2. Если за 1 раз будете писать не более 32 байт, то запись в эти адреса приведет к разным результатам. Кроме того, учтите, что в полной мере работа EEPROM в режиме отображения на память поддерживается только при чтении. При записи это всего лишь заполнение буфера страницы, после которого надо давать в NVM команду записи.

Это просто один массив из 32-х байт с адресами оных 0x00-0x1F или это N массивов по 32 байта для каждой страницы или нечто другое???

1. Для чего придумали NVM контроллер (чем не устроил подход как в обычных мегах)?
только лишь для паралельной записи страницы? или еще какие цели преследовались?

Один буфер на всю eeprom.

PS. Не забуьте про ерату и ревизию - eeprom там тоже упоминалась.

запись по адресам 0х1000 и 0х1020 приведёт к абсолютно одинаковому результату

А почему тогда запись по адресам 0х1000 и 0х1020, как утвеждает V_G, дадут разный результат?

Логика в этом предположении есть, но зачем использовать такой режим? Он как бы не рекомендован и соответственно неизвестно, как будет работать.

Может V_G проверял?
Мне сейчас проверить не начем, а симулятор чето не хочет eeprom писать...
Надо в жеезе испытать - инересно что и куда запишется.

Не рекомендован??? где конкретно в DS это не рекомендуют? ну или хотябы где рекомендуют писать только по адресам 0x1000-0x101F.

The necessary steps to perform an atomic write using memory-mapped access is as
follows:
1. Wait for any pervious NVM operations to finish.
2. Load page buffer by writing directly to data space, while staying inside one
EEPROM page.

В DS сказано что повторная запись по одному и томуже адресу страничного буфера еепром выглядит как логическое И содержимого и записываемого.
Интересно зачем так сделано если буфер это вроде как обычное озу?

Если выполнить команду записи страницы еепром с NVM_ADDR2..0 = 0х000000 или 0х00001F будет ли в обоих случаях записана нулевая страница?

Почему должна быть нулевая страница? Сколько у вас станиц всего? 32 или 64?

Наверно подобие flash изображают...буфер оно конечно озу, но flash-то не озу.

Что нужно записать в NVM_ADDR2..0 для записи буфера в 0-ю, 1-ю и т.д. страницу?

/*! This function writes the contents of an already loaded EEPROM page
* buffer into EEPROM memory. As the lower part of the address is used
* to address the buffer, while the upper part addresses a page in
* EEPROM, the address parameter can refer to any EEPROM address within
* the page you want to program.
*
* As this is an atomic write, the page in EEPROM will be erased
* automatically before writing. Note that only the page buffer locations
* that have been loaded will be used when writing to EEPROM. Page buffer
* locations that have not been loaded will be left untouched in EEPROM.
*
* \param address Address to any byte within desired EEPROM page.
*/
void EEPROM_AtomicWritePage( uint16_t address )

И причём здесь flash? Речь о еепром.

но зачем они это изображают? видать какой то тайный смысл в этом есть.

Любой адрес в пределах страницы(если я правильно понял):

Можно конкретней, что должно быть в NVM_ADDR2..0 для записи НУЛЕВОЙ страницы еепром (в случае отображения еепром в область данных с адреса 0x1000)?
любой из 0x000000-0x00001F или любой из 0x001000-0x00101F ?

Судя по их примерам - 0x000000-0x00001F

Я,к сожалению, в СИ не силён.

не означает ли что всётаки любой из 0x001000-0x00101F ?

А на асме случайно нет примеров???

Может V_G проверял?