Биполярный транзистор, если рабочая точка уходит в насыщение, закрывается медленно - до 5-10мкс, в зависимости от глубины насыщения. А ключевой режим - это всегда насыщение. Высокая частота возможна только без оного.

попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б

Уважаемые форумчане, тогда получается такая ситуация....
В datasheet-е (BC817 jn Fairchild) ни каких частотных или временных параметров нет кроме fT.
А fT по словам гн. ТАУ это параметр не для ключевого режима.

И как же тогда выбирать транзистор для работы с ШИМ-ом???
Хорошо теперь я знаю что у этого время рассасывания ~2,5 мкС.

А как мне это предвидеть на этапе разработки схемы, когда еще и транзистора в наличии нету?

И остался без ответа вопрос: Зачем в ставить резистор между базой и эмиттером? (По моему неосновные носители заряда
должны стекать на землю через транзистор в порте контроллера)

Лучше посмотрите, к примеру, на параметры КТ317.
У него время рассасывания по ТУ - 200 нс, у КТ317А-В 130 нс.






Надо выбирать элементы, у которых нормируются интересующие Вас параметры.


Если диод, то шоттки и между Б и К. Анод на базе.

А еще можно просто сделать повторитель, но потеряете верхний уровень.

Другой огород это поставить два диода. Один в базу, а другим охватить два перехода
(первый диод и Б-К). Сопротивление между Б-Э в районе 1кОм.



Сообщение отредактировал skyv - Oct 9 2012, 11:58

Выбирать транзистор для работы с ШИМом просто. Он должен быть полевым )))
Попробуйте - IRLML0060TRPBF в том же корпусе, те же выводы.
Вы снизьте частоту, попробуйте, экспериментируйте. Кстати сигнал у Вас на базе ну никак не 50% по скважности

Решил делать ШИМ на полевике потому что он стоит 3 коп, а полевик 10 коп. и потому что они были под рукой.ю и потому что они во всех наших схемах
стоят. Не приходил в голову что на такой низкой частоте возникнут проблемы....

Большое спасибо гн.-у muravei за совет с диодом.
Еще помогло увеличение резистора от контроллера в базу. Меньше ток базы => не такое глубокое насыщение.



гн.-у batmat
От контроллера идет ШИМ строго 50%-ной скважности. А форма сигнала на базе искажена из-за рассасывания неосновных носителей заряда.
Там между контроллером и базой еще резистор есть.


Всем большое спасибо.

Вот посмотрите обсуждение, правда там тогда меня никто почему-то не поддержал.

На это я и хотел обратить Ваше внимание.
Дело в том, что можно было просто поиграться частотой для диагностики проблемы. Первый раз я столкнулся с этими транзисторами при динамической индикации светодиодных дисплеев. При увеличении частоты транзисторы просто не успевали закрываться и знакоместа сливались.

По поводу заявления Вашего собеседника:

"...И вот возникает вопрос: а как глубоко войдет в насыщение этот же транзистор, но имеющий максимально возможное значение коэфф. передачи тока и работающий при максимальной температуре окружающей среды? Для него - будет ли отличаться время выхода из насыщения при исходном значении номиналов и при предложенных вами номиналах? А если будет отличаться - то насколько?
Мой ответ - отличаться если и будет, то не настолько, чтобы это кто-то вообще заметил."

могу сказать, что это полная ерунда.
Для более полного моделирования интересующих зависимостей надо
брать определенные сочетания параметров (статических и динамических и это
далеко не только температура и h21) транзистора в пределах ТУ, находить для них параметры математической модели
и после этого моделировать узел. Сочетания параметров транзистора для крайних случаев 100% дадут движение
интересующей характеристики.

Если контроллер дает строго меандр, а по непосредственному измерению на базе - уже затянутый сигнал, как мы видим по приведенной осциллограмме, значит сигнал затягивается на эквивалентной емкости базы.

Причина - кошмарно большой резистор база-земля. Нужно включить 100 Ом примерно (а не килоом!)
(Из расчета, чтобы делитель, получающийся из двух резисторов, при сигнале "единица" давал бы на базу около 0.7 - 0.8 вольта)

2. Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении.

О фронтах разговора ведь нет.

Вот у меня вопрос организовался по поводу диода.
Тут в этой ветке было несколько рекомендации про диод :

1) попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б (гн. muravey)

2) Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении (, гн. Меджикивис )

3) Другой огород это поставить два диода. Один в базу, а другим охватить два перехода(первый диод и Б-К). Сопротивление между Б-Э в районе 1кОм. (гн. skyv)

Вопрос 1: какой метод лучше?
Вопрос 2: какой минимально достаточен?

Вы попробуйте каждый из вариантов
и осмыслите результат с учетом
всего выше сказанного. Делов-то.

Минимально достаточный вариант - поставить правильные величины резисторов к базе.

Сообщение отредактировал Меджикивис - Oct 10 2012, 10:31

Это мало! Порядка 0.7В - само прямое падение на переходе БЭ. Нужен запас, иначе в базу потечёт мало току и транзистор рискует не открыться. Оптимально, как предлагал ув. тау, порядка 330 - 680 Ом.

По той же причине тоже ненадёжный способ. Диод может открыться первым и соревнование с транзистором к хорошему не приведёт. Ещё вариант - диод развернуть катодом не к эмиттеру, а к ножке контроллера, т.е. поставить его параллельно базовому резистору. Тому, который 400 Ом.