Такой Deembeding исключит половинку оснастки без учёта взаимного влияния этих половинок друг на друга.

S12 зависит и от deembeding'а и от того, как взаимно расположены микрополосковые половинки оснастки друг относительно друга и ещё от многих других внешних факторов.

Если я правильно понял, Вы предлагаете найти чистое влияние микрополосков оснастки друг на друга таким образом: сделал модель одной и второй микрополосковой оснастки. Затем делаю модель всей оснастки, вместе с корпусом. Исключаю из нее эти две микрополосковые оснастки, остается S12 в корпусе + S12 из-за влияния микрополосков друг на друга. И этот результат я сравниваю с результатом при расчете S12 чистого корпуса, без микрополосков. Таким образом, при вычитании одного из другого, я получу S12 из-за влияния микрополосков друг на друга. Таким образом, получается результат:

где кривая "deembeding" - это вычитание микрополосковой оснастки из суммарного расчета с корпусом транзистора (с закороченными на фланец проволоками);
кривая "korpus_poloski" - это суммарный расчет микрополосков с корпусом транзистора;
кривая "korpus" - это расчет просто корпуса транзистора, без микрополосковой оснастки.

Видно, что влияние микрополосков друг на друга (S12(korpus_poloski) - S12(korpus)) все-таки есть, и его неплохо бы учесть при калибровке для измерения такого рода тестов.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Apr 7 2015, 15:31

Что-то похожее на правду. На 4 ГГц неучтённое взаимное влияние микрополосков оснастки завышает коэффициент передачи |S12| на четверть. Попробуйте делать калибровку на изоляцию.

Теперь изначальный вопрос задан более корректно, спасибо за помощь в понимании проблемы. Но в том то и дело, что не получается делать калибровку на изоляцию в ходе TRL калибровки. Может быть проведение ее после TRL калибровки даст результат в уточнении параметра S12 или же это так же не правильно?

Сообщение отредактировал Stefan1 - Apr 8 2015, 06:17

Можно измерить S-параметры корпуса, используя стандартную TRL-калибровку оснастки. А уж потом в симуляторе исключать ошибку коэффициента передачи. Если хочется максимально точно, то скорее всего без выводов математических формул не обойтись.

Понятно. Спасибо за помощь!

В пустом корпусе без кристалла связь вход-выход намного больше, чем в корпусе где стоит пассивный иммитатор кристалла (аттенюатор). Если сделать трехмерное моделирование то видно, что в пустом корпусе ЭМ волна намного сильнее вылазит пространственно и перекрывается с волной со второго вывода.