Да разводить можно как угодно, хоть 20, хоть 60 Ом, причем работать вполне возможно будет в обоих случаях(ну при каких-нибудь шаманских танцах дополнительно). Вопрос в том как сделать правильнее. А правильнее, судя по моделированию, получается 39-43 Ома. Неплохо было бы еще проконтролировать сигналы на живой плате, но это чисто практически очень сложно сделать.

"Черная магия" (высший курс, с.815), говорит, что перекрестная помеха между соседними сегментами не увеличивает, а уменьшает задержку.

Сообщение отредактировал maple - Jun 19 2012, 09:11

Узнал, что Altium Designer не учитывает переходные отверстия при расчете блины проводника. Как быть? Есть для трассы мы обычно берем 7пс/мм, то каково это значение для переходного отверстия 0.4/0.2? Можно ли этим пренебречь?

Есть один способ... Снести альтиум. Это серьезно.

Очевидно, придется считать вручную, либо писать скрипты, если это вообще возможно. Длина отверстий известна и одинакова. Допуск тоже известен и тоже одинаков.

Еще можно уитывать кол-во переходных в соответствующих группах и сделать их равным для всех цепей в группе. Правда понятия не имею, можно ли задать такое правило в Альтиуме. В Аллегро можно. Но там и без этого переходные учитываются при расчете длины/задержек Правда не во всех лицензиях, но я так понимаю в Росии это никого не напрягает

Скорость волны по переходному отверстию такая же как и по трассе?

Наверное нет, но разницу точно можно не учитывать.

Если у меня DDR3 выполнена будет в виде двух чипов по x16, обязательно использовать топологию Fly-by или можно сделать обычным деревом как DDR2 разводили? Кажется так проще. Но куда в таком случае подключать терминацию?

_Макс у DDR3 нет топологии "дерево", почитайте jedec JESD 79-3 и посмотрите ещё вот тут

Сообщение отредактировал krux - Jul 2 2012, 19:45

А терминацию в точку ветвления дерева как у DDR2.

В JESD 79-3E "fly-by" упоминается три раза и вскольз.


Я DDR2 вообще без терминации делал, работало. Такого, чтоб в точку ветвления дерева ставить - не видел никогда.

Один говорит можно, другой - нельзя

Если используются модули памяти, то терминация на материнке и первая точка разветвления там же.
Если используются чипы памяти то терминация расположена либо в точке ветвления дерева либо из точки ветвления идет трасса на терминаторы.

Для топологии fly-by приемники (нагрузки) подключены параллельно линии с интервалом чтобы не создавать большую локальную неоднородность из-за емкости пина и терминатор ставится в самом конце линии после самого последнего приемника.

Если трассы короткие то для двух чипов может и не надо терминацию ставить.
На DDR2 работало без терминаторов до 400МГц. На более высоких частотах не знаю.

Добрый день.

Ставлю TI AM3359 и один чип DDR3 x16. AM3359 имеет 16 битную шину и в документации написано в секции 5.5.2.3.3.9 DDR3 Signal Termination:

Подключение из даташита:


Память DDR3 имеет ODT только на данные (по даташиту). Память ставлю рядом с процессором (трассы минимальной длинны).

Засомневался в необходимости подключения терминальных резисторов на ADDR_CTRL и CK. Частоты вроде маленькие - 303 МГц.
Подскажите, пожалуйста, необходимы ли резисторы.

Сообщение отредактировал SimpleSoft - Jul 11 2012, 09:25

терминация DDR3 - это не только согласование сигнальных цепей и устранение "звона".
дело в том, что если операции чтения/записи не производятся, то контроллер как правило не ведёт шину (в том числе и для экономии энергии) это раз.
в DDR2/3 - применяется сигнальный стандарт SSTL. при его реализации в микросхемах устанавливаются компараторы на каждый вывод, идёт сравнение с Vref, это два.
Так что если в Z-состоянии шина не будет затянута на VTT, то когда контроллер будет включать или выключать драйверы на передачу - компараторы смогут легко обеспечить достаточно проблем, даже на низких частотах.
Ставьте, не ленитесь.
Даже если всё на первый взгляд "заработает" и без них, то на температуре поведение будет непредсказуемое.

Спасибо!