда считаются 50-омными сильно искажает результаты расчета входного импеданса цепи? Да, что с подключенными портами к земле, что без них результаты всё равно сильно варьируются (причём от смены симулятора результаты почти не зависят). Ещё раз прикладываю проект, немного поправленный и с vin.

Прошу конкретнее. Что именно варьируется?
Фаза на диаграмме Смитта?

Придётся, наверное, приложить ещё раз .
Волновые сопротивления структуры явно не 50-омные, т.е. структура не согласована с нагрузками и при изменении длины входной импеданс изменяется. Мне кажется, Green_Smoke указал правильную причину.

Варьируется комплексное сопротивление (действительная и мнимая часть). Да, для транзистора требуется импеданс порядка 2-j5.5 Ом.А как тогда правильно смоделировать в EM согласующую линию для транзистора? Теперь точно приложу

Если есть S-параметры для транзистора, то можно промодулировать цепи согласования в EM- симуляторе и подключить их к этим S-параметрам в схематике и посмотреть на КСВ...

Вы считаете, что от этого увеличится точность расчётов?

Думаю, да. S- параметры приведены к 50 Омам так же, как и Ваши цепи, в совокупности должен получиться более реальный результат...

Filippov прав, должна увеличиться. А если есть модель транзистора, можно создать схему его включения с Вашими параметрами (напряжениями и прочим, от этого, кстати, зависят и S-параметры) и на входе вставить Вашу ЕМ структуру в качестве подсхемы. Наверное можно даже попробовать вместо ЕМ стрктуры вставить просто её схему (это всего-лишь два элемента отрезка МПЛ, т.е. два элемента MLIN разной длины и ширины с элементом MSTEP между ними). Затем применить экстракцию для извлечения топологии этой цепочки и попробовать оптимизировать эту схему. Переменных для оптимизации не очень много, две длины и две ширины элементов MLIN. В качестве цели оптимизации выбрать VSWR или S11. Оптимизация для этой цепочки будет выполняться в электромагнитном анализе и получите оптимизированную ЕМ структуру. Возможно это займёт приемлемое время. Хотя, где-то ячитал, что не все поставщики дают S-параметры, совместимые с AWR.

о_0 Это как?? Можете пояснить?