Столкнулся со следущей проблемой - нужно создать достаточно большое хранилище данный(размер - 4 Гб). Одно из требований - радиационностойкость(поэтому Micron и Samsung не подходят). Сначала решил делать на SDRAM обычном - получаеться , что нужно 8 микросхем.В случае применения DDR SDRAM - только 4.Но как я понимаю контроллер памяти будет значительно сложнее + заморочки с Vref.Возникает вопрос - какое решение лучше?

Также есть второй вопрос - данные нужно периодически выдавать по интерфейсу LVDS со скоростью 40 Мбит/с.Внутри собираюсь использовать 51 контроллер.Есть ли смысл использовать DMA для передачи данных или же можно обойтись без него?

ПЛИС ориентировочно собираюсь использовать Actel RT3PE600L.

А чем тогда отличаются "обычные SDRAM" от SDRAM Micron?

Если радиационностойкое устройство, я бы заложил памяти с запасом и реализовал real-time исправление ошибок. Как то мне кажется ненадежно использовать SDRAM в радиационной обстановке.
И без DMA помоему тут никак.

Что вы имели ввиду под real-time исправление ошибок?Насчет стойкости это не совсем верно. В качестве примера вот http://www.maxwell.com/products/microelect.../space-memories



Не совсем корректно выразился. Я имел ввиду что собирался использовать SDRAM вместо DDR SDRAM.

даже rad-стойкие ЭРИ "плывут" со временем. так что касаемо памяти вам абсолютно правильно предлагают использовать real-time ECC в любом случае.
даже если в качестве "гарантий" вам обещают 3х-кратное резервирование блоков управления.
или вы в очереденой раз пытаетесь довериться маркетОЛУХАМ?

ECC не всегда помогает.
Для ответственных применений используют аппаратное резервирование с отключением отказавших блоков.
В зависимости от требований ко сроку службы и надежности, перекрытие по емкости может быть довольно большим.
И в ТЗ указывается размер хранилища в конце срока эксплуатации.