Vro=D*Vdc/(1-D) - выброс на ключе на обратном ходу
Vds=Vdc+Vro - напряжение на стоке на обратном ходу

(Dmax) should be determined so that Vds nom would be 65~70% of the MOSFET voltage rating considering the voltage spike caused by the leakage inductance. In the case of 650V rated MOSFET, it is typical to set Dmax to be 0.45~0.5.

А если планировать питальник на терпимость к суровой русской электросети со своими скачками напряжения, то лучше снизить Dmax до значения 0,35-0,4, спать спокойнее будет.

Сообщение отредактировал Ydaloj - Jul 17 2012, 12:19

Позволю себе показать ещё одну картинку на тему Кзап и всякоразных выбросов.

Нет, тут явно какая-то несуразица.
Никакого отношения коэффициент заполнения к предельному напряжению ключа не имеет. Если, конечно, параметры трансформатора расчетные, а не приспособить любой ценой имеющийся готовый. Индуктивность рассеивания тоже ни при чем. Она может снизить КПД, но к заполнению отношения вовсе не имеет.
Русскую зиму, конечно, уважать нужно, но ссылаться на нее всуе - не стоит.
Да, в сетевом флае так складывается, что оптимально использовать 0.35-0.45, но это не догма.
Есть пример построения однотранзисторного прямохода для сети 90-265 вольт на... 500-вольтовом ключе! Неоптимально, конечно, но сам принцип продемонстрирован ярко. Трансформатором можно выбрать все.

Да, формула правильная (для неразрывных токов), но
напряжение на транзисторе, это сумма питающего напряжения и напряжения на первичке при обратном ходе.
Напряжение на первичке в свою очередь это Uвых*Ктрансформации. Т.е одинаковое во всём диапазоне входных напряжений.
Получается напряжение на ключе прямо пропорционально входному напряжению плюс некая константа.
Никакого увеличения "выброса" при коэффициенте заполнения более 0.5 тут не наблюдается.

Примите во внимание ещё один медицинский факт: индукция (или поток) в сердечнике пропорциональна интегралу от напряжения на концах обмотки.
При к-те заполнения больше 0.5 хоть тресни, а напряжение на ключе должно быть больше удвоенного напряжения питания, иначе трансформатор замагнитится до насыщения и всё сгорит.

PS. Кстати, флайбэк с D порядка 0.85 .. 0.9 можно найти в любом телевизоре с кинескопом, он там вырабатывает анодное напряжение.
Обратный ход у него резонансный и длится всего несколько микросекунд, а период 64 мкс (15625 Гц - частота строк).

Ежели в предыдущей модельке добавить виточков во вторичку и увеличить ёмкость фиксирующего конденсатора, то вполне можно поюзать и 500 вольтовый IRF840.

Тогда надо принять и тот факт, что коэффициент заполнения более 0.5 получается при довольно низком входном напряжении. Одна составляющая растёт , другая падает, и суммарное напряжение на ключе будет уменьшаться с уменьшением входного напряжения.

Совершенно верно. И сей факт позволяет расширить диапазон входного напряжения прямоходовых однотактов за счёт увеличения Кзап и работы сердечника СТ в четырёх квадрантах.
Для обратнохода всё очень хорошо видно на первой картинке, где имеется участок работы с Кзап>0,5, но напряжение на ключике не превышает напряжения на нём при Кзап<0.5.

Сообщение отредактировал ramic - Jul 17 2012, 18:30

но ведь источник питания разрабатывается под действующую сеть, а не наоборот?
потому и вначале надо прикинуть вольтамперные характеристики сетевой стороны, а потом уже на Ктр переходить.
Конечно, Кзап и Ктр связаны между собой напрямую, и из одного параметра можно вывести другой. Но тут дилемма про курицу и яйцо не подходит. Вначале выбираем Кзап.макс, а потом как-то сам с собой рассчитывается Ктр.
А Кзап.макс мы выбираем по имеющемуся ключу.
Про индуктивность рассеяния... тот самый короткий высоковольтный язычок при выключении ключа обусловлен Llk, потом на обратном ходу действует расчётное Vro, а потом уже Vdc.

Сообщение отредактировал Ydaloj - Jul 18 2012, 05:35

Ну да. Только вот разработчики оных питальников, к сожалению, на этот "форум разработчиков" ходят очень редко.
Тем не менее, ждём"с.

Сообщение отредактировал ramic - Jul 18 2012, 06:37

я не понимаю намёков и не читаю между строк, извиняйте. говорите прямо.

Вы, как я вижу, действительно не понимаете. Это вы с коллегами "говорите", а я - показываю, но в ответ получаю всё те же книжнопомогально.pdfные разговоры.

У Вас не возникало мысли, что книжнопомогально.pdfные разговоры могут натолкнуть человека, имеющего голову и желание, на правильный путь решения проблеммы? При этом на рисование моделей, демонстрирующих какие-то светлые схемотехнические решения, у человека не может быть ни времени, ни желания.

Могут. Но я придерживаюсь той точки зрения, что лучше один раз увидеть.......
А буде у собеседника нет "ни времени, ни желания", то лично мне он не интересен.

Согласен, если взять два источника на одинаковое минимальное входное напряжение, но с разными максимальными коэффициентами заполнения, то у источника с бОльшим К зап напряжение на ключе будет больше.