Интуиция подсказывает, больше сказать не могу.

Тогда попробую помочь Вашей интуиции.
В DDS есть аккумулятор фазы и в PDS есть нечто подобное. С его помощью формируется некий процесс, который в DDS преобразовывается ЦАП-ом в синус, и на этом дело заканчивается. Частота на выходе DDS, при более или менее приемлемом спектре, много ниже тактовой. Чтобы её поднять, включают DDS в качестве ДДПКД в систему ФАПЧ. Это как бы второй приём для формирования сетки частот. В PDS сетка формируется в один приём, есть только петля ФАПЧ, и управляющий сигнал с ЦАП подаётся на ГУН. Можно согласиться, что некоторое сходство есть. А главное отличие в том, что в PDS используется расщепитель фазы. Из-за этого при одинаковых диапазонах частот спектр у PDS несравненно чище, чем у системы DDS+ФАПЧ.

Vitaly_K, железки нет, поэтому PDS остается несравненной системой. Ничем не могу возразить.

Конечно же, Вы правы, и ничего другого от Вас не ожидал. Я так излагаю, потому что уверен в этом. А право сомневаться есть у каждого.

Встречались ли кому статьи/литература по сравнению уровня фазового шума выходного сигнала источника СВЧ колебаний, изготовленного в виде монолитной ИС (аналоговый автогенератор, быть может) по различным техпроцессам? В идеале одна и та же схема (желательно как можно проще) и топология в кремнии, арсениде галлия, нитриде галлия, кремний-германии. Глобально хотелось бы понять связь"фазовый шум - технология", фазовый шум - конструкция прибора (биполярный, биполярный с гетеропереходом, МОПТ, HEMT, ПТШ).

Я так понимаю, ГУН - один из основных элементов СВЧ синтезатора. Фазовый шум ГУН определяется добротностью элементов, которые обычно являются внешними по отношению к кристаллу. Может, поэтому никто не отвечает на вопрос, я его не в той теме задаю?

Вы про это http://scholarcommons.usf.edu/cgi/viewcont...amp;context=etd ? рис. 4.6. Но это только часть. Погуглите leeson formula phase noise

Сообщение отредактировал ledum - Dec 5 2013, 10:18

Cамом интересно было бы найти такой обзор. Только боюсь, нереально. Максимум таблицы с достигнутыми параметрами с указанием технологий. Проблема в том, что под каждую технологию нужна глубокая оптимизация конструкции в соответствии с достижениями этой технологии. Поэтому более новые технологии могут проигрывать старым, т.к у старых все параметры уже известны.
Максимум- графики достигнутых ФШ в координатах например ФШ-частота или ФШ-годы разработки с цветными звездочками для обозначения технологий.


Дык работать не будет. С кремния на нитрид топологию перенести нельзя- другие свойства подложки. Не говоря о полностью разных частотных диапазонах.

Спасибо за хорошую статью. Есть еще предположение, неоднократно подтвержденное разными источниками, что технология InGaP HBT имеет шумы на уровне SiGe HBT, или даже просто Si. Не попадалось сравнение? Взять хотя бы Hittite HMC606LC5, или ГУНы ведущих производителей (TriQuint, RFMD, MACOM, Hittite, Analog Devices в перспективе и др.), или АЦП в топовых осциллографах Agilent.

Так ведь фазовые шумы ГУНа наиболее актуальны прежде всего для узкополосных ФАПЧ, где ФШ синтезатора главным определяются по ГУНу, а так как они имеют наглость свойство резко расти с ростом температуры, ГУН выбирается с большим запасом по ФШ к требованиям, поэтому интегральный никак не применим. В широкополосных же ФАПЧ ФШ большинства ГУНов, даже интегральных, в большинстве случаев уже удовлетворяют выбранным приложениям, поэтому в последнее время акценты сместились в сторону ФШ самой микросхемы ФАПЧ или самого ФД. Hittite не дадут соврать.

Для меня же использование встроенного ГУНа вызывает большое сомнение прежде всего в плане высокого уровня ПСС (Щас посыплются тапки: "Опять ты со своими ПСС!" ), поэтому является пмсм моветоном... ...Но тут уже Hittite со мною несогласны!

Еще одно сравнение: Differencial oscillators. Так же есть работа, в которой утверждают, что ГУН, сделанный по технологии GaN на SiC по фазовому шуму мало отличается от того же ГУН, сделанного по тех-ии GaN на Si. (High Power and Low Phase Noise MMIC VCO Using 0.35 µm GaN-on-Si HEMT, Hsuan-ling Kao, Bo-Wen Wang, Chih-Sheng Yeh, Cheng-Lin Cho, Bai-Hong Wei, and Hsien-Chin Chiu ).

Сообщение отредактировал Пацаев - Dec 7 2013, 10:55

Немного запоздал с ответом. Здесь можно
http://www.youtube.com/watch?v=UNrFFrm61uM...eature=youtu.be

На таких шумах говорить о технологии бессмысленно ИМХО.

Не просветите, в каких целях в природе используются синтезаторы с максимально высокими характеристиками, вроде тех что обсуждаются в этой теме?

Не понял, кто и зачем убрал моё сообщение? Оно касалось построения ЦАП. Кто-то решил, что оно не по теме форума?



добавлено l1l1l1:

перенёс сюда схема ЦАП с двумя информационными входами
в надежде, что там ваше сообщение увидит больше специалистов по этоиу вопросу - по ЦАП.