В импульсных схемах на входе транзистора с выходной логики ставят резистор с параллейно включенным конденсатором + резистор, параллейно цепи Б-Э. Это позволяет ускорить открывание и рассасывание.
Но, конечно, транзисторы должны иметь хорошие импульсные характеристики.

Да. Но при каком токе? - при 20..30mA. Но токи в базу даже для насыщения - гораздо меньше. На них падение составит 0.4 - 0.5V
Так что для полного открывания (с 1.5 кОм в коллекторе) - с лихвою достаточно.

Более 2 вольт на базу? - неее, не соглашусь. Тут уже имеем перегруз, далекий от оптимума.

И не дай бог, диод тоже будет кремниевым, с падением на нем того же порядка, что и на базе. Если он и окажется открыт, то чуть-чуть, и практически ничего не добавит к оттоку заряда.

2

А форсирующая цепь, как в учебнике? О было уже, плохо почитал.

Сообщение отредактировал карабас - Oct 11 2012, 04:02

...я сделал бы так

to proba60:

Хотелось бы что бы вы чуть-чуть поподробнее рассказали назначение дополнительных элементов в схеме.
Почему именно так.

P.S: думаю что мне , все же такой, вариант не подойдет. У меня питание батарейное и каждый миллиампер на счету.

Назначение? Ну просто красиво.

Если "каждый миллиампер на счету", почему Вы используете биполярный транзистор, а не полевой?
И, даже если биполярный, зачем на 2 мА нагрузки использовать тормозной BC817?

Если на BC817 что-то клином сошлось, бюджетное и проверенное десятилетиями решение Вам уже предложили - ограничить степень насыщения транзистора диодом между базой и коллектором.
Во времена, когда "диод Шоттки" был не более чем словосочетанием, резистор в базе иногда разделяли на два и включали диод в их среднюю точку, чтобы уж наверняка не впасть в насыщение.

Не стесняйтесь использовать программы моделирования - такие мелочи они Вам покажут без натурного эксперимента.

Можно бороться с насыщением сливая лишний базовый ток через диод шоттки в колектор(в момент открытия),
а можно прикладывая в момент закрытия отрицательный потенциал к базе что ускорит закрытие транзистора.
На картинке напряжение эмитер -база

Сообщение отредактировал proba60 - Oct 12 2012, 15:47

[attachment=71961:000_121012.JPG]

Никаких "странностей" моделирование не показывает. Все вполне неплохо -открывание 30нс, закрывание 90нс. С одним токоограничивающим резистором в базе.
70 Ом -эквивалент выходного сопротивления драйвера (ток короткого замыкания=47мА)

Очень хорошее объяснение. Мне еще понравился вариант с конденсатором, параллельно базовому резистору, т.к. это позволит быстро открыть, но сохранить небольшой ток б-э.
Вообще, интересно, для чего эта схема. Тогда можно было бы еще подумать.

потому что спайс моделирование рассасывания заряда в базе - затея с заведомо неверным результатом в подавляющем большинстве случаев.
Нельзя рассчитывать на достоверность полученного времени выхода из насыщения.

Интересно. А в чем причина Вы считаете -модель неадекватная или ее параметры?

модель еще более-менее , гумеля-пуна. А вот экстракция параметра TR (Ideal reverse transit time) задача весьма непростая, в простейшем случае сводящаяся к прямому осциллографическому измерению ( по методике Аджилента). А то что удачно вышло для одного режима выключения , будет совсем неудачно для другого, что и наблюдается.

Посмотрите чему равно значение параметра TR для модели транзистора.
В OrCAD16.3 TR = 2.600N для BC817_1 .
С этим транзистором узел работает замечательно.
Что здесь удивительного?
Что заложили в модель, то и получили.