Суть вопроса в том сколько можно получить выходной мощности с транзистора например при условии что:
- максимальная мощность рассеивания транзистора 1 Вт,
- граничная частота 300 МГц,
- частота усиливаемого сигнала 150 МГц,
- работает в классе В или С.

Если кто делал из опыта сколько можно получить?
Просто спаял усилитель всё настроил согласовал, и в итоге каскад потребляет 5 Вт (12В*400мА), а на выходе имею 1..1,5 Вт. Нагрузка 50 Ом греется на 1 ватт примерно а транзистор горячий, вата 4 видимо на нём рассеивается.
Вот и думаю есть ли смысл пытаться получить больше. Понимаю что можно выжать больше, но есть ли смысл...

КПД транзисторного усилительного каскада в классе C можно довести до 50-60% (если очень постараться). Сильно больше 1 Вт на выходе не получите, а вот потребляемую мощность снизить есть потенциал. Лучше сначала поиграться с моделью в ADS. Увеличение входной мощности с одновременным уменьшением смещения по базе в принципе может дать рост КПД, но надо считать. Плюс из-за этого потребуется больше усилительных каскадов, что плохо скажется на КПД многокаскадного усилителя в целом.

Fгр всего в 2 раза выше сигнала, какое усиление планируете получить в дБ?
скорее всего КПД силно упал из-за неэффективности транзистора как транзистора.

Сколько получится, не меньше 3 дБ. Но я думаю там побольше должно быть...

ток базы при этом будет немогим больше тока эмиттера, так что кпд будет ниже положенного для таких схем

А ток базы, при нормальном режиме работы транзистора, может быть больше тока эмиттера?