microwave office 2012

Есть layout в ЕМ симуляторе. а ля согласующая цепь для выхода мощного транзистора.
Каким образом прицепить к нему например конденсаторы, чтобы они как то влияли на результат рассчетов?. Простите если тупой вопрос. замучался уже.

Пробовал сделать модель на готовых элементах типа mlin, боле менее работает, а с топологией печаль.

Проект прицепил
 BLF642InpEM_9.rar ( 43.88 килобайт ) Кол-во скачиваний: 105

Суть проблемы в том, как вставить сосредоточенную емкость в EM-структуру. Когда-то исхитрялся вставлять резисторы, применяя дифференциальный internal port с нужным сопротивлением. В свойствах этого порта можно задавать его комплексное сопротивление в виде активной и реактивной части. Чтобы задать емкость, надо задать активную часть Real=0 и Imag=реактивному сопротивлению на нужной частоте.

Сообщение отредактировал Proffessor - Dec 18 2012, 11:36

Ребята посоветуйте Книгу, где есть тонкости применения внутренних портов, привязка топологии, к схематику., если такое вообще имеется.

Может быть эта поможет.
Но боюсь, что Вам придется всю свою топологую в Axiem перебрасывать, т.к. internal port имеет бесконечномалый разрыв, либо разбивать топологию на подчасти и соединять их в схематике, но тогда не будут учитываться связи между элементами топологии.

А если подключить к топологии стандартные 50омные порты во всех точках где будут подключаться емкости, а затем сделать экспорт в виде дата файла в схематик. И уже в схематике подключить модели конденсаторов от производителя. Тоже стоит подобная задача сижу и думаю...
На микрополосковых стандартных элементах можно сделать, но только один раз. А потом подвинул трассу и надо половину элементов менять. Сложновато.



Сообщение отредактировал novchok - Dec 26 2012, 08:19

Ух ты куда технологии продвинулись. Я горжусь за Ваши достижения.

А чем Вас схематик не устраивает?
Почему при моделировании такого сложного стройства как усилитель Вы думаете, что схематик даст большую ошибку по сравнению с EM симулятором? Эта точность Вам необходима?

Как Вы думаете точность измерения параметров транзистора будет с какой погрешностью? Ёмкости? Сопротивления? Коаксиально-микрополоскового перехода? Эпсилон и тангенс потерь у применяемых материалов? Качества распайки монтажницей и т.д. Ну или по другому, у Вас погрешность моделирования будет больше или меньше погрешностей измерения и самих моделей.

Это все пока, попытка создать разумную адекватную модель, построить Load Pull, это в лучшем случае 10% времени займет. Дальше нужно будет сводить это все к материалам, и к железу. Погрешность измерения реактивных сопроитвлений, доли ома. По сути это отработка технологии производства. Вся эта возня что туту затеял, это и есть оценка того, насколько можно промахнуться, и куда бежать)