Это необходимое, но недостаточное условие.

Полевики с низким напряжением Ugsth требуют особой разводки и особых драйверов.
Я бы не стал ставить такие с унифицированными драйверами, будут гадания по фото и пляски с бубнами.

и я об этом же. нужен такой старший брат, который и защитит, и поможет. Тем более, что после полёта человека в космос и первых удачных операций на сердце всё можно рассчитать, ликвидируя добрую половину плясок с бубном.

Впервые об этом слышу. Какие такие чудеса? tr и tf информируют о скорости заряда/разряда затвора в конкретных условиях (например, VDD = 50V, VGS = 4.5V, ID = 47A, RG = 2Ω), а параметр dv/dt вообще относится к внутреннему диоду. Рекомендую: Power MOSFET Basics


Не думаю, что правила разводки как-то противоречат общепринятым для полевиков. В чём Вы видите особенность? И какие драйверы называете особыми?

особый драйвер - тот, который рулит транзистором настолько чётко, что доминирует над его желанием поддаться искушению открыться от заряда затвора через ёмкость миллера. В общих чертах - это драйвер с низким выходным сопротивлением и, как правило, с высокой нагрузочной способностью. Всевозможные утечки от высоких dU/dt он притягивает к истоку, не оставляя возможности транзистору хозяйничать, самовольничать и проявлять инициативу.
Специальной какой-то разводки тут не требуется - правила одинаковы для всех, а вот у транзистора с более низким порогом миллера от драйвера требуется более эффективно давить напряжение на затворе.

все так, dv/dt - скорость изменения Uси, напрямую влияет на вероятность защелкивания внутренней паразитной структуры мосфета (зависит от скорости вкл/выкл транзистора)
если при проектировании схемы управления затвором взять tr/tf сильно меньше рекомендованных, то при определенных условиях мосфет радостно превращается в неуправляемый открытый тиристор

считаем ток затвора: Ig max=Qtotal/t (t-близкое к tr/tf)
считаем Rg: Rg=Ugs/Ig max

так, нет?

насколько вообще тема dv/dt актуальна для мосфета?

Сообщение отредактировал нифор Никифор - Dec 1 2016, 17:24

От высокого значения dU/dt затвор может получить заряд от емкостного делителя, образованного ёмкостью затвора и ёмкостью миллера. Защёлки тут никакой нет. Если драйвер не успеет или не сможет слить этот заряд из затвора - транзистор отпирается - и швах! Математически это всё считается, зачастую достаточно просто Rзи, а иногда надо и спец.меры принимать. Расчёты все были в апноуте, любезно предоставленном кем-то где-то ранее.


для высокоскоростных схем. если сам ключ или оппозитный ему медленно запирается или используются хорошие демпферы - высоких значений dU/dt может и не быть.

Я знаю только про еффект защелкивания драйвера, для этого и применяют затворный резистор, если он не помогает, применяют снабер, дабы избежать влияния емкости Миллера на выходной транзистор драйвера управления.
tвкл>30 Crcc*Rз

Про "быстрее". Помню как-то коллеги из параллельного тима решили поменять мосфеты - вместо Fairchild поставить Fuji :"Всё то же самое, но быстрее!" Через пару недель плясок с бубном отыграли взад. Да, быстрее, но пока не обвешаешь всё ферритовыми бидами с ног до головы, сертификацию не пройдёшь.
Вообще нельзя заниматься дизайном драйвера "вообще", безотносительно всего остального (топологии и т.д.), о чём ТС скромно умолчал. В LLC и подобных резонансных топологиях при работе выше резонанса имеет прямой смысл наоборот - замедлить включение. Я как-то даже использовал резонансную цепочку в цепи затвора (дроссель последовательно с резистором) - с полпроцента КПД сэкономил. Пустячок, а приятно

Ноу-Хау. Личный опыт, так сказать - гонял полевик во флае при максимальном токе и выжимал максимальную dU/dt.
Хотел статейку накатать, но смотрю тема известная, люди в курсе.

Рекомендованных? То есть, значения, приведенные в даташите в таблице "Electrical Characteristics" - это рекомендация?
Неожиданно, ибо в литературе обычно рекомендуют как раз снижать эти времена, как только возможно.

А зачем гадать? Почему просто не почитать буквари, здесь даже приведенные? И вместо выдумывания небылиц про "вероятность защелкивания внутренней паразитной структуры мосфета" просто понять, что от драйвера требуется низкое выходное сопротивление. Этот параметр, разумеется, актуальнее для транзисторов с низким порогом. Вот и вся "особенность".

Herz!
я вижу , что Вы считаете себя невзъбольшим спецом (возможно так и есть), однако это не дает вам права на ваш пренебрежительный тон, а иногда и откровенное хамство.
здесь не все с университетскими знаниями в области электроники, люди общаются в том числе с целью самообразования, проясняют для себя какие то моменты.
форум я читаю давно, много толковой информации черпается иногда и в спорах, аргументированно, вежливо.
Вам не первый раз на моей памяти предъявляют претензии. может в ответ попробуете писать не -"ты тупой алень, иди прочти апнот", а взять да объяснить, раз вопрос кажется очевидным. и все у вас получится..)


Сообщение отредактировал нифор Никифор - Dec 2 2016, 19:17

Спасибо за рекомендации, но и без них получается.
Где Вы тут увидели хамство? Я посоветовал Вам не гадать и не строить необоснованных предположений. А, тем более, не изобретать "новизны" в процессах переключения МОСФЕТов, особенно когда рядом лежат аппноты, подробно разжёвывающие азбуку. Да, почитать их не помешает, готов повториться. Но Вы же и после первого моего наводящего вопроса продолжаете не искать ответы в первоисточниках, а настаивать на придуманных "рекомендациях" о tr/tf. Так какие претензии к тону?
Насчёт собственно вопроса.
Если мы хотим снижать потери на переключениях, то стремимся максимально быстро заряжать/разряжать ёмкость затвора. Соответственно, максимально быстро проходить область активного режима транзистора. Для этого нам нужен мощный драйвер с низким выходным сопротивлением. Шустрый и способный к большим втекающим/вытекающим токам. Разумеется, при этом увеличивается и скорость нарастания напряжения на стоке, то самое dv/dt. Но, поскольку драйвер, обеспечивающий это - достаточно мощный и имеет низкое выходное сопротивление, то и ёмкость Миллера не способна оказать заметного влияния. И наоборот, когда мы управляем транзистором медленно, нет проблем с dv/dt, но есть с потерями. Таким образом, быстрое переключение подразумевает снижение влияния ёмкости сток-затвор как-бы "автоматом".
Одним словом, выбираем достаточно мощный драйвер (или строим сами) и забываем об "особенностях" МОСФЕТов с низким порогом. Я достаточно доходчиво объяснил?

P.S. И не надо мне приписывать лишнего. Никем "таким" я себя не считаю и не пытаюсь. Сами же просили поправить.
Извините, если получилось грубовато.

Форум разработчиков электроники предполагает общение специалистов, хорошо знающих саму электронику, а здесь, в этом разделе, - понимающих особенности силовой электроники. Это не форум радиолюбителей в стиле "я вот тут собрал, и вот что у меня получилось". Модератор, кстати, проявляет невероятное милосердие и такт, терпеливо продолжая ликбезы в пространстве, не предназначенным для этого. Есть определенная категория людей, не имеющих терпения в усвоении материала и лихо переваливающее это на плечи других, особенно подкрашивая уязвленным самолюбием. Терпение и такт как раз нужно тем, кто заблуждается и ищет ответов.

Сообщение отредактировал NeonS - Dec 3 2016, 09:02

часто проще ответить на вопрос, чем объяснять собеседнику, какой же он чайник

А я-то думал, что dV/dt = I/C
I - ток первички (А)
С- ёмкость снаббера + выходная ёмкость ключей (nF).