Доброго времени суток! Помогите разработать принципиальную схему полевого транзистора со встроенным Р каналом и-не или-не !

если перефразировать ваш вопрос в:
разработать принципиальную схему логических элементов и-не или-не на полевых транзисторах со встроенным Р каналом, то вот ссылка
http://www.allaboutcircuits.com/vol_4/chpt_3/7.html

Мне подойдет любая принципиальная схема, включающая логические элементы и-не или-не на полевых транзисторах со встроенным Р каналом.
Конкретно их нужно две с использованием каждого из этих логических элементов.

Сообщение отредактировал the HUman - Jan 17 2015, 05:43

вы ссылку смотрели ? NAND=и-не NOR=или-не


а вообще, вот более "широкая" ссылка. Там больше вариантов

Те варианты что показывает гугл, совсем не то. Там "Голые" схемы, без сопротивлении на каждой цепи.

вы наверное не на те лекции ходите, или не туда

это схемах ТТЛ ( на биполярниках ) нужные резисторы



а на CMOS не надо. ( диоды+резисторы по входам нужны для ESD защиты, но на принцип работы никак не влияют )


Знаете почему ?

http://en.wikipedia.org/wiki/Depletion-load_NMOS_logic, только УГО неправильные.

Для PMOS схема соответственно зеркалится относительно выхода, одновременно зеркалится и функция, т.е. будет ИЛИ-НЕ в той же положительной логике, а для И-НЕ транзисторы входов соединить параллельно.

Если поконкретнее, можно почитать типа такого:

http://elearning.vtu.ac.in/11/enotes/CMOS_...ES/Unit3-PN.pdf
http://www.engr.uky.edu/~elias/lectures/ln_08.pdf