Привет всем
не поможите разобраться с программой Ise Tcad 7
до этого работал в Pisces2b, но в нем слишко мало возможностей и Очень много ограничений.

помогите пожалуйста
обьясните по шагам как построить простейшую топологию (например транзистор) как получить его вольт-амперные характеристики, как подвергнуть различного рода влиянию (освещению магнитного поля и т.д.)
Tcad установил (эмуляция под windows)

Сообщение отредактировал Sivent - Jun 16 2006, 13:20

Изучите пример $ISEROOT\tcad\7.0\Example_Library\Tools\GENESISe\nmos,process. Там показаны основные этапы проектирования.
В общих чертах основные шаги следующие:
1. создание топологии в Prolyt (или экспорт из gds и cif) и указание сечения топологии, в котором проводиться моделирование
2. описание техпроцесса в Ligament
3. создание командного файла - задания на моделирование для DIOS. Этот файл представляет собой описание техпроцесса с указанием координат областей закрываемых фотошаблоном. Возможны 2 пути: 1) автоматически сгенерировать этот файл - описание процесса берется из Ligament, координаты маскирования - из Prolyt. Это удобно при работе в оболочке GENESISe. 2) Написать командный файл ручками, тогда первые два этапа не нужны (я обычно так и делаю).
4. собственно моделирование в DIOS. На выходе получите 3 файла (не забудьте указать в командном файле команду save(File='имя файла', type=Mdraw) - с названиями типа имя_файла_dio.grd (сетка), .имя_файла_dio.dat (описание структуры), имя_файла_mdr.cmd (командный файл для Mdraw).
5. создание в Mdraw сетки для моделирования в DESSIS. Загружаете Mdraw c файлом имя_файла_mdr.cmd и создаете сетку и контакты (если не создали их в DIOS). Получаете два файла имя_файла_mdr.grd (сетка), .имя_файла_mdr.dat (описание структуры)
6. создание файла - задания на моделирования для DESSIS. Именно здесь задается воздействия напряжений для получения ВАХ, выбираются физические модели, задаются внешние воздействия. В качестве входных берете файлы, созданные в Mdraw.
7. моделирование в DESSIS. На выходе получаете ВАХи и всякие распределения по структуре (плотности тока, электрическое поле и т.д.).
Вот примерно так.
А вообще в дистрибутиве имеются подробные мануалы и куча примеров. Изучайте.

Возникла такая проблема, не запускается GENESISe , говорит illegal instruction. Что єто может быть?

А какая версия tcad, под Линукс или Винду, если Линукс - то какой. Может какая-то библиотека кривая или конфликт с версией Линукса. Официально tcad поддерживает только RedHat, проверено что работает на Fedora и ASPLinux.

Версия -10, Линукс Gentoo 2006, ядро 2.6.9. Такой прикол devise запускается нормально, но говорит что у него проблемы с mesh, а все остальное не запускается( illegal instruction).

Я бы попробовал другой дистрибутив. Также можно попробовать заменить библиотеки, используемые tcad. Мне, например, потребовалось установить библиотеку libstdc++ версии 3.2.2 взамен более новой (дистрибутив Fedora 5).

psygash спасибо за совет
сейчас сижу изучаю пример, но чувствую вопросов будет еще очень много

вот первый: чем отличаюся tcad 7 и 10? есть какие то принципиальные отличия? чем отличаются версии под linux и windows?

В версии 10 вели новый 2D/3D симулятор техпроцесса FLOOPS, при этом и DIOS остался. Переработан интерфейс GENESISe. В DESSIS добавлены некоторые модели и исправлены баги. Появился визуальный рисователь 3D структур DEVISE (рисует и в 2D). Убрали визуализатор PICASSO, а Tecplot поднялся до версии 10. ISEXtract стал поддерживать экстракцию для моделей МОП-транзисторов BSIM4 и BSIMSOI-PD. Вроде бы десятка полностью поддерживает проекты версии 7, по крайней мере я пока не встретил чтобы это было не так.
Кроме того десятка поддерживает платформу AMD64.
Насчет различий между TCAD под Линукс и Windows. Под Линукс вроде бы работает быстрее и поддерживает параллельные вычисления на многопроцессорных машинах, под Windows параллельные вычисления не поддерживаются. В остальном особых различий нет.

Мужики приведите пожалуйста лог нормально работающего GENESISe -@ldiag

А что у Вас?

Что-то в предыдущем посте исчез присоединенный файл GENESISe -@ldiag (последствия взлома?). Поэтому привожу еще раз.

У меня такой файл При запуске GENESISe выдает illegal instruction

У Вас в логе нет указаний на библиотеки, которые есть у меня:
libXau.so.6 => /usr/lib/libXau.so.6 (0x00bbb000)
libXdmcp.so.6 => /usr/lib/libXdmcp.so.6 (0x00bc0000)
Может в этом проблема.

прочитал документацию и после попытался сделать простенькую структуру транзистора, но что то не получилось...
начал с начала специально что бы не делать ошибок в будущем. надеюсь на вашу помощь

структура транзисторная такая (коллектоная , эмиттерная и базовые области, стрелочки это внешнее воздействие(освещение), зелененькие это контакты - металлические к которым прикладываются напряжения)

что сделал опишу пошагам:
----------------------------------------------------------
___ise project___
создал папку NEW_FOLDER_TR
в ней новый проект PROJECT_TR
активировал его
___ise status window____
нажал edit
___ise tool flow editor___
добавил между start и end - ligament
у ligament в свойствах edit - input - layout
появилось новое окошко
задаю размеры layout и сетку (xmin=0 xmax=100 ymin=0 ymax=100 grid=0.5)
в режиме layout рисую области (вид сверху)
рисую подложку- INIT - красная - это будет подложка n типа
рисую базовую область - BAZA - синяя - это будет область базы p типа
рисую эмиттерную область - EMM - зеленая - это будет область эмиттера n+ типа
save layout - создался файл prl.par
у ligament в свойствах edit - input - command
появилось process flow editor
но тут нет ни макросов ни библиотек
------------------------------------------------------------

какой мне шаг дальще сделать если можно то поподробнее. пока только один шаг тоесть следующий.
как я понимаю надо создать технологический процесс: какие именно процессы нужно вставлять

файлы проекта приложил

В лигаменте в меню input-commands с правой стороны иконки основных команд-этапов техпроцесса, их надо мышкой переносить в process flow editor и там указывать параметры команд. В редакторе топологии (prolyt) желательно добавить слой металлизации. Потом переключиться из режима топологии в режим tcad и обозначить сечение, в котором будет проводиться моделирование. В process flow editor в environment указать на это сечение (string region), а также указать симулятор техпроцесса (dios). Для связи топологии с техпроцессом в process flow editor команда mask, где указываются названия топологических слоев. В приложеном архиве содержится Ваш проект с набросанным техпроцессом. Параметры процессов имплантации и диффузии подберите сами (я их взял от балды).
После работы diosа получится файл геометрии .bnd, командный файл для mdraw и файлы с сеткой .grd и значениями концентрации примеси в узлах сетки .dat.
После лигамента должен запускаться mdraw (перетащите его в проект и создать командный файл) в котором обозначаются контакты и формируется сетка. На выходе получаете 2 файла .grd и .dat, которые являются входными для программы приборного моделирования dessis.
Затем запускается dessis (также надо добавить в проект и создать командный файл), где указываются внешние воздействия и используемые физические модели. Названия контактов такие же как в mdraw (вплоть до регистра).
Результаты можно смотреть в inspect, tecplot, picasso.

p.s. для того, чтобы лучше во всем этом разобраться по началу лучше не пользоваться genesise, а использовать отдельные модули, запускаемые из командной строки (личное мнение).

Сообщение отредактировал psygash - Sep 26 2006, 19:54