реклама на сайте
подробности

 
 
2 страниц V  < 1 2  
Reply to this topicStart new topic
> Как правильно соединить последовательные IGBT
injener
сообщение Feb 11 2013, 07:58
Сообщение #16


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 681
Регистрация: 24-10-09
Пользователь №: 53 182



А что мешает поставить модули 33го класса, например? Посмотрите у Электрум АВ в России, ну и у буржуев такого добра много...
Но тут же возникнет вопрос о частоте преобразования. Высоковольтные модули небыстрые...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vladimir_T
сообщение Feb 11 2013, 14:49
Сообщение #17


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 517
Регистрация: 7-02-06
Пользователь №: 14 073



Цитата(SmartRed @ Feb 10 2013, 20:16) *
Зачем городить огород, если можно взять приборы на 2.5, 3 или 4 киловольта ?
IXYS такие делает...

Приборы IXYS очень хорошие, уже применял IXEL40N400. Мост на них собрать - это самое оптимальное решение, но очень дорогущее. Правда массогабаритные параметры наилучшие!

Цитата(khach @ Feb 11 2013, 01:14) *
Если есть возможность поменять IGBT на MOSFET - поменяйте. С ними действительно достаточно одного многообмоточного трансформатора, намотанного центральной жилой коаксиального кабеля. А вот для IGBT надо два трансформатора- один на включение "этажерки" и один- на выключение. И плавающие источник питания, возможно двуполярные- для каждого "этажа" этажерки. Как известно, у IGBT сушествует "хвост" тока при закрывании, так чтобы "этажерку" не перекосило при закрывании на этом хвосте- надо постараться. Хотя конечно если IGBT разряжают емкостной накопитель или накопитель на искуственной длинной линии- то про хвост можно забыть- линия разрядилась и транзисторы можно закрывать медленно и печально. ПОэтому я и спрашивал про режим коммутации.

Вы очень точно меня поняли: и про емкостной накопитель, и про управление трансфоррматорами. По два малогабаритных импульсных трансформатора на каждый IGBT меня не пугает. Частоту коммутации нужно не менее 20 кГц. Присмотрел у ON подходящие и доступные транзисторы. Про "хвосты" у IGBT я помню, уже были из-за них неприятности.
уду моделировать, должно получиться. Конечно, контролю за токами придаю особое значение, датчики Lem очень хвалят, буду пробовать. Платы, правда не очень быстро у нас делают.

Цитата(injener @ Feb 11 2013, 10:58) *
А что мешает поставить модули 33го класса, например? Посмотрите у Электрум АВ в России, ну и у буржуев такого добра много...
Но тут же возникнет вопрос о частоте преобразования. Высоковольтные модули небыстрые...

Искал я наших производителей, но такая тех. поддерка плохая, и документации не добыть. Смотрел МТО и другие...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Dmitry_Ternovsky
сообщение Feb 11 2013, 22:54
Сообщение #18


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 177
Регистрация: 31-08-09
Из: Saint-Peterburg
Пользователь №: 52 105



Цитата(Vladimir_T @ Feb 11 2013, 18:49) *
Приборы IXYS очень хорошие, уже применял IXEL40N400. Мост на них собрать - это самое оптимальное решение, но очень дорогущее. Правда массогабаритные параметры наилучшие!


Всегда можно запросить у поставщика несколько образцов, если это единичное изделие...мне удалось раздобыть 5 образцов 4кВ транзисторов. Максимальное время включения, которое удалось получить с ними было 15-20нс при включении на активную нагрузку 1500В, 20А...в затвор уже встроено сопротивление (или получено как паразитный параметр при производстве?)

Цитата(Vladimir_T @ Feb 11 2013, 18:49) *
Вы очень точно меня поняли: и про емкостной накопитель, и про управление трансфоррматорами. По два малогабаритных импульсных трансформатора на каждый IGBT меня не пугает. Частоту коммутации нужно не менее 20 кГц. Присмотрел у ON подходящие и доступные транзисторы. Про "хвосты" у IGBT я помню, уже были из-за них неприятности.
уду моделировать, должно получиться. Конечно, контролю за токами придаю особое значение, датчики Lem очень хвалят, буду пробовать. Платы, правда не очень быстро у нас делают.


Искал я наших производителей, но такая тех. поддерка плохая, и документации не добыть. Смотрел МТО и другие...


Использовал для последовательного соединения IGBT каскодную схему с низвокольтным транзистором в истоке. Так же дополнил ее цепью обратного смещения, что позволяет быстрее закрыть транзистор. Управление трансформаторное. Транзистор управлялся драйвером Low-level вроде MIC4452 или тех же IXYS IXDN409 (если не изменяет память)


--------------------
Качество - главный критерий.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vladimir_T
сообщение Feb 12 2013, 14:16
Сообщение #19


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 517
Регистрация: 7-02-06
Пользователь №: 14 073



Цитата(Dmitry_Ternovsky @ Feb 12 2013, 02:54) *
Использовал для последовательного соединения IGBT каскодную схему с низвокольтным транзистором в истоке. Так же дополнил ее цепью обратного смещения, что позволяет быстрее закрыть транзистор. Управление трансформаторное. Транзистор управлялся драйвером Low-level вроде MIC4452 или тех же IXYS IXDN409 (если не изменяет память)

Такая схема для меня приемлема. Скажите, а какая частота упрвления? Как вы ток контролируете? Режим работы долговременный?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Herz
сообщение Feb 12 2013, 16:34
Сообщение #20


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата(Dmitry_Ternovsky @ Feb 12 2013, 00:54) *
Использовал для последовательного соединения IGBT каскодную схему с низвокольтным транзистором в истоке. Так же дополнил ее цепью обратного смещения, что позволяет быстрее закрыть транзистор. Управление трансформаторное. Транзистор управлялся драйвером Low-level вроде MIC4452 или тех же IXYS IXDN409 (если не изменяет память)

Мне всегда было интересно, если первым закрывается низковольтный транзистор в каскоде, то как он выдерживает высокое напряжение?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MK2
сообщение Feb 12 2013, 17:08
Сообщение #21


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 202
Регистрация: 30-10-10
Пользователь №: 60 535



Цитата(Herz @ Feb 12 2013, 19:34) *
Мне всегда было интересно, если первым закрывается низковольтный транзистор в каскоде, то как он выдерживает высокое напряжение?

мне тоже...
а в итоге напряжение на низковольтовом транзисторе не поднимается выше чем напряжение на затворе верхнего (отрезанного от земли) ключа в случае MOSFET... в случае биполярного Uб - Uкб(открытого транзистора)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Herz
сообщение Feb 12 2013, 20:43
Сообщение #22


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата(MK2 @ Feb 12 2013, 19:08) *
мне тоже...
а в итоге напряжение на низковольтовом транзисторе не поднимается выше чем напряжение на затворе верхнего (отрезанного от земли) ключа в случае MOSFET... в случае биполярного Uб - Uкб(открытого транзистора)

Ну и что? У верхнего или плавающее питание драйвера затвора, или трансформаторное управление. Это ничем не помогает...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MK2
сообщение Feb 13 2013, 10:37
Сообщение #23


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 202
Регистрация: 30-10-10
Пользователь №: 60 535



Цитата(Herz @ Feb 12 2013, 23:43) *
Ну и что? У верхнего или плавающее питание драйвера затвора, или трансформаторное управление. Это ничем не помогает...

Посмотрите на схемы каскодов оно у них не плавающие и не через ТГР, а вполне нормальное и постоянное, как правило в затворе стоит большой конденсатор который притянут к плюсу питания через резистор ну и стабилитрон
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V  < 1 2
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 13th July 2025 - 22:28
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.0145 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016