Добрый день.
Подскажите на какое основание клеить мощный СВЧ кристалл?
Psat: 41.3 dBm
PAE: 37%
3.2 mm X 4.0 mm X 0.08 mm
Thermal Resistance 1.8 Co/W

Хочу использовать Duroid 5880 c латунной подложкой(0,8 мм), выфрезеровать окошко под кристалл до латуни. Покрыть золотом и посадить на клей DM6030HK/F954. И плату на радиатор. Потом узнал, что используют молибден. Будет ли этого достаточно? С кристаллами дела не имел, боюсь что кристалл треснет или перегреется.

Все зависит от того, в каком режиме будет использоваться усилитель. Какая скважность, длительность импульса? Если жесткий режим, то лучше на эвтектику ставить. Обычно в даташитах пишут способы установки. На чистый молибден не видел чтоб ставили, обычно используют сплав медь-молибден. И теплоотвод хороший и по температурному коэффициенту линейного расширения подходит.

Обычно применяют сплав мд-40 как выше написали медь- молибденовый. Резать его нужно лазером и золотить еще хорошо. Для эксперимента можно такие пластинки снимать со старых свч узлов. В релейках от NEC бросовых на авито они есть. Не так давно в спешке приклеил хиттайтовский МШУ на ЭЧЭ-С прямо на корпус из латуни. Пока жив. Хотя целенаправленно его морозил до -18 и резко нагревал до 200С. Не треснул.

Работать будет в импульсном(параметры не знаю) и непрерывном режиме. P1 37 dBm. Кристалл китайский, в даташите ничего про это не написано.



Спасибо, это внушает оптимизм.

В своих разработках использовал молибденовые вкладыши определенного размера. Вкладыш впаивается в корпус СВЧ блока под предполагаемое место установки кристалла, сверху припаивается кристалл (клеить не пробовали). Испытания проводились (и проводятся) -60 +85 и естественно термоциклирование -40 + 40. Никаких проблем не было.

А с анизотропными подкладками http://www.sumitomoelectricusa.com/product...pper-molybdenum кто-нибудь дело имел? У них температурный коэффициент расширения различный по осям, как к этому кристалл усилителя отнесется?
Хорошая табличка http://www.allied-material.co.jp/_/product...rties/t52nn.pdf

NDAC01031
8.0-12.0GHz GaAs Driver Amplifier MMIC
► Features
 Frequency range: 8.0-12.0 GHz
 Linear Gain: 25dB
 Psat: 41.3dBm
 PAE: 37%
 Technology: 0.35um pHEMT
 Bias: Vd=8.0V, Vg=-0.6V
 Dimensions:3.2mm×4.0mm×0.08mm
Из практического опыта Врут! На 30% мощность меньше. Были бракованные образцы, но оплачивали все и брак тоже и дорого.

А может посмотреть в сторону элемента Пельтье или "холодильника" с обратной стороны?

Радиатор по тз пассивный, уже спроектирован. За Пельтье спасибо, не знал про такую штуку.