Извиняюсь за глупый вопрос - параллельное соединение таких усилителей действительно даёт ощутимо меньше шумов? И вообще параллельное соединение операционных усилителей даёт ощутимое уменьшение шума? Или я не совсем понимаю зачем включать ОУ параллельно в данном случае?

Да, в данном случае в два раза. Дрейф нуля - тоже. Только усилители, естественно, нельзя буквально соединять параллельно. Можно соединять усилители с индивидальными обратными связями, суммируя их выходные сигналы.

Не в корень из двух? Ах, да - их же четыре...

А есть какие-то подтвержденные реальным экспериментом результаты, опубликованные в интернетах? Вот есть даташит на OP471 (Figure 13. Low-Noise Amplifier, стр. 11, описание к схеме на стр. 10). Спектральная плотность шума одного OP471 составляет примерно 6.5нВ/√Гц @ 1кГц при параллельном включении четырех OP471 спектральная плотность шума уменьшается до 5нВ/√Гц. Я конечно понимаю, что спектральная плотность напряжения шума на одной частоте не отражает общего шума на выходе, но всё же это всего на 20% меньше.

скорее всего шум/дрейф нескольких ОУ на одном кристалле в какой-то степени коррелирует, поэтому выигрыш не равен теоретическому
посмотрите документацию, например, на LT1028, OPA27(37) там обещают результат получше
насчет ОУ с автокомпенсацией: как-то встречалась статья, там одна половина сдвоенного ОУ компенсировала дрейф второй, что мне показалось странным, но автор писал, что результат был, т.к. они на одном кристалле и имеют близкое значение смещения и дрейфа.
добавлю: неплохой результат получается в связке: малошумяший ОУ + ОУ с автокомпенсацией

Сообщение отредактировал _Vova - Aug 28 2014, 07:22

_Vova, большое спасибо за ссылку на LT1028.

Я правильно понимаю, что параллельное включение ОУ будет работать только в неинвертирующем варианте и с низкоомным источником?

Скорее всего, - совсем наоборот... Эта цифра чисто теоретическая - получена делением на два числа, приведенного в самом начале даташита - 11.


Отчего же? Только в инвертирующем включении входное сопротивление будет в 4 раза меньше, так как при увеличении номинала входных резисторов будет расти шум. А высокоомный источник уже сам будет шуметь своей высокоомностью.
Что до малушумящих ОУ без автонулирования, то там нужно смотреть на температурный дрейф смещения. который будет имитировать низкочастотный шум.
Там он на два-три порядка больше. В данном применении это важнее, скорее всего. А еще - так наз. 1/f шум.

надеюсь, все-таки проверяли: там на рис 14 есть график, вот старый даташит op471 в нём на рис.11 тот же (и такой же по форме) график, хоть и с плохой видимостью, но внушающий больше доверия что это не mspaint. Над "наоборот" я подумаю.

А я надеюсь... на то, что нет корреляции шумов.
Иначе... зачем бы они же рисовали параллельное соединение.

я думаю если бы она была, то можно и скомпенсировать шум одного ОУ другим...и получить схему без шума
и не пришлось бы вообще рисовать параллеьные соединения...эх, корреляция должна быть взаимная-не скомпенсируешь, да и нет ее
вот дрейф по температуре все-таки может быть близок у ОУ на одном кристалле

следует обратить внимание, что на НЧ и по температурной стабильности обычные ОУ проигрывают ОУ с автокомпенсацией, о чем уже сказано выше

Тогда можно компенсировать.
Где-то попадалась статья, в которой индивидуально контроллером этот дрейф компенсировали. Там все было в термостате, а микросхемы паялись индием.

Стесняюсь спросить, а зачем паять микросхемы индием? Если только это не голые кремниевые кристаллы?

Термоэдс меньше.

Вот-ить! - век живи, век учись...
А я-то всегда думал, что термо-ЭДС зависит от разности материалов проводников, т.е. железные ножки микросхемы - медные дорожки платы.
А точка соединения - может быть хоть приварена, хоть запаяна чем угодно, на термо-ЭДС это влиять не должно.


Сообщение отредактировал Меджикивис - Sep 1 2014, 10:48

АD8551 - дрейф не более 40нв/град гарантируется в диапазоне температур от -40 до +125.
Так что никаких расчесок не надо, просто одиночная дифференциальная термопара - по одному спаю на опорном стержне и на объекте.
Но разводка платы там - дело тонкое. Впрочем, в аппнотах от АD эти тонкости описываются.
Важно обеспечить отсутствие нестабильных градиентов температуры на плате, которые могут вызваны сквозняками и прочими нестабильными тепловыми процессами поблизости.