Добрый день. Помогите, пожалуйста, довести до ума схемы на MOSFET, возможно исправить ошибки.
Схемы работают в борт. сети авто.
Rload в схемах - лампы накаливания 12В с проводами 2-3м. Нагрузка может быть в 2-х каналах сразу или в одном из каналов. По первой схеме особых вопросов нет, разве что нужны ли подтягивающие затвор резисторы и стабилитроны для защиты З-И от перенапряжения? Еще есть небольшие пиковые выбросы на затворах, порядка 2-3В. Их никак не удается убрать, кроме как уменьшить путем увеличения сопротивления затворных резисторов, но не боле 100Ом, т.к начинают затягиваться фронты или увеличением емкости С9, С10, но увеличивать до бесконечности не дает конструктив. Какие еще более-менее простые меры можно принять для того чтобы избавиться от этих выбросов и увеличить надежность схемы?




На полную правильность второй схемы тоже не претендую, т.к. по причине небольшого опыта работы с MOSFET она была честно передрана из какого-то заграничного источника и подкорректирована под свои цели. В частности был добавлен DC-DC на 24В для возможности использования в качестве верхних ключей n-MOSFET. С этой схемой есть одна неприятная проблема. Периодически выходит из строя один из VT11, VT12. Сопротивление И-С становится порядка 10-12Ом и транзистор плавит все вокруг, причем все компоненты в затворных цепях и второй транзистор целые. Один из транзисторов может выйти из строя сразу после включения или проработать неделю, месяц, а потом сгорает. Подскажите, пожалуйста, физику процесса выхода из строя MOSFET в данной схеме и как это можно предотвратить и увеличить надежнось схемы?



Схемы собраны на печатных платах, самая большая длина затворных проводников не больше 25мм, ширина 0.5мм. Все компоненты смд, кроме MOSFET. Силовые проводники длиной не более 30мм, шириной 4-5мм.

Спасибо всем откликнувшимся.

В понедельник обязательно все предложенные варианты попробую.

Plain' date
ГОСТ 28751-90

Посмотрел...ГОСТ 28751-90
Как сказал поэт:

- Если правда оно
- Ну, хотя бы на треть,
- Остается одно: Только лечь помереть!

Тогда только реле...
Для желающих ознакомиться с ГОСТ 28751-90:

http://vsegost.com/Catalog/38/38601.shtml

Я уже ознакомился раньше. Никого не хочу обидеть, но как по мне, этот ГОСТ только познавательную ценность имеет в моем случае.

у вас уникальный автомобиль? даже у буржуев есть точно такой гост, называется исо 7637.

Не уникальный.

Индуктивность щупа непричем. Только та индуктивность влияет, через которую ток течет.
Сам долго не понимал природу индуктивных выбросов, поэтому полагаю, что есть здесь неочевидные вещи.
Природа индуктивных выбросов:
1. Транзистор открыт и ток растет по формуле I= U*t/L линейно если нет резисторов в цепи или по отрицательной эцспоненте, асимптотически приближающейся к U/R.
В результате энергия магнитного поля W=L*I^2/2.

2. При разрыве цепи (закрылся транзистор) индуктивность и емкость монтажа создают колебательный контур, в котором начинает звенеть на его частоте энергия W. Благодаря сопротивлению с каждой осцилляцией часть энергии перейдет в тепло и все затухнет.

Амплитуду первого выброса можно посчитать (пренебрегая сопротивлением) приравняв энергию конденсатора и индуктивности. C*U^2 = L*I^2
Из формулы видно, что увеличивая емкость, можно добиться снижения амплитуды выброса.

Однако есть методы и получше. В телевизионной технике энергию выброса использовали для повышения напряжения питания выходного каскада строчной развертки (посмотрите, что такое flyback), А при управлении соленоидами, параллельно катушке ставится быстродействующий диод в обратном включении. При размыкании транзисторного ключа, ток, накопленный в катушке через диод продолжает течь в том же направлении постепенно затухая.

Какие проблемы от выбросов? Если с ними не бороться, то положительный выброс через время полупериода колебания колебательного контура станет отрицательным, чего ни биполярные, ни полевые транзисторы не любят (горят).

С каждым ответом все меньше соображаю что делать, схема растет как снежный ком. Первое что приходит это перетрясти топологию платы для схемы 1, т.к. транзисторы горели в схеме 2, где не было выбросов, а следовательно топология была относительно правильной и в нее остается только добавить ограничение напряжения на мосфет и пересмотреть уровни ограничения на затворах, а в схеме 1 потом обвешать все снабберными цепочками, И-С мосфета, затвор, выходные транзисторы драйвера и т.д.

THE SECRET WORLD OF OSCILLOSCOPE PROBES

Ставить защитные диоды



В смысле изкажения измерений если только. Я решил. что на измеряемом конце. Да вы правы, щуп может искажать картину.

Желательно конечно определиться, откуда к мосфетам подкрадывается белый пушистый зверёк - с затвора или со стока?
Скажите, а при сгорании транзистора преобразователь на 33063 оставался цел?
Он вообще где расположен - на одной плате с транзисторами?

Все остается целым кроме одного из мосфетов. Все расположено на одной плате. В схеме 2 действительно трудно сказать откуда подкрадывается, мог и со стока, т.к. параллельно И-С нет ограничителя, а мог и к затвору, т.к. стабилитрон обыкновенный, а не двуханодный.

Так обычный стабилитрон в другую сторону как диод работает и ограничит напряжение на 0.6 вольт.

Это если на затворе есть напряжение уже, а если VT5 (сх.2) закрыт, то с истока на затвор, через стабилитрон приходит полное напряжение помехи или что там прийдет. Да наверно даже и открытый VT5 не поможет, затворные диоды подпираются через стабилитрон напряжением с истока и на затворе все равно напряжение завышено получается. В симуляторе сейчас проверил. А еще если напряжение помехи на истоке положительное и больше напряжения бортсети, то напряжение на мосфет становится обратной полярности и открывается встроенный обратный диод. Возможно это он все портит?

насколько я понимаю вопрос напряжение между подложкой и затвором должно быть ограничено защитой. Подложка соединена с затвором и если между ними 0.6 вольт, то пофиг какая помеха и как изменила потенциал истока.

Если есть встроеный обратный диод, то он как раз защищает. Он включен между стоком и истоком? Если да, то не надо ставить быстродействующих диодов параллельно каналу.

Какое напряжение отсечки у реальных транзисторов? я подумал и понял, что неодинаковость напряжений отсечки у полевиков некритична при крутом фронте открывания/закрывания, однако при пологом транзистор с меньшей отсечкой перегружается. Пометьте транзисторы номерами. Измерьте и запишите напряжения отсечки транзисторов перед установкой, а когда один сгорит, то не будет ли это тот у которого оно ниже?

----------------------

Ещё пара вопросов.
1.Почему преобразователь запитан не через диод?
Ведь при обратном выбросе в сети ёмкость С8 будет просто моментально разряжена.
2.Какой номинал у С10?