|
|
  |
Вопросы по HFSS |
|
|
|
Jun 20 2013, 15:15
|

Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 218
Регистрация: 14-11-06
Из: Н. Новгород
Пользователь №: 22 312

|
Думаю, вряд ли Вы найдете что-то более полное. Даже на СВЧ-диэлектрики основные параметры нормируются, как правило, на частоте 1 МГЦ. Хотя на рабочих частотах они значительно отличаются. По сути, Ваш вопрос - задача отдельной НИР, если ее кто-то проводил (может и проводил при разраборотке материала, но найти ее результаты...).
--------------------
Все не могут только сеять разумное, доброе, вечное: кому-то надо и пахать! Природа не терпит пустоты: там, где люди не знают правды, они заполняют пробелы домыслом. © Бернард Шоу
|
|
|
|
|
Jul 11 2013, 08:28
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 32
Регистрация: 26-02-10
Пользователь №: 55 685

|
Посдкажите. Свипирую по частоте интерполяцией селективную поверхность, частота стоит верхняя в настройках, сотвественно адаптивные проходы оптимизируют сетку в участках сильного изменния поля, но на интересующем меня отрезке резонанса поле совсем по другому распеделено, соответсвенно много ресурсов уходит зря, да и результаты не важные. Как можно бы выйти из ситуации? Пробовал весь бокс крошить на маленькие элементы нулевого порядка, но, во-первых, проблема не исчезает по сути, а во-вторых, свипирование куда дольше идет.
|
|
|
|
|
Jul 11 2013, 10:08
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 92
Регистрация: 14-09-05
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 8 567

|
Цитата(setur @ Jul 11 2013, 12:28)  ... Как можно бы выйти из ситуации? ... Попробуйте сделать несколько Setup`ов с настройками частот адаптивного уплотнения Fmesh[i], близких к резонансным частотам Fо[i]. И на под-диапазоны разбейте всю полосу в соответствующих Sweep`ах. Для экономии времени при построении сетки, и в дальнейшем в расчете, сделайте сетки зависимые, т.е. Setup[1]<->Fmesh[1] на частоте наиболее низкого-частотного резонанса Fo[1] строится основная сетка, и далее они передаются в другой Setup (например, Fmesh[2]) по ссылке 'Setup Link'. Далее последовательно сетка будет передается по ссылке через все Setup`ы, от меньших к большим частотам Fmesh[2] -> Fmesh[3], ... . Для резонансных структур рекомендуют критерий сходимости контролировать по обратными потерям (Return Loss) или по вносимым потерям (Insertion Loss), т.е. для FSS лучше задать качество сходимости непосредственно по dB[S11] (или dB[S12]) непосредственно в Setup`е. Однако, это работает если есть порты (т.к. надо выполнить экстракцию S-параметров). Поэтому FSS-проект сделайте с портами Флоке. Если у вас конструкция металло-диэлектрическая, в настройках на адаптивное уплотнение 'Do Lambda Refinement' (вкладка 'Options' в 'Setup') отключите опцию 'Use Free Space Lambda'. Можно задать качество уплотненной сетки в поле 'Adaptive Options' по гарантированным сходящимся проходам (позиция Min. Number of Passes/Min. Converged of Passes).
|
|
|
|
|
Jul 19 2013, 07:37
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 735
Регистрация: 11-10-11
Пользователь №: 67 667

|
Господа-товарищи! Кто знает, как в калькляторе извлечь комплексную компоненту поля, нормальную заданной линии, лежащую в заданной плоскости? А именно, есть кривой волновод в плоскости XY. Внутри волновода посередине вписана необъектная кривая. График поля  построить запросто, т.к. есть фича ScalZ. Но оно малоинформативно в конкретной задаче. А вот как построить  , не экспортируя таблицу векторов по пространству в матлаб - не представляю. И еще вопросик. Как в HFSS узнать поляризацию, лево, право, эллиптичность, для луча направленной антенны? Эллиптичность, вроде, через max(AntennaGain) по углу Phi в дальнем поле можно угадать. А как с вращением?
Сообщение отредактировал Hale - Jul 19 2013, 07:33
|
|
|
|
|
Aug 3 2013, 11:19
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 361
Регистрация: 23-03-07
Пользователь №: 26 457

|
Здравствуйте! Подскажите как бы вы выполнили топологию? Слева разъем, далее компланарная линиия без земли снизу заканчивающаяся двумя парлельными резисторами по 100 Ом. С этой частью проблем нет, КСВН хороше. А вот далее нужно разместить последовательнй резистор и диод. Я никак не могу понять как выполнить землю для последовательного резистора, при условии, что нет земли снизу. Ранее делал конструкцию на микрополосках с землей снизу, все получилось хорошо. Помогите советом? Может есть какие то ограгичения на длинну резистора? Топология размещается на поликоре в цилинде 7 мм. Спасибо. фото http://files.mail.ru/3F58F0667457488CA7D305AA99937C11?t=1
Сообщение отредактировал messenger - Aug 3 2013, 16:35
|
|
|
|
|
Aug 7 2013, 22:41
|
Профессионал
     
Группа: Модератор FTP
Сообщений: 2 111
Регистрация: 29-12-05
Пользователь №: 12 684

|
Цитата(messenger @ Aug 7 2013, 21:41)  нужели все в отпуске) да нет, не все.  просто непонятно всё. гле диод, и зачем последовательному резистору земля? покажите рабочий микрополосковый вариант.
|
|
|
|
|
Aug 8 2013, 05:49
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 361
Регистрация: 23-03-07
Пользователь №: 26 457

|
Первая рабочая модель на микрополосковой линии. Земляной полигон соответственно на противоположной стороне платы. Подключение к коаксиальной линии производится с использованием КМПП «внахлестку». Есть определенные трудности в согласовании и т.д., поэтому от нее решили отказаться. В конструкции 2 линии компланарная без земли на противоположной стороне. Плата размещается в полом цилиндре с внутренним диаметром 7 мм. После параллельных резисторов (два по 100 ом = 50) следует последовательный. Не могу понять, как выполнить топологию, для выполнения условий распространения эл. волн. В примере земля просто отсутствует. Диод устанавливается одним контактом к резистору, другим через конструктивный конденсатор на землю. http://files.mail.ru/C9BA704999054EBDA86C387016BBBF48?t=1
Сообщение отредактировал messenger - Aug 8 2013, 06:00
|
|
|
|
|
  |
20 чел. читают эту тему (гостей: 20, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|