Бывает такая необходимость. И интересно насколько в симуляторах модели это делают честно. Прошу специалистов подсказать:
1. Справочный предельный ток коллектора (открытого транзистора) можно считать так же предельным для прямого тока перехода коллектор-база? Что предельное обратное напряжение диода будет равным справочному Uкб, тут вопросов нет.

2. Как лучше сделать диод: с замкнутым переходом БЭ или с неподключённым Э ?

Переход БЭ в качестве диода отпадает из-за низкого обратного напряжения.Вообще, навеяло недавней темой о эмиттерном повторителе и нюансах работы биполярного транзистора. В ХХ на эту тему есть некоторый пробел.

Сообщение отредактировал GetSmart - Oct 21 2016, 02:55

2. без разницы

Коллектор с базой соединить. С эмиттера будет вытекать. Если обратное напряжение не устраивает, в топку такое решение... и не маяться ничем.

Однозначно нет. Транзистор будет работать в инверсном режиме, при этом так называемый "коэффициент передачи тока базы" будет гораздо ниже, чем в обычном включении. Проблема в том, что в даташитах трудно найти параметры для инверсного режима, а так думаю симуляторам можно верить, если параметры в модели заданы верно. Ну грубо говоря берем ток коллектора, делим на 5...10 - получаем ток базы, а дальше проверяем что оба тока не превышают соответствующие предельные значения для коллектора и базы.

Естественно замкнутые.

А если разомкнутые? Тока эмиттера то в любом случае не будет.

Будет.

Откуда возьмётся ток эмиттера если ножка эмиттера отключена. Надеюсь токи ёмкости вывода в учёт не берём.

Чтобы было однозначно, нужны весомые доказательства. С описанием физики процесса.

Работа в инверсном режиме при замыкании БЭ - это верно. Инверсной беты в большинстве справочников/pdf не приводят. По факту может быть (статистически) от 1/5 до 1/100 от прямой беты (у транзисторов вобщем). Очевидно, зависит от конструктива на кристалле. А у однотипных из одной партии какие закономерности/статистика, абсолютные или относительные (от прямой беты), - тоже не встречал какие-то описания.

<<если параметры в модели заданы верно>>. Прямо гора с плечь. В случае судебных разбирательств симулятор будет чист как слеза. А если серьёзно, то мой вопрос подразумевал одновременно и требования к созданию моделей. И какой-то общественный контроль моделей.

Дополнительный вопрос о симуляторах. Анализ работы схемы можно делать при заданной температуре. А есть ли в симуляторах опция симуляции при наихудших/наилучших (с большим разбросом) характеристиках компонентов (минимальных/максимальных бета и прочих в модели) обобщённо всем компонентам сразу ?

---------
Первый вопрос в стартовом посте немного уточню:


Сообщение отредактировал GetSmart - Oct 21 2016, 11:02

Если эмиттер не подключать, то весь ток коллектора будет идти через базу, соответственно предельный ток будет ограничиваться максимальным током базы, который для маломощных транзисторов даже не приводится. И к тому же увеличится падение на таком диоде, т.к изза слабого легирования сопротивление базы гораздо выше.

А если соединить выводы Б и Э, то ток пойдёт через эмитер несмотря на то что напряжение БЭ равно нулю?

Именно на этот вопрос и ответил. К.м.к нельзя. Коллекторный ток ограничивается в том числе с учетом базового тока, который в инверсном включении будет в несколько раз больше. Физику процессов читайте в теме "эмиттерный повторитель", только эмиттер и коллектор по тексту меняете местами

Да ктож Вам будет гарантировать правильность моделей? Производитель отвечает только за параметры реального транзистора, а модель дается "as is", то бишь как есть. Если важен инверсный коэффициент - проводите контроль сами, или если договоритесь возможно и производитель возьмет на себя такую функцию, хотя сильно сомневаюсь.

В микрокапе есть и давно используем.

А что в этом такого особенного?

Согласен пойдёт ток. Протупил..

Благодарю за всё, кроме последнего. Там фантасмогорические дебри ограниченного круга участников форума. В ХХ тоже есть спорные моменты неинверсного режима. Например та же модель Эберса-Молла, определяющая (по формуле) усиленный ток через умножение на ток, не являющийся (грубо) константой. В тексте описания эта зависимость игнорируется. [censored]

Автор! Следим за лексикой!

Сообщение отредактировал Herz - Oct 21 2016, 11:25

Ну собственно вот так будет нагляднее:

В обоих случаях ток коллектора ограничен предельно-допустимыми 2А.
В прямом включении (Q2) ток базы всего 18мА и конечно безопасен для транзистора.
В инверсном включении (Q1) ток базы уже 422мА и превышает предельно-допустимый для базы 0,4А.


Ну в общем-то....дааа
Вообще тема инверсного включения весьма темная, поскольку производители оптимизируют характеристики не для этого режима, то и давать их видимо не спешат Для отечественных (кт3102) встречал например такую фразу "допускается работа в инверсном режиме".

Вобщем прояснилось, что без справочных данных о инверсной бете на предельные характеристики транзистора (Uкбо и Iкmax) для образующегося диода не стоит расчитывать при разработке схемы, не требующей отбора транзисторов при её сборке. Ну а если нужен минимальный обратный ток диода и невысокий прямой, то переход БЭ лучше не замыкать.


Плюс-минус паровоз
В таких случаях точность явно маскируют, дабы не плодить иллюзии.
Я даже видел инверсную бету под 100.


Модератор! Какое слово и когда запретили?
Прошу внятного ответа. Когда решили чёрное не называть чёрным?

Отмодерированная версия потеряла часть смысла. Пока восстановлю помягче


Сообщение отредактировал GetSmart - Oct 21 2016, 21:09