Доброго времени суток, уважаемые форумщики!
Столкнулся с проблемой и не знаю, как к ней подступиться. Чтение литературы пока оставляет в голове только сумбур
Нашел несколько производителей, у которых есть транзисторы на интересный мне диапазон (нашел и полевые транзисторы и биполярные). Для начала хотелось бы провести моделирование ГУНа, чтобы понять как он "живет". Однако не могу найти данных для составления нелинейной модели и моделирования, например, в AWR MWO. (Пока есть только S-параметры, но это не то. В AWR есть различные модели транзисторов для нелинейного моделирования, но я не понимаю, где взять данные для этих моделей).
Поэтому прошу помощи. Если кто-то решал похожую задачу, поделитесь пожалуйста опытом.
1. Хотел бы понять, как можно составить модель для НЕЛИНЕЙНОГО моделирования полевого и биполярного транзистора?
Какие данные необходимы и достаточны для получения адекватной модели?
2. Очень интересует вопрос, как можно осуществлять перестройку ГУНа за счет внутренней емкости? (Т.е. без использования варикапов).
3. Если у кого-то есть материалы, где приводится нужная информация, буду очень благодарен за названия и ссылки.