Просмотрев Ваши предыдущие сообщения, понял, что в общем случае Вас интересует делитель мощности Вилкинсона 1-18 ГГц, где-то так. Практика показывает, что реализовать делитель с перекрытием более октавы - проблематично. Специально занялся поиском на родственном едабоард (по кючевым словам hfss, resistor, wilkinson). За последние годы набралось более двух десятков постов по этой тематике. Людей, в основном, интересовало - как создать (или вставить) резистор в модель моста. Большинство ответов - это Lamped RLC, реже Impedance Boundary (thin film resistor). Никаких вопросов о частотных свойствах резисторов, а, тем более, о создании собственных моделей резисторов, увы, не нашел .

Теперь о Вашей модели. Прежде чем дать рекомендации, я промоделировал объемный резистор размерами 2х3х0.6, а также его Lamp_R = 200 Ом аналог у себя (hfss v.14.1), правда только до 1 ГГц. Проект выложил для рассмотрения. Предварительно оптимизировал TL=50 Ом между двумя wave-портами (S11 < 30 дБ) и включил последовательно резистор перед Р2 с deembeding=расстоянию от Р1 до резистора. В случае объемного резистора его торцы сделал Finite Cond. Ну результаты меня не впечатлили, в обеих случаях - большая погрешность re(ActiveZ(P1:1)) активной части входного импеданса Р1, я об этом сообщил. Возможно некорректно располагать неоднородность непосредственно у Р2, поэтому пробовал включать в разрыв узкую (0,1мм) полоску Finite Cond. На результат это практически не повлияло. Повышал точность расчетов (уменьшая max. Delta S от 0,02 до 0,001) - картина приблизительно такая же.

Поэтому, чтобы говорить об адекватной и правильной (частотно-независимой в определенном диапазоне частот модели резистора), наверное нужно начинать с правильной модели измерения: порты, ГУ, Analys Setup...

Какие на этот счет будут соображения, да и нужно ли это вообще?...

ведь существуют и другие программы, где можно решить эту проблему ADS, Ansys Designer, MWO




Сообщение отредактировал old_boy - Aug 21 2014, 12:26

Дело в том, что апервоначально я сделал несколько вариантов делителя Вилкинсона на 2-8 ГГц и 2-18 ГГц по простому калькулятору. Делитель на 2-8 получился приличным на 2-18 хуже.

Встал вопрос почему 2-18ГГц получился плохим. 1-е это резисторы не СВЧ и 2-е не учитываются реальные параметры полосков. Согласитесь калькулятор есть калькулятор. Встала задача дожать делитель на 2-18.

Промоделировал в Генезисе, купил СВЧ резисторы vishay опять собрал 2-18ГГц. Опять мимо.

Промерил СВЧ резисторы в 50_Ом линии, как я описывал выше. И далее решил промоделировать в hfss, ЧТОБЫ НЕ ПЛОДИТЬ КУЧУ ПЛАТ.

И вот встала проблема с резистором. Честно говоря меня удовлетворило бы наличие идеального резистора, но его в программе нет. А так как у резистора разные частотные свойства, то получается, что от того как я нарисую резистор будут зависеть s11, ы22, ы33 и соответственно ы21. А это согласитесь фигня.

Более того я сегодня получил плату моста 2-16 ГГц, он получился отличным с учетом затухания в лини 50 Ом в полосе 2-16 ГГц потери в делителе от 3.5 до 6 дб на 16 ГГц, ксв отличное не хуже -12 дб во всей полосе.
А в HFSS получаются потери нарисованного того же моста -3.5 до -8дб. Холтелось бы разобраться, с резисторами, чтобы просчитывать точно. Если функция создания есть, значить есть условия при которых она работает.

А насчет других програм, так у они тоже могут врать, честно говоря, не охото разбираться во всех программах и выяснять какая из них считает правильнее.











Сообщение отредактировал Prostograf - Aug 21 2014, 14:03

на 10 ГГц (лямбда=3 см), и была такая информация, что эл. длина резистора д. б. менее 5 град., т.е. какая должна быть физ. длина и с учетом подложки (это надо еще проверить)? явно надо уменьшать размеры резистора...

Попробую в понедельник.

подскажите как задать модель волноводной нагрузки из фероэпоскида?! Не пойму с какой стороны подойти даже.

начните с создания материала.
например вот здесь выкладывались параметры ферроэпоксида "Состав 19".

например, пленочный резистор можно задать в разделе lumped RLC.
А как быть с клином. Создам я геометрию. Можно задать материал бокса. Этого будет достаточно?

вам надо разработать волноводную нагрузку, или смоделировать ее для какого-то волноводного устройства?
в любом случае не связывайтесь с резистором Lumped RLC, чтобы он был адекватным на волноводных частотах, он должен быть очень мал. для пленочных резисторов есть другие способы.
А как быть с клином? - создать геометрию, задать материал, подобрать размеры (длину, угол) для лучшего согласования в нужном диапазоне.

Именно так. Это уже модель поглощающего материала будет.
P. S. Если Вы под боксом клин подразумеваете конечно же.

Здравствуйте!
Проблема в следующем. Пробую в HFSS построить модель волновода с помещенным внутрь диэлектриком. Размер волновода 23x10 мм. Материал диэлектрика имеет частотную зависимость. Значения диэлектрической проницаемости порядка 60. Задал граничные условия. Задал wave portы. Частотный диапазон от 7 до 17 ГГц. После расчета вывожу значения КСВН и вижу, что значения КСВН в диапазоне от 7 до 12 ГГц резко падают с 14 до 7.5 и дальше слабо меняются.
Провожу похожий расчет для волновода 16x8 и получаю, что для частоты 10 ГГц - КСВН раза в 2 выше, чем при расчете на волноводе 23x10 мм.
Т.е. вывод: при приближении к критической частоте КСВН сильно возрастает.
По прикидкам, КСВН для данного диэлектрика в данном диапазоне частот, должен быть порядка 8 и слабо меняться с частотой. А на модели получается, что разница в два, а то и больше раз.

Вопрос состоит в том, что может быть неверно?
Изначально, цель была, получить на модели частотную зависимость коэффициента отражения от исследуемого диэлектрика.

И еще такой вопрос. Если задавать диэлектрическую проницаемость и тангенс потерь константой (рассчитанной до этого по частотной зависимости), и делаем расчет на одной частоте (скажем 10 ГГц), получаем одно значение КСВН. Если задаем диэлектрическую проницаемость и тангенс в виде частотной зависимости, то при тех же условиях - получаем КСВН выше.

Спасибо!

День добрый! Настала нужда построить оффсетное пароболическое зеркало (ну типа триколора), как нибудь млжно получить информацию как оно чертится или файл примера?

Посмотрите это видео
http://www.cadfem-cis.ru/service/video/sin...olzovanie-gi-3/
И в самом HFSS есть пример Dish_FEBI_IE_PO.hfss


Сообщение отредактировал DmitryHF - Sep 4 2014, 12:55

Спасибо, но прямофокусное зеркало у меня есть, мне нужен оффсет.

Во-первых, что удивительного в том, что КСВН возрастает при приближении к критической частоте? В этом случае и должно быть отражение. Во-вторых, где у Вас приближение к критической частоте. Если я не ошибся, до нее еще порядок.
Может быть у Вас просто большие потери в диэлектрике!?

Удивительно то, что действительно, от критической частоты зависит волновое сопротивление линии, но, судя из того, что коэффициент отражения Г = (Zнагр - Zлин(fкр))/(Zнагр+Z лин(fкр)), а так как нагрузка - это по сути тот же волновод, но заполненный диэлектриком с epsilon, то Zнагр = Zлин*sqrt(u/e), тогда Г = (1-sqrt(e))/(1+sqrt(e)), то есть никакой зависимости от критической частоты быть не должно. Разве нет? Или я ошибаюсь?



f кр - 6.5 ГГц. На графике (приложил), красный - то, что посчитал HFSS, синий - то, что было рассчитано вручную по формуле Г = (1-sqrt(e))/(1+sqrt(e)), VSWR = (1+Г)/(1-Г).



Потери действительно большие, но для этого толщина слоя выбрана 1 мм. Хотя, честно говоря, не очень понял причем здесь будут потери?