| |
|
  |
 Расположение заземляющего полигона на ПП |
|
|
|
|
 May 26 2015, 14:59
|
Частый гость
Группа: Свой
Сообщений: 190
Регистрация: 8-05-07
Пользователь №: 27 595
|
Подскажите пожалуйста, как правильно поступить. В текущем варианте ПП есть два внутренних свободных слоя, заключенных между слоями локальной земли платы (назовем ее GND). GND распределена по всей площади и места по периметру платы под ободок корпусной земли (назовем ее CHASSIS) нет. С одной стороны ПП расположены разъемы, на линях которых установлены TVS диоды. С другой стороны платы точка подключения внешнего заземления. Вопрос по подключению TVS, как лучше: 1) Подключить TVS непосредственно к GND, а свободные два слоя исключить из стека ПП/залить дополнительно полигоном GND. 2) Подключить TVS к двум внутренним слоям, которые отвести под CHASSIS. CHASSIS расположить по всей площади ПП и подключить к точке внешнего заземления (там же, где и GND заведено на заземление)
|
|
|
|
|
|
|
|
May 27 2015, 09:06
|
специалист
Группа: Свой
Сообщений: 279
Регистрация: 3-05-07
Из: г. Москва
Пользователь №: 27 506
|
Цитата(Crowbar @ May 26 2015, 17:59)  Вопрос по подключению TVS, как лучше: 1) Подключить TVS непосредственно к GND, а свободные два слоя исключить из стека ПП/залить дополнительно полигоном GND. 2) Подключить TVS к двум внутренним слоям, которые отвести под CHASSIS. CHASSIS расположить по всей площади ПП и подключить к точке внешнего заземления (там же, где и GND заведено на заземление)
Оба варианта неправильные, но если "как лучше" среди двух неправильных, то вариант 1 с заливкой двух свободных слоёв GND и натыканием большого количества переходных отверстий между землями слоёв на свободных местах платы.
|
|
|
|
|
|
|
|
May 27 2015, 14:40
|
Частый гость
Группа: Свой
Сообщений: 190
Регистрация: 8-05-07
Пользователь №: 27 595
|
Цитата(agregat @ May 27 2015, 08:38) Обычно защитное заземление полностью изолируют от всей остальной схемы. При условии обязательной привязки потенциала защитного заземления к земле платы вне прибора (например в источнике питания). Цитата(MaxPIC @ May 27 2015, 13:06) Оба варианта неправильные, но если "как лучше" среди двух неправильных, то вариант 1 с заливкой двух свободных слоёв GND и натыканием большого количества переходных отверстий между землями слоёв на свободных местах платы. Таким образом, делать отдельные слои , компланарные GND с набегающей емкостью, для прохождения токов срабатывания защитных элементов нет смысла
|
|
|
|
|
|
|
|
May 28 2015, 07:06
|
специалист
Группа: Свой
Сообщений: 279
Регистрация: 3-05-07
Из: г. Москва
Пользователь №: 27 506
|
Цитата(Crowbar @ May 27 2015, 17:40) Таким образом, делать отдельные слои , компланарные GND с набегающей емкостью, для прохождения токов срабатывания защитных элементов нет смысла Да, поэтому при параллельном соединении нескольких полигонов GND с прошивкой перехнодными отверстиями снизит паразитную индуктивность и, как следствие, падение напряжений по плате при прохождении токов срабатывания защитных элементов.
|
|
|
|
|
|
|
|
 May 28 2015, 12:43
|
Профессионал
Группа: Свой
Сообщений: 1 972
Регистрация: 10-10-05
Из: 54°36'41.81" 39°43'6.90"
Пользователь №: 9 445
|
Цитата(Crowbar @ May 27 2015, 17:40) Таким образом, делать отдельные слои , компланарные GND с набегающей емкостью, для прохождения токов срабатывания защитных элементов нет смысла Цитата(MaxPIC @ May 28 2015, 10:06) Да, поэтому при параллельном соединении нескольких полигонов GND с прошивкой перехнодными отверстиями снизит паразитную индуктивность и, как следствие, падение напряжений по плате при прохождении токов срабатывания защитных элементов. Может всё же уточнить, о каких токах идёт речь? Какие характеристики? Что за интерфейс защищают ТВСы? 
--------------------
Подвиг одного - это преступление другого! (с) Жванецкий
|
|
|
|
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|
