реклама на сайте
подробности

 
 
3 страниц V  < 1 2 3  
Reply to this topicStart new topic
> Проблемы работы МОП транзистора в неоптимальных режимах
MePavel
сообщение Jun 27 2014, 10:53
Сообщение #31


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150



Цитата(Stefan1 @ Jun 27 2014, 12:21) *
Вы сталкивались с зарубежными работами на данную тему? Мне почему то не попадались такие статьи, обычно кристалл представляют в виде диэлектрического блока и все.

Логично, ведь кристалл моделируют отдельно.

Цитата(Stefan1 @ Jun 27 2014, 12:21) *
Вы имеете ввиду load pull анализ?

Да.
Цитата(Stefan1 @ Jun 27 2014, 12:21) *
В цепях от транзистора до трансформатора обычно есть потери (может это особенности нашей оснастки), и у нас нет автоматических тюнеров импеданса.

Потери в оснастке можно измерить с помощью VNA.
Цитата(Stefan1 @ Jun 27 2014, 12:21) *
А что за методы активной нагрузки?

Можете поискать на тему Active Load Pull. Но для транзисторов большой мощности такой метод может быть достаточно дорог.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Stefan1
сообщение Jun 27 2014, 11:20
Сообщение #32


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 414
Регистрация: 7-04-11
Из: Москва
Пользователь №: 64 187



Цитата(MePavel @ Jun 27 2014, 13:53) *
Логично, ведь кристалл моделируют отдельно.

Вы имеете ввиду расчет кристалла в программе Sentarius TCAD?

Цитата(MePavel @ Jun 27 2014, 13:53) *
Можете поискать на тему Active Load Pull. Но для транзисторов большой мощности такой метод может быть достаточно дорог.

Как я понимаю, load pull анализ невозможен без автоматических тюнеров? Да и VNA не каждый подойдет. Похоже в нашем случае остается самый трудоемкий вариант.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Jun 27 2014, 11:24
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MePavel
сообщение Jun 27 2014, 12:30
Сообщение #33


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150



Цитата(Stefan1 @ Jun 27 2014, 15:20) *
Вы имеете ввиду расчет кристалла в программе Sentarius TCAD?

Как один из вариантов. Можно ведь и более упрощенные модели кристалла создать в любых доступных симуляторах.
Цитата(Stefan1 @ Jun 27 2014, 15:20) *
Как я понимаю, load pull анализ невозможен без автоматических тюнеров?

Возможен. Всё автоматическое можно заменить ручным. А для метода с активной нагрузкой можно обойтись и без тюнеров вовсе.
Цитата(Stefan1 @ Jun 27 2014, 15:20) *
Да и VNA не каждый подойдет. Похоже в нашем случае остается самый трудоемкий вариант.

Я думаю, что любой VNA подойдёт.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Stefan1
сообщение Jun 27 2014, 12:38
Сообщение #34


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 414
Регистрация: 7-04-11
Из: Москва
Пользователь №: 64 187



Цитата(MePavel @ Jun 27 2014, 15:30) *
Как один из вариантов. Можно ведь и более упрощенные модели кристалла создать в любых доступных симуляторах.

А что это за симуляторы? И что получается после такого моделирования, эквивалентная схема кристалла?

Сообщение отредактировал Stefan1 - Jun 27 2014, 12:45
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MePavel
сообщение Jun 27 2014, 13:58
Сообщение #35


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150



Цитата(Stefan1 @ Jun 27 2014, 16:38) *
А что это за симуляторы?

Каких-либо специализированных симуляторов для кристаллов, кроме T-СAD, я не знаю. Так же есть специализированный софт от Agilent Device Modeling and Characterization Products.
Цитата(Stefan1 @ Jun 27 2014, 16:38) *
И что получается после такого моделирования, эквивалентная схема кристалла?

Как вариант - схема. Так же выходными данными могут быть параметры N-полюсника.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Stefan1
сообщение Jun 30 2014, 04:45
Сообщение #36


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 414
Регистрация: 7-04-11
Из: Москва
Пользователь №: 64 187



Спасибо Вам, MePavel за советы и разъяснения, многое прояснилось.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MePavel
сообщение Jul 3 2014, 19:18
Сообщение #37


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150



Цитата(Stefan1 @ Jun 30 2014, 08:45) *
Спасибо Вам, MePavel за советы и разъяснения, многое прояснилось.

Пожалуйста.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V  < 1 2 3
Reply to this topicStart new topic
2 чел. читают эту тему (гостей: 2, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 20th July 2025 - 02:38
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01401 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016