Как думаете, какое количество витков в импульсных трансформаторах в цепях управления затворами?

Как следует из текста, +250В формирует DC/DC, т.е. подпись "+250" на схеме нанесена не в том месте, или это намек на Ктт=1?
По даташиту IRGB20B60PD1 VGE всего-то 20В, если так, то трансформатор понижающий где-то в 12 раз?
Возможно, в импульсном режиме VGE можно завышать, однако в даташите об этом ничего найти не удалось.
Вот полный текст статьи:
 IGBTHV2.pdf ( 550.83 килобайт ) Кол-во скачиваний: 342

Надпись "+250", скорее всего, нанесена не там.
А Ктт (К трансформации?) не обязательно =1. Тут расчет трансформатора: число последовательно включенных трансформаторов - U/N=напряжение первичной обмотки одного трансформатора. Для него рассчитываете количество витков в соответствии с длительностью импульсов.
На вторичной обмотке-15-20 В для затвора.
Напряжение источника 250 В - это Ваш выбор, исходя из количества трансформаторов и их параметров.

Что-то тут не чисто...
Разве не проще включить первички трансформаторов параллельно и избавиться от высокого (+250В) напряжения?
К тому-же индуктивность будет меньше, фронты круче.

Вероятно, для для более равномерного включения, так как управление токовое.

"Равенство напряжений на затворах IGBT и высокая помехоустойчивость схемы обеспечиваются
включением низкоомных резисторов R параллельно вторичным обмоткам. Они же определяют эффективное выходное сопротивление цепи управления затвора каждого транзистора и, следовательно , быстродействие коммутатора."

Да, действительно, не обратил внимания, в случае последовательно включения трансформаторов - управляют током.
Вот, откопал патент США, на который присутствует ссылка в статье.  USPatent6900557B1.pdf ( 1.2 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 124

Зависит от сердечника и длительности импульса. Вряд ли больше нескольких десятков витков 2 обмотка.

Витки будут зависеть от резисторов, и параметров транзисторов.
Да, для удобства трансформатор скорее всего 1:1, если рассматривать как переработку упомянутого патента.
подпись "+250" не в том месте.

Поиск по фамилии разработчика ключа (Мошкунов С.И.) привел к автореферату докторской диссертации, где есть фотографии ключей.
С количеством витков в первичной обмотке вопросов больше нет. :-)

 _________IGBTHV1.pdf ( 1.34 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 322

А саму диссертацию ни у кого нет возможности скачать?

Хороша же диссертация на основе чужого патента...
А вложение такого объёма не стоило прикреплять, имхо.

А может и хороша? Ведь патент не гарантирует работоспособности запатентованного изделия, патентное бюро это формальная канцелярия.
Ссылку где скачал автореферат уже не вспомню. Исходник можно удалить спустя какое-то время, народ качает, значит не только мне интересно.

2 герд: Как воспользоваться прикрепленной Вами картинкой я не понял. К тому-же искомой диссертации: "РАЗРАБОТКА, СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕНЕРАТОРОВ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ НА ОСНОВЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ" среди результатов поиска - нет.

Тут по-моему уже не раз давали ссылку на статью:
В.В.Репков Высоковольтные линейные усилители на транзисторах

Забавно, но нечто подобное я независимо изобрёл лет 15 назад . Правда мне не нужны были наносекунды. Просто коммутировать высокое напряжение с частотой от нуля до нескольких сот герц.

не страдай ***** гирлянда из кучи последовательно соединенных высоковольтных транзисторов это мина замедленного действия, не синхронно откроются закроются, будет малейший разброс, выгорят все. причиной может стать даже не большие утечки или не равномерно лёгшая пыль... на одном ключе напряжение снизится, на других будет больше, будет больше пробивного сгорят все.

Поставь лучше один SiC высоковольтный транзистор на 4,5 киловольта, например IXTL2N450 . сейчас может ещё более высоковольтные есть.

у них и выходная емкость меньше, будут быстрее твой затвор для лазера переключать.