Приветствую всех.
Возник вопрос: Чем коммутировать непрерывный синусоидальный сигнал частотой 3 ГГц для получения радиостробов?
Причем длительность радиостроба порядка 10 нс. Соответственно время коммутации в идеале должно быть сотые доли нс. Частота повторения при этом десятки кГц .

На частотах 10 МГц использовал мультиплексоры. Удавалось сформировать радиостроб порядка 20 нс. Но для более высокой частоты такой способ не подходит.

Заранее всем спасибо

Немаловажный вопрос, а какое затухание Вам требуется в "разомкнутом" состоянии?

Порядка 60 дБ, не меньше

PIN диодами, наверное.

Серьёзное требование. Очень уж короткие импульсы нужно получить. Мы используем вот такие  SKY13286_359LF_200570J.pdf ( 918.53 килобайт ) Кол-во скачиваний: 109
на частотах 2.6-3 Ггц. Хорошая развязка, управление удобное. Но это так, для примера (куда смотреть) потому что Вам он не подойдёт. Время включения/выключения 30нс/50нс. А так что б за пикосекунды включиться/выключиться не встречал таких. Или смотреть в сторону пин-диодов, если ничего не найдёте.

SPST

PIN диоды от macom, microsemi... и др. По идее должны подойти, главное время включения подобрать.

Используйте дискретные транзисторы GaAs pHEMT. В интегральных переключателях в цепях затворов стоят резисторы, ограничивающие быстродействие.
PIN диоды принципиально нуждаются в большом времени жизни носителей и не подходят для быстрой коммутации.

как советуют выше с пин-диодами скорее всего не получится.
берете миксер и на IF подаете прямоугольные импульсы необходимой вам длительности.
если пролаз LO-RF на миксере больше требуемого Вам подавления вне импульса, то берете два миксера.

Не нашел настолько широкополосных по IF смесителей на 3 ГГц RF/LO, чтобы у них через IF пролезли бы без искажений импульсы 10 нс с фронтами в сотые доли нс.

Пожалуй, единственный реализуемый вариант - усилитель на дискретном СВЧ pHEMT и дергать его управляющим запирающим импульсом прямо за затвор. Один каскад 60 децибел подавления скорей всего не даст, потребуется 2 или 3 каскада, и цепи управления затворами надо будет тщательно выравнивать по задержке.

на биполярных мультиплексорах типа МиниСакитовских меньше 100 нс не получится. На pin меньше 500 нс не выйдет, и спад будет отвратительно затянут, т.е. ширина импульса, как Бог на душу положит.
Я так и не собрался с этим делом, направление проекта изменилось. Но в предыдущем обсуждении сошлись на том что надо замешивать импульс с SRD диода. Хотя для 50-100 Нс сгодится и лавинный пробой - такие карманные машинки для EMC проверки продавались на алибабе.

Сообщение отредактировал Hale - Jan 11 2017, 08:30

И как на усилителе Вы сможете завести управляющее напряжение на затвор, чтобы отвязать его от 3ГГц?

И по моему с фронтами в сотые доли нс автор погорячился, учитывая что модулируемый сигнал 3ГГц.

Вопрос к автору топика:
Может быть фронтов в 1нс будет вполне достаточно?
Это Вам случайно не для драйвера оптического модулятора надо?

Сообщение отредактировал microwave_spb - Jan 11 2017, 08:37

Без проблем. Делали так недавно. Получили неплохие результаты. Вот только вот импульсы мы получали в 1,6 мкс, а скорость переключения около 100 нс. Получить импульсы в 10 нс будет непросто (надо же будет перезарядить входную ёмкость полевика, что непросто за такое время)

Так я спрашиваю не про 100нс, а про сотые наны и частоту сигнала 3ГГц.

Спасибо всем за ответы, дело в том что это макет для исследовательской работы. Раньше работал как раз с частотой 10 МГц. Теперь требуется расширить область исследования, что в свою очередь требует перехода на более высокие частоты. В идеале 10 ГГц, но поскольку в ВЧ я не особо силен (скорее вообще не силен) решил начать с 3ГГц.

Если пс фронт сформировать не просто , то можно попробовать и с 1 нс, главное чтобы это время (1нс) было стабильным....

Если данная задача относительно легко решается на 10 ГГц, готов выслушать и эти рекомендации, дальше будем думать с научным руководителем...

p.s. Это не для лазера.