Plain, так же мило, как и потери в меди:

ширина платы 6,5см - это длина проводника от вх плюса к вых плюсу
ширина дорожки - полплаты, пусть дублируется с другой стороны - полплаты плюс полплаты = одна ширина платы = 30мм
толщина меди 35мкм - сечение проводника 1кв.мм - ток 70А - ро меди мы все знаем - тепловыделение 5,2Вт

если толщина меди 70мкм, тепловыделение в 2 раза меньше, но всё равно - 2.5Вт - и это только с плюсовой дорожки. Минусовая такая же.

Почему 50 мА?
Ах... да! Я я то думаю что какое малое сопротивление. Подумаешь три порядка потерял .
Вот:
Rds_on(75 гард.С)=0.00125/3=0.00042 Ом
примем: Iзащ=100А, тогда Uds=100*0,00042=0,042 В
Irvds = 1 мА = 0,001 А (точка срабатывания компаратора).
итого: Rvds = Uds/Irvds = 0.042/0.001 = 42 Ом. Для двух транзисторов 62,5 Ом.




Дааа.... что то тут надо делать... Думаю пропаивать толстым проводом сечением около 1 мм2, штуки по 3 на каждой стороне.


Спасибо Вам за замечания!!! На обратной стороне предусмотрел доп провода, а теперь вижу и на top-е тоже надо.

Такая версия ПП:



Размеры 71*31 мм.
Места вскрытия маски будут пропаяны проводом 1-1,5 мм (0,8-1,8 мм2).

Сообщение отредактировал MegaElektronik - Aug 11 2014, 13:00

я монтаж сделал бы медными шинами, закреплёнными на печатной плате.
ключи выбрал бы в более крупном корпусе - у него механическая прочность выше, например IRF1324.
Не забывайте, что к плате будут подведены толстые провода, которые будут всяко жёстче, чем печатная плата. И все возможные изгибы будут приходиться именно на неё. А у вас там SMD.

Если проблемы с медью, то купите, не знаю, медной трубы кусок, что ли. и разрежьте её.

Отчитываюсь. Но ток пока 10А (вопрос по блоку питания и по нагрузке).
Медь 35мкм.
Сопротивление по полюсу на меди 0.9 мОм.
Сопротивление по минус на меди 0.7 мОм.
Сопротивление трёх транзисторов 0.32 мОм.
Т.е. одного 1.07мОм.
Транзистор PSMN1R0-30YLC.

Продолжу...
Напаял круглый медный провод диаметром 1.4 мм. См. рисунки выше.
На + пять проводков и по входу и по выходу.
На - три проводка.
Итого:
По полюсу 0.46 мОм
По минус 0.34 мОм
На транзисторах как и было 0.32 мОм.

Но! Есть неоднозначность сопротивления на клеммах.
В планах сделать нормальные клеммы, а не тяп ляп как сейчас.

Сообщение отредактировал MegaElektronik - Sep 15 2014, 15:35

При 43 А платка нагревается примерно на 20 - 25 градусов.
При таком токе пришлось в затвор транзисторов поставить 10 Ом вместо 0, иначе происходили перезапуски микросхемы.

Это из-за суммарной емкости 3 шт затворов под 21nF!, микросхема едва тянет. 10 Ом каждому немного спасают, увеличив до 30...50 Ом будет получше. Но все равно, надёжность низкая. Нужно вам подумать о распределении этой коммутащионной емкости. Провод можно и 3mm брать, ещё лучше медную оплетку с оловом запаять в этих местах. Да и расстояние можно сократить было вдвое, тогда с сопротивлением былоб совсем хорошо. Да еще, база транзистора перед драйвером должна быть к земле привязана.

У меня близкая задача (Коммутация батарей 24 V, 80 Ампер, горячий резерв), думаю вопрос в рамках топика:
Не могу понять, у модулей, например IXYS, основание к какому-то сигналу подключено? Его не нужно от шасси, к которому прикручиваю, изолировать ?
Там картинка такая:
[attachment=87122:IXY__module.gif]
Очень мне нравиться M4 закручивать, а не непонятно как припаиваться, да и крепление к шасси достойное. Но про основание и его подключение к внутреннему кристаллу транзистора в даташите ни слова.

Тогда проще обычными транзисторами набрать.

Plain, благодарствую! Спасибо большое!

Про "набрать обычными транзисторами"- это как раз то что я не понимаю и не хочу. Как мой 4 AWG проводочек к контакту типа "гайка M4" прикрутить я еще понимаю. А как к TO-220 это 4 AWG (ну, пусть хоть 8 AWG) приматывается- любопытно, но делать не буду.
По-моему, замечательный модуль за свои деньги, и крепление подходящее (200 A в даташите). Не уверен что самопал при штучном производстве лучше выйдет.

Примерно наподобие как на картинках топикстартера, но TO220 формовать и припаивать как TO252

Основание изолировано.
В даташите фраза "with Aluminium Nitride Isolation" об этом говорит.
Косвенно еще есть "Isolation Voltage 2500 V~" - это как раз изоляция кристалл-основание.