Здравствуйте!

Задача стирания NAND флешки уже несколько притомила. В большинстве примером (большинство что я увидел на просторах интернета) сводятся к такому коду:
кто бы доходчиво мог объяснить что делается в данном коде... я не понимаю несколько моментов.
В описание в работе с нанд памятью указано что подаается 3 команды. В которых участвуют адреса блоков, страниц. Но как связан данный код с тем что требуется передать.
Спасибо.

Сообщение отредактировал IgorKossak - Dec 5 2012, 11:34

требуется передать адрес... он и передаётся просто он расплющивается в несколько байт... см даташит на микросхему

получается мы передаем в функцию номер блока, далее номер блока преобразуется в адрес начала и конца блока?...
Если можно то поподробней что делается в тех трех командах

Сообщение отредактировал deplen - Dec 5 2012, 03:14

Может я не особо внятно попробовал задать вопрос..попробую еще раз...
Допустим на вход подается 1. Тобишь первый блок, тогда согласно функции результат сдвига будет 40h или 64 в десятичной. Строка с сдвигом 8 равна 0h.
Ниже распишу что получается:
40h 0h
80h 0h
C0 0h

а дальше
00h 01
40h 01
...
и так далее...тобишь через 4 итерации он изменяет переменную с сдвигом 8, как эти все действия связаны с адресацией NAND.
Прошу помощи в этом я не смог догадаться что все это значит.

давайте по порядку, лучше плясать от исходника.

1. наверное в последней строке addr3 иначе предыдущая строка не имеет смысла

а. номер блока умножается на 64 (значит в одном блоке 64 страницы)

б) номер блока распределяется в две однобайтные переменные

г) они куда то там передаются (вы уверены что передаются addr1 и addr2 )

тогда зачем addr3?????

вы бы глубоко вздохнули и ещё раз написали пример поподробнее

Вот пример как он выглядит в программе к микроконтроллеру и на большинстве примеров из сети. Прошу прощения что назвал переменные не совсем коректно в прошлом примере..просто пытался объяснить и не вдавался в смысл названий.

Завтра уже нада что то показывать начальнику, а я в простой адресации не могу разобраться.

Сообщение отредактировал IgorKossak - Dec 5 2012, 17:05

У NAND флеш есть понятия страниц и блоков. Стирание ведется только блоками. Один блок в вашем примере содержит 64 страницы.
Так в чем, собственно, вопрос?

да вопрос вобщем то, что делается в данном коде, что я представил выше)
что такое num? что такое addr1, addr2. Примеры того что в отладке при входных данных 1 и 2 приведены.
Я не могу понять что означают данные перменные.
Почему addr1 всегда имеет значения 00h, 40h, 80h, C0h. A addr2 через 4 итерации увеличивается на единицу.

да вопрос вобщем то, что делается в данном коде, что я представил выше)
что такое num? что такое addr1, addr2. Примеры того что в отладке при входных данных 1 и 2 приведены.
Я не могу понять что означают данные перменные.
Почему addr1 всегда имеет значения 00h, 40h, 80h, C0h. A addr2 увеличивается на единицу, после того как addr1 станет снова 00h.

В моем понимании адресация это 0x00010000-0x0001ffff
0x00020000... и так далее...

а как в представленном коде нанд понимает что ему подсвоевывают мне не понятно.

Сообщение отредактировал deplen - Dec 5 2012, 18:23

Какой то поток сознания.
Ваш код делает следующее:

Умножает номер блока на 64, чтобы получить номер страницы начала блока.
Затем в переменные addr1 и addr2 раскладываются соответственно младший и старший байт полученного номера.
Потом они передаются как параметр команды.

И причем тут какие то итерации и увеличения?

Посмотри даташит на м/с NANDа типа MT29F4G08AAA. Там написано. Там последовательная запись адреса, разбитого на части.


Да, и если тема поднята, скажите, кто знает, по умолчанию SPARE область добавляется при чтении-записи или нет.

Спасибо за исчерпывающий ответ. Я вобщем то к этому и пришел на работе и потом прочитал Ваш комментарий.

Задача решена. Всем отписавшимся спасибо за помощь.

После решения данной проблемы После решения данной задачи возникли следующие:
1)каким способом можно восстановить работоспособность памяти после стирания всех блоков?
2) при подключения, в параллели другого микроконтроллера к "родному" мк SD карточки, будет ли он (родной) как то мешать работе подключенного (тобишь на шину данных выставлять нули или еще какие препятствия)

Сообщение отредактировал deplen - Dec 11 2012, 16:46

Никаким. Даташит настоятельно не рекомендует стирать блоки, помеченные как "плохие".
Память при этом будет работоспособна, но выявить сбойные блоки будет сложно.

А как насчет низкоуровнего форматирования которое призвано восстановить работоспособность? Оно же как я понимаю записывают необходимую служебную информацию, после которой требуется только записать таблицу например быстрым форматированием Windows.

Сообщение отредактировал deplen - Dec 12 2012, 16:21

Низкоуровневоео форматирование призвано стереть все блоки, не более того.
Не стоит равнять SD карту и микросхему NAND памяти.
Контроллер SD карты перед какими либо манипуляциями с данными в чипе NAND памяти проверяет на "корректность" выбраный блок. И если он помечен как "плохой" - то просто игнорирует его.
Если вы стерли все подряд блоки без контроля признака "плохого" блока - остается надеятся, что в данной конкретной микросхеме все блоки вдруг были "живые" перед этим, потому что простыми тестами чтения-записи скорее всего не удастся выявить "плохой" блок быстро.

Представим, что все блоки живые. тогда можно из всех этих записанных FF вернуть работоспособное состояние?

Раз низкоуровневое формирование не поможет, тогда может будет возможен такой вариант: слить дамп памяти, стереть NAND ERASE все подряд, и затем залить дамп обратно?

Если и это не поможет то неужели стирание низкого уровня командами нанда - стереть блок, это дорога в один конец и потом карточку нельзя будет использовать?