Преамбула:
Проектирую патч антенну. Она представляет собой несколько сфазированных резонаторов на одной стороне и платы, и питающие микрополоски - на другой стороне. На плате SMA - разъём, к которому подводится мощность, которая по микрополскам через межслойные перемычки попадает на резонаторы. Буду собирать стенд: генератор, СВЧ-кабель, антенна. Основной вопрос в КСВН. На частоте 20ГГц, тот генератор, что буду использовать - требует КСВН <= 2.0 . Т.е. изготовленная плата (с антенной и питающими микрополсками), припаянным к ней SMA-разъёмом и прикрученным к ней (конечно же динамометрическим ключём) СВЧ кабелем в сумме должны дать КСВН меньше двойки.

Вопрос:
Как этого добиться с минимально возможным числом итераций производственного цикла?

Возможное рещение:
1)Очевидно, что для расчёта использую САПР (ADS), рассчитываю топологию.
2)Изготавливаю пробный вариант платы по расчёту.
3)Припаиваю разъём (board edge connector). Для измерения КСВН подключаю через кабель VNA и строю диаграмму Смита. (Калибрую VNA так, чтобы убрать неоднородность, вносимую кабелем). Постороил.
4)Далее - использую процедуру деембеддинга неоднородности, вносимой SMA-разъёмом. В результате нахожу диаграмму Смита но уже без разъёма.
5)По этим эксперементальным данным рассчитываю согласующий микрополосок, чтобы идеально согласовать вход платы (сразу после разъёма) на 50 Ом.
6)Изготавливаю второй вариант. И готово!

Но:
Вопрос №1: есть ли такая процедура деембеддинга моего SMA разъёма по эксперементальным данным?
Вопрос №2: насколько можно верить результатам моделирования? Не получится ли так, что изготовленная плата настолько уплывёт по параметрам от ожидаемых (даже от ADS при всём к нему уважении), что согласующий микрополосок (на 5-ом шаге) будет сделать невозможно?
Вопрос №3: Что я сказал не так, как всё это можно оптимизировать?