Здравствуйте! Хочу улучшить КПД китайской зарядки от мобилки. Схема на двух транзисторах, схема примерно такая, они все примерно одинаковые. При нагрузке уже в 1 Вт высоковольтные транзистор очень ощутимо греется. Начал гонять схемку в микрокапе, дошел до такой схемы (вложение). В микрокапе при нагрузках в 3...100 Ом и выходном напряжении около 5,6 В на мощном транзисторе выделяется 0,1...0,2 Вт, при этом частота преобразования 20...50 кГц (в зависимости от нагрузки, с уменьшением сопротивления нагрузки частота повышается). Сердечник E16 N87, зазор 0,4 мм.
В реале собранная эта схема при выходной мощности в 1 Вт довольно сильно греет транзистор, ну уж ни как не 0,1...0,2 Вт. Да и частота преобразования без нагрузки - около 100 кГц, при нагрузке в 20 Ом - повышается до 300 и выше кГц. В чем может быть ошибка? Неправильно моделировал или, может что-то с трансом (например) не так...Основная идея в моей схема была уменьшить время открывания и закрывания ключевого транзистора Q1 за счёт введения интересной ОС на элементах C9,D11,D10,R10,D7.

З.Ы. немагнитный зазор - это же для Ш-образного сердечника зазор в средней его "ножке", которая помещается внутрь каркаса?

Заранее спасибо.