Вы об ООС по переменному току ?

Ага

Просто в том же "ХХ" рассматривается только вариант с ООС по постоянному току. Для получения ООС по переменному току можно убрать конденсатор в эмиттерной цепи, но почему-то Х и Х этого нигде не делают ...

Все там делают. Есть даже раздел именно про искажения большого сигнала в схеме с ОЭ без ООС по переменному сигналу, показывается, что они будут большие и почему. Резистор в эмиттер там тоже ставят, если нужно. Но общий подход - не выжимать все из одного транзистора, а на нескольких сделать грамотную схему. Там два полезных раздела по теме - про биполярный транзистор и про ВЧ-схемы.

Вообще-то если хорошо подумать, h21э не так уж и влияет на общий Кус. С одной стороны коллекторный ток пропорционален ему, а вот базовый -наоборот Чем больше коэф.передачи транзистора, тем больше приведенное ко входу сопротивление эмиттера (т.к оно умножается на h21э и преобладает над базовым сопротивлением), а значит меньше входной ток. Соответственно меньше и выходной ток. Отсюда следует, что Кус транзистора по схеме ОЭ почти не зависит от h21э.

А про мой пост с уровнем модели транзистора 1 или 27 кто нибудь может ответить? быть может на данном транзисторе вообще нельзя собрать усилитель с ОЭ для 10,7 МГц при питании 3,3 и выходном сопротивлении 50 Ом. Пересчитал схему (промоделировал с транзистором 2ого уровня а не первого) коэф передачи получается всего 9 дБ, при том что токи и сопротивления вроде правельные по отношению друг от друга. ток Rк порядка 20 мА в то время как ток делителя 2 мА, само Rк=50Ом Rэ = 5 ом.

Я не спец по MicroCap'у, и что кроется за понятием "модель транзистора LEVEL=2" не знаю. Но результаты говорят сами за себя.


И такое нельзя исключать. Кстати, 9дБ - это расчетное или реальное значение Кус? А вообще не зря тут уже толковали про несколько каскадов усиления. Для начала я бы попробовал простейшую классическую комбинацию: каскад ОЭ - каскад ОК (он же эмиттерный повторитель). В вашем случае с 50 Ом нагрузкой это просто само напрашивается. ОЭ даст вам хорошее усиление, а эмиттерный повторитель создаст для него (1-го каскада) вольготные условия по нагрузке, ну и конечную нагрузку хорошо обслужит.


А что сейчас за картинка/схема получается? В том смысле, что:
1) ООС у вас по-прежнему только по постоянному току, или уже по переменному?
2) Ik = 20 mA; => Ib = Ik/h21э = 20/50 = 0.4 mA? Это так? Т.е. что при Idel = 2 mA не совсем разница на порядок, но для фиксированной комнатной температуры и для "просто попробовать" сойдет.

в моделях первого уровня не учитываются эффекты например как толщина подложки у МОП транзисторов и т.д. а вот что у БП я не знаю. на при усновке расчета первого уровня для моей схемы Кус=25, а когда ставлю 2 уровень он падает до 9 , вот я и думаю может это больше к реальному подходит.


9 дБ это не сейчас выдает АЧХ микрокап

Уменьшено РґРѕ 85% 1091 x 815 (132.18 килобайт)

на счет каскадов. задача стоит сделать только на одном транзисторе именно на этом

схема осталась той же

Уменьшено РґРѕ 84% 1075 x 843 (49.95 килобайт)

после смены модель транзистора на 2ой уровень h21 стал равняться 215, и выше переведенный вами расчет ток базы по моему не выполняется.
на схеме видны токи и напряжения, на временной диаграмме входной сигнал в 100 uA на выходе 300 uA. напоминаю интересует схема именно на одном транзисторе.

А параметры для модели 2 уровня где брали?

изменяются не параметры как я понимаю - а метод рассчета. в микрокап есть графа - там выбираешь уровень - 1 или 2 и все само меняется , появляется еще куча всяких параметров. Например если в первом уровне не учитываются емкости переходов транзистора то во втором учитываются (это только пример - вот мне и не понятно так ли это)

ну дык улучшайте её.
Вместо коллекторного резистора поставьте LC контур на частоту 10,7 Мгц , это ж у вас узкополосный усилитель, имеете право повысить КПД и Gain за счет исключения потерь на коллекторном резисторе. условие ОЭ и единственный транзистор при этом выполняется.

Выход реального генератора у вас не 0 Ом а скорее всего 50 или больше плюс индуктивность проводов, которые судя по фото весьма странные на макетке. Это существенно снижает реальное усиление по сравнению с моделируемым.

Сообщение отредактировал тау - Jul 26 2013, 07:49

Кто ж резисторы в коллектор ставит при проблеме с питанием? Пока рисовал, тау опередил. Выходное ИМХО сопротивление ~Uкэ/Iк. При достаточно большом дросселе. У Оркада ЕМНИП 3 level спайс моделей. Типа еще круче. Кгм, у Вас при токе коллектора 20мА Uэб больше Вольта? Прикольная модель.



Сообщение отредактировал Herz - Jul 26 2013, 08:32

а входное сопротивление у вас получилось равно Rdel умножить на rтранзистора вх? Rdel=168 Ом а вот как посчитать входное сопротивление транзистора?
rвх=h21*Rэ ?? какой у вас там h21э?

ЕМНИП rвх=rб+(h21+1)(Rэ+rэ). По-хорошему надо бы учесть и 430пФ в параллель 4.3Ом, но он за 30 Ом на 10МГц. Здесь пренебрегать rэ уже нельзя, но все равно входное сопротивление транзистора на такой низкой частоте при h21>=100 (у них реальная Ft под 800МГц) получается значительно больше сопротивления делителя, с которым оно включено в параллель. Обычно делителем и согласовывали (по-колхозному) или вообще не заморачивались. На высоких частотах - там серьезнее - там уже делали согласование с помощью ФНЧ прототипов. Чтобы при плохой разнице h21 - h12 не загудел.
Добавлено, хотя по честному, наверное надо брать h21э~25. В модели Оркада для 50мА 27С rб=8.9Ом, rэ=0.04 Ом. Посмотрел в разных моделях в Сети rб бывает до 50 Ом, rэ до 0.4Ом

Сообщение отредактировал ledum - Jul 26 2013, 09:54

Много понаписали, и большей частью не по делу.
На переменном токе коэффициент усиления каскада с общим эмиттером не может быть больше rc/re. Сопротивление эмиттера (re) равно 26 мВ/Ic. Сопротивление в коллекторной цепи - это сопротивление параллельно включенных коллекторного резистора (50 Ом), нагрузки (50 Ом) и тела коллектора (ориентировочно в таком каскаде около килооома). Таким образом, для требуемого коэффициента усиления в 7,1 ток коллектора не может быть меньше 7,4 мА. Поскольку схема достаточно высокочастотная и влияним паразитных параметров пренебречь нельзя, да и влияние входной цепи тоже следует учесть, смело умножим полученное значение на 2. У автора ток коллектора (в модели) около 22 мА, подойдет. Транзистор выбран не самый подходящий. Он предназначен для применения в импульсных схемах, соответственно справочные данные не содержат информации (графиков) о зависимости модуля коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер. Кроме того, он достаточно высоковольтный, и его высокочастотные параметры при напряжении коллектор-эмиттер в единицы вольт вряд ли очень хороши. Хотя по граничной частоте (около 300 МГц) вполне подходит, и нужное усиление, может быть при напряжении питания не в 3,3 В, а в 10 В, вполне достижимо. Но лучше подыскать подходящий радиочастотный транзистор.
При таких частотах монтаж уже следует выполнять с максимально короткими выводами деталей, наличие блокирующего конденсатора по питанию обязательно, в противном случае провода питания играют роль дросселей, которые могут испортить картину совершенно, о чем Микрокап не знает. Ну и измерения следует делать соответствующим инструментом, не забывая, что схема высокочастотная.
При моделировании следует использовать модель конкретно транзистора 2N2222А, а не какого-то виртуального транзистора неизвестного никому уровня. Да и в этом случае абсолютно доверять результатам моделирования нельзя, хотя бы потому, что высокочастотные параметры модели транзистора будут определены для режимов, описанных в справочных данных. Для 2N2222A, к примеру граничная частота нормирована при напряжении коллектор-эмиттер 10 В, а никак не 1,5-2 В.