Как правило, Г-образный (LC).
Почитайте литературу, по теме-"Измерение мощности на СВЧ". Замещающие DC источники, там должны быть описаны.

Нет, это в целом неверно. Конечно, точные резисторы делают с лучшим ТКС, иначе грош цена такой точности.
Но, скажем, путём подбора можно добиться более точного соответствия номинала требуемому значению (например 0.1%), но стабильность останется той же.
Или усиление подстройкой можно выставить очень точно, но оно поплывет от изменения питания или температуры... Так что понятия это совершенно разные.

Я имел в виду другое. Если про элемент написано: диапазон такой, точность такая - то это значит, что точность (элемента, не схемы) выдерживается в диапазоне (иногда бывают оговорки, они должны быть прописаны).

Про точность путем подбора - это да, совершенно очевидно. Более того, отклонение в 1% какого-либо элемента может запросто дать уход выходного параметра в десятки процентов.

подскажите как правильно читать погрешность установки выходного напряжения на примере ИОН REF193
В даташиет фигурирует некая "начальная точность" при нулевом токе в нагрузке. А если он не нулевой, а 3 мА?

использовать параметр LOAD REGULATION

Если не ошибаюсь, этот параметр означает дрейф опорного от изменения нагрузки

То есть, как раз то, что нужно.

Нет, Вы не правы. Это разные параметры: "допускаемое отклонение от номинального.." и температурная погрешность или другие погрешности от воздействия внешних факторов.
В первом случае это погрешность изготовления, во втором - свойство материала резистора.
Конкретный резистор может находиться на границе допуска от номинального значения, но к этому еще добавится или уменьшится отклонение в диапазоне температур.
Не забудем еще и долговременную стабильность, т.е. погрешности от времени наработки или хранения.

Безусловно, так - это физическая сторона вопроса, с ней как бы все ясно, а я говорил скорее про формальную сторону. Если дело обстоит так, как Вы говорите, это весьма огорчительно.
Я знаю, например, что для современных конденсаторов X7R емкость на номинальном напряжении в разы меньше номинальной, но это хоть как-то указывается отдельно (хотя, конечно, такой компромат стараются урыть поглубже).

Огорчительно то, что азы становятся для кого-то откровением. И физическая сторона, и формальная.
Обозначение X7R - это и есть тот самый "компромат" строго по EIA RS-198...

Дело обстоит так, что инженер должен во всем этом хорошо разбираться + периодически "заглядывать" в те или стандарты. Иначе это не инженер, а домохозяйка.

Если азы - Вы можете непосредственно указать на описание зависимости емкости от напряжения для X7R в RS-198?
И еще вопрос - вот беру я какой-либо даташит, например этот. Многие параметры ссылаются на методы по RS-198, но емкость - не ссылается. Просто методика измерения: 1В RMS на такой-то частоте. А буквы X7R вроде как трактуются конкретно: температурный минимум, максимум, и уход в этом диапазоне. Где четкая ссылка на зависимость от напряжения?
Про физическую сторону вопроса о сегнетоэлектриках я понимаю, но я спрашиваю именно про сторону формальную.

http://www.symmetron.ru/suppliers/ceramiccap/ceram_chip.pdf

Yageo для X7R:

Формально, надо смотреть на наличие спецификаций по IEC/EN 60384-9/22, определяющих максимальные ΔC/C0 при U = Un.
Фактически же, используя X7R, можно вполне рассчитывать на типовые зависимости.


Не перепутали картинко?

Нет, катринка не из документа по ссылке, а из pdf от Yageo (как пример).