Кто сталкивался с экстракцией параметров модели EEHEMT1 в IC-CAP, подскажите с определением сопротивления истока Rs, иначе "у меня слеза навернется"...
Так вот, в Preview DUT сетап ig_vgs подразумевает выдачу четырех значений тока затвора при постоянном нулевом токе стока:

Рекомендуется первое значение тока затвора выбрать из расчета IG_FWD_MAX=50e6*L*W=50e6*90nm*100um=45e-5A в моем случае. IG_FWD_MID=42.75e-5A - это 95% от IG_FWD_MAX, IG_FWD_MIN=40.613e-5 - 95% от IG_FWD_MID, IG_FWD_IV - как написано в хелпе, максимально возможный постоянный ток затвора. Первый вопрос - как правильно подобрать IG_FWD_IV, если пороговое напряжение транзистора примерно -4В (ниже передаточная и выходная характеристики), если по транзистору информации, помимо набора ВАХ и S-параметров, нет.

Если построить график крутизны gm_vg, максимум будет в точке 40 [мА/м^2] (в каких единицах измерения крутизна отображается на графике?), можно ли точку 40мА считать за IG_FWD_IV?

Насколько я понимаю, цель сетапа ig_vgs - найти напряжения VG_FWD_MAX/MID/MIN/IV, которые далее будут использоваться при экстракции паразитных параметров для так называемого cold_fet, а так же найти напряжения VG_GML_MAX/MIN, которые используются для экстракции Rs (Сопротивление истока ищется по методу, изложенному в Long Yang and Steven Long "New Method to Measure the Source and Drain Resistance of the GaAs MESFET" in IEEE Electron Device Letters. Vol EDL-7. No.2, February 1986).
После нажатия Execute update_ranges в сетапе ig_vgs, получаю следующие переменные:
VG_GML_MIN = 4.120
VG_GML_MAX = 4.320
VG_GML_RANGE = 0.2
VG_FWD_MAX =4.32
VG_FWD_MID =4.228
VG_FWD_MIN =4.138
VG_FWD_IV =0.85
Т.е. диапазон по напряжению затвора при экстракции Rs выбран от 4.12В до 4.32В. Радостно принимая этот диапазон в виду отсутствия предупреждающих сообщений IC-CAPа, перехожу к сетапу Yang_Long_Preview в DUT Source_Resistace. Получаю график:

Нажимаю на кнопку Execute inicialize и получаю сообщение: "Y&L Gate current levels are wrong. VGS_GML_MIN is not low enough to include ig_min." Лезу в текст программы экстракции для Yang_Long_Preview - в результате работы посчитаны токи, которые далее будут использоваться для построения графика vg_ig:
IDS_YL_MAX = 0.01
IDS_YL_MIN = 0.009
IGS_YL_MAX = 0.0002
IGS_YL_MIN = 2E-005
Ошибка возникает, если ig.m[0] > ig_min в тексте:


YL_IdIg_RATIO = 50. Пытаюсь считать: ig_max - по сути среднее значение измеренного вектора тока стока, деленное на 50. Для VDS_YL_MIN=0.25V ig_max примерно равен 14.3мА/50=0.286, для VDS_YL_MIN=0.1V ig_max примерно равен 5.7мА/50=0.114. ig_min = ig_max / 10.0=0.025 в первом случае и 0.0114 во втором.Теперь смотрю, чему равен измеренный ig.m[0] = 3.912320E-004. Действительно, ig.m[0] > ig_min. И как после этого жить дальше, какие токи использовать в DUT Preiew/ig_vgs?
Вообще, согласно вышеуказанной бумаге по опредлению Rs, примерно понятен следующий алгоритм:
1) Выбираем Vg таким, чтобы Ig был не меньше тока утечки утечки затвора транзистора. Я не знаю, какой ток утечки в реальности, пусть будет стандартное значение из самого IC-CAP - 50 nA. При этом получаю напряжение 0.07В:

2) Строим график IdVd для проверки его линейности в диапазоне от 0 до 0.4В. Выбираем на прямой, если она прямая, токи Id1 и Id2, причем меньший ток равен 10% большего. Требование - токи стока должны быть в 50 - 100 раз больше токов затвора.

В итоге токи стока оказались намного больше токов затвора (в несколько тысяч раз, а не в 100). Что я делаю не так?
Выберем на прямой ток Id1=0.01487A (например), тогда Id2=10%Id1=0.001487A.
3) Строим график IgVg для нахождения сдвига Vg между двумя прямыми при Id1 и Id2.

4) Считаем Rs = (Vg2 - Vg1)/(Id2-Id1) = (0.4149-0.4013)/(0.01487-0.001487)=1.016 Ом - результат вполне реальный. Но как соотнести эту процедуру нахождения Rs (описанную в документе IEEE) с той, что существует в IC-CAP? Все вместе как-то трудно мозгами охватить.

Так как, все же, выбрать в IC-CAP верные диапазоны?

Методика по IEEE:

Сообщение отредактировал Пацаев - Feb 14 2013, 13:05