У меня вот такая схема:



С контроллера я подаю ШИМ 118 кГц DC=50% размах 0...3.4 В.
Потом я смотрю напряжение на коллекторе и вижу следующее:



Мне не понятно почему изменился DC ШИМ-а?
Транзистор я взял BC-817, он может работать на частотах до 10 МГц.
По моем у мнению, тогда на 120 кГц должно быть все отлично.
Условия для транзистора в схеме ,по моему, идеальные...
Так посему же изменился DC ?

Заранее всем большое спасибо за ответы.

Транзистор работает абсолютно по учебнику, проблема называется "рассасывание неосновных носителей".

поставьте мосфет
с биполярным попробуйте уменьшить резистор с базы в землю до 1..2к

Сообщение отредактировал _Vova - Oct 9 2012, 09:42

Он у вас в ключевом режиме, а не линейном. Попробуйте снизить частоту или использовать полевой транзистор.

А на базе транзистора сигнал соответствует желаемому?

У Вас сигнал на осциллографе прямой или инвертированный?

Уважаемые форумчане, я думал про неосновные носители заряда.... Но как тогда этот транзистор будет работать на частоте 10 МГц. (там у него в datasheets fT (Current Gain Bandwidth Product) = 100MHz, при условии VCE=5V, IC=10mA f=50MHz) ????


Сигнал на базе сейчас посмотрю и выложу.... (Только перекину на дугую ножку процессора эту в процессе экспериментов спалил.)

При влиянии рассасывания мы должны
были видеть затягивание 0, а не 1.
Какой сигнал на управляющей ножке микросхемы?

Если бы биполярники могли работать на 10 MHz в ключевом режиме, зачем тогда MOSFET? На 10 MHz он сможет передать аналоговый сигнал (при смещенном базовом переходе) не потеряв коэффициента усиления.
На картинке не видно, что затягивается, нужна привязка к управлению.

Сообщение отредактировал Batman - Oct 9 2012, 09:54

NB: В осциллограмме сигнал инвертирован, похоже. Галка стоит.

Параметра по времени рассасывания для этого транзистора в ТУ нет,
а примерный аналог - КТ504 имеет время выключения 3.5мкс.

Извините за задержку, надо было подключить схему к другой ножке порта и написать программу для этой ножки :-)

Вот осциллограмма напряжения на базе транзистора:



Как видно уже форма сигнала искажена.

Вот осциллограмма напряжения на коллекторе. В первый раз выложил инвертированную осциллограмму спасибо что поправили




На счет уменьшить резистор притягивающий базу к земле..... По моему это ничего не даст: неосновные носители заряда должны стекать на землю через транзистор порта микроконтроллера , я так думаю.

А сколько каналов у вашего осциллографа?

Да время рассасывания в datasheeet не пишут.....
Но ведь пишут что fT = 100 MГц!!!!
Тогда что это за величина fT????
Может кто нибудь подскажет?

Каналов у осциллографа два, но щуп один :-( Второй испортился. Но там видно по картинке (см. V_collector.png в первом посте (помним что там сигнал инвертирован)) выбросы они как раз соответствуют моментам когда контроллер переключает управляющий сигнал с 1 на 0.

Правильно Вам пишут, рассасывание у этого 817 такое.

Про 10 Мгц забудьте - это не для ключевого режима параметр.

Из простых советов - ставьте база эмиттер 330 Ом , в коллекторе 470 Ом ( если питание 3.3 V и не жалко потребляемого тока.)
а еще лучше - замените ваш 817 на транзистор PH2369 или подобный с такими циферками (PMBT2369 )