На счет 20Вт на дросселе.
11.5 єC/W - тепловое сопротивление дросселя по данным Vishay.
11.5*20 + 25 = 255 єC, температура плавления припоя.

Можно воспользоваться обратным методом и получить рассеиваемые ватты.

Сообщение отредактировал _Sergey_ - Apr 5 2016, 11:42

Я надеюсь что при КПД 98%, который я всё ещё надеюсь получить, он будет греться до 50 Градусов.
А транзисторы я выбрал и с низким сопротивлением, и с низкими динамическими потерями: у верхнего при моём рабочем напряжении, заряд затвора всего 25 нКл.
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd18501q5a.pdf
А какие бы Вы транзисторы сюда рекомендовали?


Попробую поподбираю, спасибо за совет.
КПД считал, замеряя напряжение непосредственно на вводе проводов в плату.
Может и провода влияют на стабильность. Но провода такие и в конечном изделии будут, не знаю как их сделать меньше и скрученнее: они идут к разным концам длинной батареи из 7 аккумуляторов. Разве что сделать чуть потолще, 1,5 квадрата вместо 0,75.


MikeSchir, конечно я видел Ваш пост №34. Долго медитировал на образ гвоздя. К сожалению, не понял, что именно сделать с дросселем, чтобы он был меньше похож на гвоздь. Попробую поставить большую индуктивность и поэкспериментировать на половинной нагрузке. Но, к сожалению, нет в продаже дросселей с большей индуктивностью и нужным для этой схемы рабочим током.


Да, в этом устройстве взял напряжение конденсаторов без запаса. Реально проверял их ради эксперимента на 30 Вольт: нормально работают. Конкретно эта серия конденсаторов хорошо работает на номинальном напряжении. У AVX в старых сериях (не Low ESR) помню были проблемы с работой на напряжениях близких к номинальному, взрывались часто, ставил запас раза в 2. В прошлой плате (первом варианте этого устройства) стояли конденсаторы с напряжением 25В, но у них сопротивление больше: 100 мОм вместо 85 мОм у этих, соответственно больше греются. А в этом решил попробовать поставить 20В - работают пока хорошо.

А насчёт жадности - это точно, хочу сделать устройство с минимальными массо-габаритными параметрами, т.к. его будут носить с собой всё время. Поэтому транзисторы в компактных корпусах с низким сопротивлением, дроссель небольшой, нет конденсаторов "бочонков", нет запаса по напряжению конденсаторов и т.п. Только что-то устройство не хочет...


Тогда мне надо оставить его в рабочем состоянии надолго чтобы температура стабилизировалась. А тогда он расплавится.
Я включаю схему на минуту и смотрю насколько быстро какой компонент начинает нагреваться. Не довожу до устоявшегося режима.


Если начинать "с нуля" можно было бы и EVM. А сейчас уже поздно, 2 платы уже успел сделать. Понятно что можно посмотреть как EVM хорошо работает. А потом всё равно к своим платам переходить.
Да, это вариант с сенсорными резисторами, если не получится подбором номиналов решить - попробую распилить экран и воткнуть резисторы. Хотя на прошлой плате они были, работало так-же плохо.
Сейчас посчитал в этом калькуляторе - близкие всё значения к текущим, подкорректирую стабилизирующую цепочку обратной связи по ним немного, а в остальном всё примерно и есть как посчитано.
Кстати, как выбирать параметр Fc (п.13)?


Снял осциллограммы на нижнем и верхнем транзисторах, с лезвием.
И правда, с такой пружинкой все помехи уходят. Интересный приём, буду знать.
Сигналы выглядят просто идеальными.

Сообщение отредактировал Herz - Apr 6 2016, 07:59

Я имел ввиду именно фронты,тогда можно посмотреть реальное время включения/выключения мосфетов и, соответственно, прикинуть реальные потери переключения.

На ваше усмотрение.

там же подсказка сбоку есть - в 10 раз ниже тактовой. Меньше Fc - медленнее реакция петли ОС, дольше переходные процессы. Выше чем Fsw/10 нельзя.

Вот осцилограммы всех 4х фронтов (на каждом транзисторе вверх и вниз)

И вот ещё на каждом транзисторе снял вместе с напряжением на затворе, напряжение сток-исток(синий график).

Все осциллограммы снимал с "лезвиями" непосредственно на выводах транзисторов.
Смущают дёрганья вверх-вниз (колебательный процесс). Имеет ли смысл пробовать с ними бороться всякими резисторами, диодами, RC-цепочками?


Там подсказка что не более чем в 10 раз ниже тактовой. Я имею в виду, какое (по практике) лучше значение выбрать в этом диапазоне 0...16 кГц. Попробовал 2 варианта: 9.7 кГц и 7.3 кГц. Оба варианта нестабильно работают: то ровно идёт частота, то начинает "дрожать" длительность импульсов.

Сообщение отредактировал snowboy - Apr 6 2016, 06:19

Я бы настоятельно рекомендовал использование EVM http://www.ti.com/tool/lm5116-12eval с переносом туда всех выбранных Вами компонентов.
Таким образом Вы отсечете "химеру" плохого печатного монтажа и сможете точно понять, что же Вам мешает получить хорошие результаты.
Фирма TI высылает EVM со скоростью звука, так что в течение недели Вы уже сможете нормально работать и, наконец, определиться.

Выброс напряжения на 60в - это на верхнем, 40-вольтовом мосфете?

Кроме этого, у меня других соображений нет.

Спасибо за совет. Плата в пути, будет у меня через 2-3 недели.


Это на нижнем 60-Вольтовом.
Он там и стоит с бОльшим напряжением чем нижний, чтобы эти выбросы вверх выдерживать.

Сообщение отредактировал snowboy - Apr 6 2016, 18:49

Т.е. 60в выброс в момент включения верхнего мосфета? Это выключение диода нижнего полевика получается..

Может замедлить включение верхнего мосфета?



Да и сам верхний транзистор побыстрее.

Сообщение отредактировал _Sergey_ - Apr 6 2016, 14:29

А я думаю, что это действие высокодобротного колебательного контура, образованного керамическими конденсаторами на входе и индуктивностью длинных проводов. Поэтому в этот контур умышленно вносят потери, подключая электролитический конденсатор параллельно керамике. Однако автор, похоже, действует по принципу - если непонятно, зачем нужна какая-то деталь, значит она лишняя.

подскажите, какая форма (длительность) напряжения на затворе нижнего ключа относительно верхнего ?

в общем-то всё как надо, спасибо

А вы резонансную частоту прикинули?
Посмотрите на осциллограмму тока, при переключении снизу-вверх начинается колбасня. Даже с учетом наводок видно разницу..
Т.е. диод нижнего мосфета еще открыт и достаточно резко включается верхний транзистор. Классика..

По сравнению с EVM у ТС мосфеты полегче и уровни у них логические..

ИМХО, убрать бы колбасню и можно будет считать, что выжали все..

Спасибо за рекомендацию, попробую поставить (для эксперимента) электролит по входу.
Дело не в непонятных лишних деталях. Я очень хотел поставить по входу электролит. И по выходу тоже. Они дешёвые и ёмкие. Пересмотрел все доступные подходящие серии: Hitano ESX, EXR; Yageo SJ и SY и т.п. Ничего подходящего по максимальному току пульсаций и ESR, по высоте не влезло в мой корпус, он довольно компактный. Поэтому танталы + керамика. Но сейчас, для эксперимента впихну конечно.

С этого и следовало начинать - сделать макет с конкретными "бочонками" на входе и выходе, с большим дросселем, потренироваться на нем. ПМСМ, Вы вообще взялись сразу за слишком сложную задачу не имея опыта. Вот Вы, например, пишите, что осциллограммы красиво выглядят, а я вижу, что преобразователь работает неустойчиво, хотя теоретически этого не должно быть.