т.е. схема поджига фактически как у ЛДС, резонанс напряжения на конденсаторе, потом пробой, дуга и ограничение тока дросселем.
И проблемы начались после замены дросселя, или увеличения входного напряжения. пральна?

Есть еще DT04-4, DT-92-1, DT-99-7. Были даже переводные варианты.

Поддерживаю.

НЕТ! Повторюсь, "проблемы" есть у всех устройств. В слабом, в вот этом усиленном и дорогом импортном. Просто раньше на этот эффект можно было забить, а сейчас это вызывать может перегрев транзисторов. Хочется понять откуда ноги растут или это особенность ИРок, потому что чуть ли не полинтернета завалено вопросами почему греются транзисторы и дело далеко не всегда с качеством трассировки связанно


Спасибо. Сейчас поищу оригинал, потому что перевод не всегда корректный


А аргументировать можете? Чем использование более медленного диода лучше? Затягиванием фронта? Так тоже самое я пытался сделать снаббером - мало эффетка

Почитал апноты и прочее

dt92-1.pdf - тут про добавочный резистор
dt92-2.pdf - умощнение выхода. В принципе решений масса и других
dt04-4.pdf - немного теории про отрицательные выбросы и иглы
dt99-7.pdf - к моей схеме никаким боком, потому что у меня нет проблемы с запуском, а есть проблемы с работой

Добавил резистор 10ом и диод. В затворе 100ом и диод. Картинки не поменялись, что с этим резистором, что без.

На полумосте


На нижнем транзисторе


Непосредственно на выходе микросхемы


На верхнем транзисторе


При попытке проверить сигнал верхнего плеча непосредственно на выходе микросхемы, инвертор сдох. Забыл, что емкость осциллографа достаточно велика и на добавленный резистор напряжение навелось

Пока делаю вывод, что ноги растут от того, что транзисторы для микросхемы все таки тяжелы и надо умощнять выход. Ей просто не удается держать их закрытыми при больших выходных токах

при чём тут большие выходные токи? Транзистор самостоятельно отпирается, если ток через ёмкость миллера достаточен для формирования на затворе отпирающего потенциала. А ток этот определяется не током через транзистор, а величиной dU/dt на запертом переходе.
Если, конечно, у вас именно ёмкость миллера виновата, а не монтаж или наводка с полигона или ещё что.

Разность фаз между напряжением и током такова, что она увеличивает dU/dt. Согласен, некорректно было написать, что зависит от выходного тока

мертвое время большое для вашего контура.
Транзистор закрылся, ток во время dead-time поменял направления, и стал протекать через оппозитный диод. А тут раз.. и транзистор другой открылся. и вуаля- сквозной ток. Шина питания (+ или -) незакрытый диод первого транзистора, открытый второй транзистор, другая шина питания..

Сообщение отредактировал wla - Nov 6 2015, 13:21

корректность не при чём. большое значение dU/dt отличается от большого тока тем, что из dU/dt вытекает осознание в потребности демпфирующей цепи, задерживающей резкий рост напряжения на запертом переходе, а из большого тока - нет.

кстати, почему транзисторы smd?

Причем здесь мертвое время? Как ток может поменять направление, если там индуктивность по выходу полумоста? Транзисторы зашунтированы более быстрыми диодами


Ограничены по габаритам и тепловыделению

мда... похожие картинки видел когда-то у себя

что бы не повторяться см. http://shyza.ru/forum/viewtopic.php?f=15&a...36&start=60
с поста от 11 май 2012, 03:07

что там не описано.
был таки поставлен BISS NJT4030, но тоже не понравился, пока не было введено отрицательное смещение -3в

далее
копаем в сторону самовольного отпирания транзистора от миллера
в затворе у вас 100 Ом, как сами сказали. добавили ещё 10 - и ничего не поменялось.
а с чего оно поменяется, когда ток заряда миллера вместо протекания через запирающий транзистор драйвера течёт через ёмкость затвора и отпирает его?
если, конечно, диод, о котором вы говорите, включен не параллельно этим ста омам.

Просто параллельно внутренним паразитным? Выкиньте их - ничего они не дадут.

Дадут - мы же выяснили, как плохи транзисторы М5-серии ST !
http://electronix.ru/forum/index.php?s=&am...t&p=1368662
ZVS + параллельный диод на fotkidepo.ru:

до минус 40 Вольт на паразитном диоде !

Только надо обязательно поставить Шоттки последовательно с самими ключами.

И как описано в AN Fairchild p-n-p транзистор должен быть возле ключа. И 47 Ом не должны мешать ему удерживать ключ в закрытом состоянии.
Резистор должен быть только в цепи заряда ключа и более 100 Ом предпочтительнее.
M5 - худший выбор для резонансной схемы.
нужен ключ с быстрым внутренним диодом.

Сообщение отредактировал НЕХ - Nov 6 2015, 14:57

Дадут - если поставить последовательный диод в цепь С-И. У паразитных диодов (особенно, у CoolMOS'ов) прямое падение на 0,5-1В ниже, чем у хороших Ultrafast'ов. Так что набрать заряд паразитный диод все равно сможет - хоть стоит внешний Ultrafast, хоть нет.

Извините, если повторяюсь - вроде, уже обсуждали этот момент.