Может не в тот форум попал, но более подходящего не нашел, т.ч. не обессудьте.

Вопрос следующий: вот есть параллельная флешка AT49BV162AT от Atmel, микросхема хорошая, всем требованиям удовлетворяет, кроме одного нефатального, но досадного момента. Программирование флеши (как и стирание и другие режимы) реализуется путем подачи специальной цепочки адресов/данных (адрес 0х555, данные 0хаа, адрес 0хааа, данные 0х55 и т.д.) - это обычное дело для таких дивайсов. Время программирования ячейки (16-бит слова) типовое - 12 мкс, максимальное 200 мкс. Т.е. для гарантированной зашивки, если по времени, то надо ждать эти самые 200 мкс. Для оптимизации этого момента микросхема имеет режим поллинга, т.е. можно после посылки данных на программирование делать чтение и по определенным битам результата чтения определять, запрограммировалось ли слово или нет.

И вот тут то и затаилась засада: выяснилось, что несмотря на поллинг некоторые данные пишутся с ошибками. Причем получается как бы порциями - блок из нескольких подряд данных пишется нормально, затем блок выпадает, затем опять нормально. Если сделать выход из режима программирования не по результату поллинга, а по времени, то все пишется, как часы, т.е. флешь сама нормальная.

В случае стирания, например, сектора, окончание процесса стирания (там время заметное - порядка 0.3 секунд) определяется также с помощью аналогичного поллинга и тут вопросов нет, все замечательно работает.

Если кто сталкивался с подобным и победил (или не победил ), поделитесь опытом?