А какой порядок имеет коэффициент передачи исследуемого устройства? Если, например, минус 100 дБ, то, возможно, имеет смысл исключать погрешность на изоляцию.

Хочу построить модель корпуса транзистора с внутренними цепями согласования. Тест нужен для сравнения расчета в ЕМ-симуляторе с экспериментом и представляет собой корпус транзистора с закороченными на фланец проволоками (т.е. большие потери), к которому с двух сторон подходят микрополосковые линии. Исходя из расчета, данные микрополоски достаточно существенно влияют друг на друга и мне требуется исключить их влияние, а оставить только внутрикорпусное взаимодействие. При этом S12 примерно равен -30 дБ.
Для проведения калибровки на изоляцию никак не понятно как эти меры LOAD воткнуть в TRL калибровку (хотя похоже там есть такая возможность). Единственное, что приходит в голову: после проведения TRL калибровки просто измерить |S12| между микрополосками с прикрученными к ним мерами LOAD (при том же расстоянии между микрополосками, что и в тесте) и затем на компьютере вычесть их из |S12| измерения теста после TRL калибровки, но не уверен правильно ли так делать.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Mar 23 2015, 09:52

И каким расчётным значением |S12| характеризуется влияние микрополосковых линий?

А где написано, что мера LOAD позволяет по TRL-методу выполнить калибровку на изоляцию?

В зависимости от дины микрополосков, в расчете получаются значения |S12| порядка -30 дБ.


Пишут, что TRL калибровка убирает 10 ошибок, а оставшиеся 2 надо убрать через измерения двух мер LOAD и все, больше никаких пояснений. Статью могу в понедельник скинуть. К тому же в настройках TRL калибровки на VNA от Agilent помимо Thru, Line и Reflekt есть мера Isolation, но она не обязательная.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Mar 28 2015, 10:38

У этих двух оставшихся ошибок должно быть название или буквенное обозначение. Если не делать калибровку Isolation, то уже, как минимум, две ошибки Exf и Exr будут не учтены. Не знаю, что там за две меры LOAD такие. Скорее всего речь идёт о "низкочастотной" и "высокочастотной" согласованной резистивной нагрузке. У TRL-калибровки основной минус в том, что её точность частотнозависима и её невозможно сделать от 0 герц. Вот тут как раз резистивные LOAD и помогают перекрыть диапазон от 0 до 1..2 ГГц. Но это всё больше актуально для калибровки в стандартном коаксиальном тракте. С микрополосками всё хуже. Потому что там всё нестандартное (ширина, толщина подложки) и на каждый случай иметь где-то специализированную и описанную S-параметрами меру LOAD вряд ли возможно.
Моё мнение - Вы ищите сложности там где их нет.

Это и есть те самые две ошибки, которые и требуется учесть путем калибровки Isolation.
Вы хотите сказать, что с учетом всего вышесказанного, проводить данную калибровку Isolation не имеет смысла?

Сообщение отредактировал Stefan1 - Mar 31 2015, 07:44

Я хочу сказать, что Вам бы необходимо прикинуть целесообразность калибровки на изоляцию при построении модели корпуса мощного СВЧ транзистора. Мне думается, что это лишнее.

Вот прикинуть у меня и не получается, т.к. непонятна ситуация с этими ошибками при калибровке, вклад каждой из них в погрешность измерения. В зарубежных статьях на эту тему приводятся измерения параметра S21 для сравнения с расчетом, но вот про тонкости калибровки они не пишут, пишут просто, что проводилась TRL калибровка и все. Мне не хочется читать тонну литературы на эту тему и разбираться с этими ошибками, так как времени особо нет, а просто провести калибровку на изоляцию и сравнить есть результат или нет. Поэтому и спрашиваю как ее проводить.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Apr 1 2015, 06:39

Возможно, вам бы помогла книга Михаэль Хибель "Основы векторного анализа цепей"

Да эта книга пригодилась бы, но в интернете ее достать не получается.

В подобном случае монтировали в тестовый зажим корпус транзистора без кристалла и обмеряли его на проход. Был еще изврат, где в корпус транзистора был замонтирован аттенюатор с известным ослаблением (кажется 20 дб), с 10 или 5 омной нагрузкой (а не 50 омный) и его обмеряли. Однозначных результатов, надо ли так извращаться, получено не было.

Гуглится в Библиотеке Академии Наук. Вы москвич, по-идее, проблем нет...

Тоже делал подобные тесты, только без корпуса транзистора, с х.х. и нагрузкой 50 ом на краях полосков при фиксированном расстоянии между микрополосками (|S12| при х.х. получается 0,01 на 3 ГГц). Но можно ли вычесть |S12| при х.х. или 50 ом из измерений корпуса с проволоками - непонятно.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Apr 2 2015, 06:48

А вы попробуйте сделать модели каждой половинки микрополосковой оснастки по отдельности в EM-симуляторе. Потом нарисуйте в EM-симуляторе всю оснастку (две половинки). Исключите из модели всей оснастки две половинки, которые моделировались по отдельности. Замерьте S21 модели корпуса в оснастке и сравните с S21 чистой модели корпуса. Вот таким образом Вы и узнаете, имеет ли смысл калибровка на изоляцию в Вашем случае.

Конечно же просто вычесть |S12| нельзя. Так можно было поступить, если бы вы работали в идеальном согласованном режиме. Например, если бы измеряли аттенюатор, а не корпус транзистора. Да и в общем случае такая математическая операция является большим допущением, слишком далёким от физики СВЧ-цепей.

А разве deembeding микрополосков до сечения вывода транзистора не даст того же самого? Параметр S12 не зависит от того, вычитаются полоски при deembeding'е или нет из расчета (при этом S12 примерно равен 0,0015 на 2 ГГц). Или я Вас не правильно понял?

Сообщение отредактировал Stefan1 - Apr 6 2015, 07:21