Здравствуйте, коллеги.

Мне необходимо разработать усилительный буферный каскад, на вход которого с ЦАП микроконтроллера будет приходить смещенный на 1.65 В синус амплитудой 1.4В частотой 12кГц. На выходе при этом должен быть синус 3.4В (амплитуда), ток нагрузки до 0.9А (амплитуда).
Ситуацию осложняет то, что в схеме должна использоваться только отечественная специальная элементная база, и устройство должно работать при температурах -55...+100 град, что для меня ново.

Усиление по напряжению я решил сделать на ОУ, по току с помощью двухтактного каскада работающего в режиме АБ. Дабы обеспечить приемлемое тепловыделение на буферных транзисторах, я решил поставить их аж 8 штук. При таком количестве моделирование показало, что на каждом транзисторе выделяется примерно 0.3 Вт, что допустимо, если использовать радиаторы. Конфигурация получилась примерно вот такая:


Источник тока на VT1 будет давать 3мА.
Сложность в том, что более менее приличные транзисторы npn есть (важны ток, мощность, быстродействие и коэффициент передачи) - 2Т630Б, например, а таких же pnp нет. И в пару 2Т630Б пришлось взять более медленный 2Т880А. И насчет 2Т880А меня мучают сомнения - не уверен, что с ним всё будет нормально работать.

Посомневавшись я перерисовал схему применив для нижних транзисторов включение Шиклаи:


В итоге не могу решить, как лучше. Может и так и так плохо... Коллеги, покритикуйте эти два варианта.

Сообщение отредактировал Konrad - Jan 12 2017, 09:31