Та что апноуты IRF ?

Да, там старенькие AN/DT/TP

В основном я это все видел...ответов на мои вопросы в явном виде не нашел....В жизни все равно все знать не возможно....Я в одних темах разбираюсь, кто-то в других. В данном случае не хочется ставить перед собой задачу стать специалистом в силовой электронике. Я прекрасно понимаю, что в этом вопросе очень много подводных камней, несмотря на кажущуюся простоту схем, поэтому и спрашиваю на этом и на других форумах. Силовая техника ошибок не прощает, и бегать в магазин за пачками драйверов и транзюков, диодов у меня нет возможности. А чтобы нормально провести опыты, надо хотя бы от какой-то схемы отталкиваться и дальше ее обкатывать уже...Вот я и пытаюсь выяснить начальную схему хотя бы...потому-что в даташите на драйвер схема реально НЕ РАБОЧАЯ!

Вот например из апноутов их беру картинку и чего? в моем случае бустрепный кондер заряжается по другому...резистор по сути как понимаю так и вообще не нужен, поскольку заряд протекает по другому. А в остальных схемах так и вообще нет ни диода этого ни резистора и чего дальше? А что-то типа TVS диодов в затворах так и вообще нигде там не видел. Так же как и упоминаний о том что паралельно транзисторам надо ставить защитные диоды ( я не шотки и не ультрафасты имею в виду это само собой...) ни одной схемы или упоминания о том что можно запитать верхний каскад от отдельного гальванически развязаного источника...в одних схемах они рисуют пару элементов, в других других пару...но нет ни одной реально законченой схемы)))) Наверно там можно почерпнуть полезные вещи, но только в том случае если уже реально шаришь в этом...

Сообщение отредактировал egori4 - Oct 3 2013, 17:55

Если честно не очень согласен с этим...например IRFP4668PbF в импульсе держит очень приличный ток, поэтому если драйвер оставит его открытым и пойдет сквозняк, есть вариант что сработает защита по току, также если посидеть подумать скорей всего можно считывать напряжение в средней точке и перед открытием второго в паре транзистора проверять это самое состояние, а чтобы не было тормозов, попросту завести на логику ПЛИС, с которой идет управление ключами и шим.

Сработает. И что? Ключ кто закрывать будет?

питание на драйвера пересбросить и все...а вообще естественно надо избежать этого....но надо и предусмотреть что такое возможно, просто в первом случае надо пересбрасывать питание и например увеличить номинал резистора в затворе. А во втором случае надо идти и покупать замену, а потом все тоже самое проделывать.

В конечном варианте конечно никакие защелкивания не допустимы...но и сделать с первого раза этот самый конечный вариант врядли получится, разве что затягивать переключения, делать все с большим запасом.

Сейчас речь идет по сути об опытном образце, но его желательно максимально приблизить к конечному! И в первую очередь надо определиться со схемой и номиналами элементов. Следующем этапом продумать как это все расположить с учетом минимизации паразитных вещей и возможности хорошо отводить тепло при этом. Затем изготовить и подгонять под требуемые результаты. Вообще есть на форуме человек который реально использовал подобные драйвера в реальных схемах работы на индуктивную нагрузку с большими токами? Очень хочется глянуть на схемотехнику....

Вот то что ссылкой давал http://www.avislab.com/blog/ir2101/
Еще бы если б автор еще и описал почему так происходит и рекомендации по подбору элементов, то вообще супер было бы...
К примеру R1, R2 берем не меньше чем способен дать тока драйвер R=Uпит/Iмакс. драйвера. Но и не больше....чтобы не было слишком резкого dI/dt которое повлечет за собой....
Также если его взять слишком большим, то при большом dU/dt возрастает вероятность самопроизвольного открытия транзистора.
Конденсатор бустрепный расчитываем так-то так-то (взято из апноута IRF) если взять с запасом -ничего страшного (в случае питания от Dc-dc), т.е. смело ставьте например 50 мкф и можете не заморачиваться с расчетами.
Диод применяйте ультрафаст, потому что ......
ну и т.д.

Ну и по расположению элементов небольшие рекомендации...типа если ставите бусинку то максимально близко к затвору, не забудьте разнести земли ....и т.д. Если человек в этом всем разбирается и имел практической опыт реализации всего что пишет- ни чего сложного нет в том чтобы расписать такие вещи.

Сообщение отредактировал egori4 - Oct 3 2013, 20:23

Вы вообще не вникли в предназначение этого резистора !
рано вам ещё в силу лезть...
http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-6076.pdf


http://fotkidepo.ru/?id=photo:872475
http://fotkidepo.ru/?id=photo:850057


беда приходит не от этого...


только пока никому не удавалось...

Сообщение отредактировал НЕХ - Oct 3 2013, 20:31

За документ спасибо! сейчас спать уже пойду, завтра повникаю...
Схемотехника, не в смысле фотки как выглядит плата, а принципиальные схемы...

А вообще было бы супер сказать на словах по человечески, чтобы понятно было и покрепить это все фактами)))) например таким документом, приктаческой реализацией, осцилограммами и т.п. )))))

Смотрю...столько тем с этим вопросом...Почему бы один раз не помощь и не выложить пояснения...
http://electronix.ru/forum/index.php?showt...112535&st=0
http://electronix.ru/forum/index.php?showt...110443&st=0
http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=112535
И на других форумах тоже...

В общем, как я понял...При работе полумоста на индуктивную нагрузку, при закрытие верхнего транзистора, ток из-за индуктивности продолжает течь через диод нижнего ключа, при этом получается, что точка между двумя транзисторамит (в дальшейшем точка выхода на фазу) имеет потенциал ниже земли и при этом если отсутствует резистор R3 в самой первой схеме этой темы, то напряжение на ножке Vs становиться ниже напряжения на ножке Com драйвера микросхемы. Этому способствует также паразитная индуктивность между транзисторами. При этом в зависимости от разницы этого напряжения возникают последствия. Таким образом R3 обязателен для "развязки" точки между точкой выхода на фазу и ножки Vs, а наличие диода D1 примерно гарантирует, что напряжение на Vs не будет ниже Com на величину напряжения падения на диоде D1. Таким образом с одной стороны желатьльно поставить R3 номиналом побольше, чтобы уменьшить ток через него при опускании точки выхода на фазу ниже нуля, а с другой стороны надо понимать, что через него течет также ток при закрытии верхнего транзистора при разрядке паразитных емкостей, и чем больше номинал R3, тем медленней будет закрытие транзистора!!!!!
Это мое личное понимание вопроса.

Сообщение отредактировал egori4 - Oct 5 2013, 11:54

Я не обратил внимания на то, что токи у Вас 50-150 ампер. Это автоматически означает, что использовать полумостовые драйвера на технологии IR нежелательно, потому что опто* рулят.

А какие опто посоветуете?
И такой вопрос -на каждый mosfet свой оптодрайвер ставить надо, или можно на выходе с оптодрайвера некий усилитель по току собрать и паралельно запитать несколько mosfet?

Сообщение отредактировал egori4 - Oct 5 2013, 14:03

Не опто- тоже вариант:

http://www.silabs.com/products/power/isola...technology.aspx