Здравствуйте, подсткажите на что обратить внимание при разработке цифровой топологии с учетом радиационной стойкости. Какие есть книги или статьи по теме и какие фабрики имеют необходмый дизайн кит, отвечающий требованиям радиационной стойкости. По ТУ рад. стойкость 2Ус.

А какова цель?

Вопрос насторожил? Или это производственное задание - ухо держать востро на этом форуме а может и на других.

Если ТС не интересует дело глубже курсовика (диплома), то какой смысл затевать очередную фундаментальную полемику по типу последней про "автопилоты ракет"?

Сразу видно выпускника "курсов вежливого общения с незнакомыми людьми".

Как-то так. +100

Цель: производственное задание. Опыта в этом направлении нет. Буду благодарен за любую полезную информацию, будь то список литерратуры или личный опыт. Интересны и фабрики как русские так и зарубежные.

http://en.wikipedia.org/wiki/Radiation_hardening

Начать можно отсюда. И вообще, видится что по причине некоторых особенностей применения, на выбор фабрики будет влиять область применения - толи это реакторы для Северной Кореи, толи совместная с NASA разработка космического телескопа. На вскидку я предвижу некоторые проблемы при размещении заказа системы управления детонаторами ядерной бомбы для Северной Кореи, на фабриках Samsung-а.

RH-огромный сектор микроэлектроники. Расписывать всё - нереально.
Зарубежные ФАБы такие технологии на сторону не предлагают. В РФ на каждом крупном заводе есть своя технология. Но, тоже с улицы зайти проблематично будет. RH SCL вы тоже вряд ли купите. Хотя, это повод для дискуссии
Если это у вас серьёзно, то видится единственный путь - заказать разработку в одном из КБ и по её ходу посмотреть как и что делается. Или "прислониться" к какому-нибудь сенсею с целью обучения и освоения.
Да, в книжках тоже очень мало конкретики, в основном теория, а не инженерные приемы и технологии конкретные.
Такова специфика, что бесплатно вы мало что сможете поиметь в этой области.

Если буквально 3 слова по теории, то:

Первая проблема связана с накоплением положительного заряда в области межкомпонентной изоляции, представляющей собой «толстый» диэлектрик, после поглощения больших доз ионизирующего излучения, что приводит к инверсии проводимости низколегированных р-областей и, следовательно, к появлению связи между областями n-типа, не предусмотренными электрической схемой.
Вторая проблема связана с возникновением эффекта «защёлкивания» микросхемы, вследствие срабатывания паразитного npnpn тиристора, составляющего собственно типовую КМОП структуру. Последнее происходит во время воздействия мощного импульса ионизирующего излучения, генерирующего большое количество электронно-дырочных пар в кремнии, инициирующих ток включения тиристора, что приводит его в состояние с низким сопротивлением. Если напряжение удержания паразитного тиристора ниже напряжения питания, работоспособность схемы не восстановится, а высокий ток включённого паразитного тиристора приведет к разрушению схемы.

Основные методы повышения стойкости:
1) технологические (использование КНИ, использование эпитаксиальных слоев, правильный подбор доз легирования)
2) конструктивный (использование кольцевых затворов, использование конструкций с разрывом в окисле)

Сообщение отредактировал TiNat - May 20 2013, 09:58

А Татарские не интересует?

Тогда уж Украинские порекомендую.

Прочитан некоторый обьем сатей касательно РС стойкости. В них
как основные методы указанны


Вопрос: имеются ли конструкторско-топологические методы при разработке топологии кристала, например при проектировке шин питания и т.д, или все сводится только к КНИ и топологии стандарт селов?

Целый вагон. Например, более качественная запитка подложки и карманов непосредственно вокруг транзистора. Отказ от больших карманов. Снижение сквозных токов.
А КНИ нужен только для больших импульсов излучений. Для прерывания больших фототоков по подложке и карманам.
Это не частое требование. Для весьма специфических случаев.
Причем, тут иногда есть подвох. Некоторые называют КНИ, исходя из своих соображений. А в реале просто делают бутерброд из сплошной кремниевой подложки на изоляторе, без создания "островков" для структур.

вот например

http://www.aeroflex.com/ams/pagesproduct/p...hirel-asics.cfm

я у них по этой теме ничего не делал, ну а в других вопросах, где сталкивался - контора годная

-----------

тут какие-то документы есть

http://www.atmel.com/products/other/space_...x?tab=documents

Для цифровых проектов засад нет, делайте по маршруту проектирования. Получить стойкий дизайн кит зарубежной фабрики почти не реально, там можно делать, если есть своя библиотека. В России есть линейки КНИ, качество изделий не плохое (сам делал).