Всем доброго дня!

Уважаемые знатоки :-) подскажите пожалуйста можно ли память типа MRAM отправлять в космос? Будет ли она там исправно работать? Есть ли какие-нибудь нехорошие нюансы для неё, ну например вспышка на солнце? Может кто сталкивался с подобными вопросами...

http://www.3d-plus.com/product.php?type=1&fm=37

на jpl, по-моему, есть отчеты по тестам и даже мисиям

кристаллы там те же самые еверспиновские, что и в пластмасовых дешевых корпусах

у больших (8МБ) есть проблемы с защелкиванием - у той же 3Д есть апнота и спец микруха для борьбы
меньшие - все ОК

ну и кроме 3Д их корпусируют многие аэрокосмические фирмы - но немногих можно купить у нас
----------

ну и это - магнитное поле для нее вредно - то есть рядом с двиготелем, где быстро движется плазма ставить нельзя

MRAM привлекательная штука для космоса. Но все нужно использовать очень аккуратно. Если брать от 3DPlus с сертификатом - то вроде можно доверять. Если покупать в магазине просто MRAM, то не факт что будет стойкий кристалл. В литературе очень разные данные по стойкости к тиристорному эффекту. Ну и магнитное поле нужно внимательно смотреть, хоть и есть экран на кристалле.

ну наверное не с самим размером связано а с интерфейсом?

Не с интерфейсом, а с технологией изготовления и ее параметрами (кратко, например, тут). А уж большая она или маленькая и какой там интерфейс - не имеет особого значения.

По поводу борьбы с этим явлением - тоже не все просто. По моему, до сих пор никто не исследовал надежность микросхем после возникновения в них "защелки". Все-таки, это ненормальный режим, приводит к локальным перегревам и всяким неприятностям, поэтому, вполне вероятно, влияет и на надежность и остаточный ресурс.
А микросхема от 3D для борьбы с защелкой - а кто сказал что она сама не подвержена защелке?
Наши конторы тоже делают такие микросхемы, и вроде даже они неплохо работают.

да в курсе, я имел ввиду от ширины интерфейса чем от емкости, тем более в разговоре где вывода защищают внешней микрухой

3D исследовали и на защелку и на искажение данных, есть очень стойкие, есть не очень, обращайтесь к их дистрибьюторам (например, ПЭК).

Я не имел в виду саму защелку. Речь идет об остаточном ресурсе схемы после возникновения одной, двух ... ста "защелок". Все-таки это нештатный режим работы, связанный с локальным протеканием значительных токов, что бесследно не проходит.
Есть еще вопрос, сколько микросхема может проработать после возникновения "защелки" в состоянии с повышенным током потребления, пока автоматика не сообразит и не отключит ее. Например две секунды реакции автоматики - работает, четыре - уже сгорела. Сами 3D такой информации вроде не дают - только пороговые значения ЛПЭ для "защелки" или сбоев и иногда сечение.

80 МэВ*мг/см2 - нет защелкивания и искажения данных, какой ресурс по количеству защелкиваний Вы хотите?

Это хорошо, если у Вас есть такие данные, подтвержденные сертификатом. Значение более 80 по пороговым ЛПЭ это очень неплохо, считается что можно применять практически везде, но ведь в космосе есть частицы и с более высокими ЛПЭ, правда их очень немного, и вероятность того, что они окажутся "в нужное время и в нужном месте" совсем невелика. Для некоторых "экзотических" заказчиков проводим испытания и при ЛПЭ около 100 МэВ*см2/мг.
Действительно, если Вы берете микросхему определенного класса с гарантированной стойкостью - то тут вроде можно и не волноваться. но это деньги, и не малые. Если же выбирать просто "микросхему MRAM", то никто не гарантирует в ней отсутствие эффектов одиночных событий, в том числе "защелок" или вообще отказов. По некоторым MRAM опубликованы результаты с порогом по "защелке" (SEL) ниже 7(семь) МэВ*см2/мг. Поэтому и говорю, что выбирать нужно аккуратно. Не любая MRAM подходит для космоса.

По поводу остаточного ресурса после "защелок" - в нашей практике на испытаниях периодически встречается, что микросхемы живут несколько событий, иногда десятков событий возникновения SEL, потом умирают. И это, надо заметить, при довольно строгом ограничении тока потребления и небольшом времени реакции до отключения питания. В аппаратуре же, вся мощность источника может приложиться к микросхеме, в которой возник эффект, и тут уж как повезет.

Все спасибо за ответы!