Уважаемые форумчане. Что за устройство, выделенное красным цветом, на которое подаётся питание присутствует на плате?

И какой минимальный диаметр отверстий на этой плате?

А можете аналог подсказать?

Скорее всего такой разъем http://www.digikey.com/product-detail/en/t...85TR-ND/5972702

Уважаемые форумчане!
Несколько вопросов знатокам малошумящих усилителей, построенных по балансной схеме.
1. Является ли топология схемы, представленная на рисунке, балансным МШУ? Или необходимо добавить четвертьволновый шлейф по входу после вилкинсона в верхнем плече и по выходу до вилкинсона в нижнем плече? (Как это показано на другой картинке примера Balanced_LNA)
2. На выходы, обозначенные красными кружками необходимо подать питание стока (Vd), а на выходы, обозначенные синими кружками – подать напряжение смещения затвора. Можно ли это сделать, не прибегая к дополнительным слоям? Используя однослойный фольгированный диэлектрик. Если можно, то как практически это лучше сделать?
3. В datasheet на микросхему МШУ присутствует Evaluation Board. Для чего там присутствуют цепи(выделены жёлтым цветом), содержащие нулевые резисторы R1 и R2? Можно ли эти пины посадить на землю и не рисовать эти цепи?
4. По входу до вилкинсона стоит защита от помехи. Правильно ли так делать? Или нужно ставить её после деления сигнала? Такая схема защиты рассчитана на 50Вт непрерывной мощи. Есть ли более компактные решения (может быть и на большую мощность)? Какие должны быть полоски, присутствующие в Aplication Section этой защиты(в datasheet про них ничего не указано)?

1) Нет, первая картинка - не балансный МШУ, а двухтактный УМ.
2) Слой земли лучше не рвать - работать не будет. Если дополнительные слои не делать то кидать поверху (если крышки не предполагается) - жёсткими проводками или выводными резисторами в 0Ом.
3) Скорее всего общая плата для нескольких типов микросхем и каким-то из них на эти ножки необходимо подавать дополнительное питание.

Сообщение отредактировал arhiv6 - Jan 20 2017, 11:54

Спасибо
то есть если вместо вилкинсона поставить квадратурный мост - схема будет балансной?

Вроде как не балансный и не двухтактный. Просто синфазное сложение двух двухкаскадных усилителей. Не самый лучший вариант, т.к. требования к разбросу ФЧХ МИС СВЧ довольно жесткие. По логике первый каскад усиления надо делать на одной МИС, а в выходном каскаде складывать уже две МИС.

Да.

А в чём проблема использовать обычную фольгированную с двух сторон СВЧ плату? Обратная сторона платы в любом случае должна представлять собой сплошной полигон GND, к которому через переходные отверстия подключается верхний слой. Все электрические цепи кроме GND выполняют только на верхнем слое. Высшим приоритетом разводят СВЧ цепи, а затем НЧ цепи. Если в НЧ цепях получились пересечения, то можно использовать обычную перемычку или нулевой резистор.

Можно. В даташите написано, что эти пины использовались на ранних версиях Evaluation Board (Required for above EVB design). Так же из даташита на TGA2612-SM следует, что пины 7 и 19 никуда не подключены. Нулевые резисторы закорачивают эти пины на землю, вероятно, чтобы снизить помехи, наводимые на микрополоски платы. В целом в даташите на с. 10 рекомендуют все неподключенные пины соединять с землёй, тем самым, улучшая экранирование.

После деления лучше ничего не ставить. Чем меньше элементов внутри цепи делитель-усилитель-сумматор, тем больше вероятность получить меньший разбег по фазам, и, следовательно, осуществить эффективное сложение усилительных каскадов.

Если ничего не сказано, значит, скорее всего, полоски с характеристическим сопротивлением 50 Ом.

Еще вопрос по микросхеме TGA2611-SM.
Существует процедура включения этой и других похожих микросхем TriQuint ("Bias-up Procedure").

1) Эти требования реальные или формальные?
2) Как при использовании этого усилителя в изделии (в антенном тракте) обеспечить последовательную подачу напряжений и ВЧ-сигнала? С помощью управляющей микросхемы, управляемых источников напряжения, коммутатора по ВЧ?

Пробовали микросхему усилителя с защитой TGM2543-SM, где то же самое написано, никаких специальных мер не предпринимали (хотя специально не старались ее выбить) и все нормально работает.

Эта процедура включения выполняется 1 раз при установке требуемого входного смещения по линии Vg (например, с помощью подстрочного резистора). После этого требуется выполнение условий:
- при включении: напряжения Vg подается раньше, чем Vd;
- при выключении: напряжение Vg, снимается позже, чем Vd.
Таким образом, исключается возможность подачи напряжения Vd на открытые при Vg=0 транзисторы .
В большинстве случаев рекомендуется ставить защитный ключ по питанию Vd, который бы отключал питание Vd, если, например, напряжение Vg больше - 2... -1,5 В. При правильном проектировании и требуемом быстродействии срабатывания такой защиты последовательность подачи напряжений Vg и Vd не играет большой роли.

С питанием понятно, если дадите ссылку на пример использования подобного ключа, вдвойне спасибо.
Однако остается вопрос подключения ВЧ после подачи питания. Как быть с этим, если ВЧ-сигнал может изначально присутствовать?

Возможно, при отсутствии питания микросхема может выйти из строя при меньшем уровне ВЧ-сигнала на входе по сравнению с уровнем, приведенным в разделе Absolute Maximum Rating даташита.
Пример. Есть ключ HMC8038, в даташите на который прописан порядок включения. Есть ключ HMC849A с аналогичными параметрами. В даташите явных указаний на порядок включения нет, но вот что отвечает техподдержка Analog Devices по этому поводу: https://ez.analog.com/thread/71839

Скорее всего Common Mode Choke, синфазный двойной дроссель, для фильтрации помех по цепям питания

Я понял, что коммутаторы Hittite на phemt элементах требуют определенную процедуру включения, даже если это не указано в datasheet'е. При этом отсутствие питания уменьшает допустимый уровень входного ВЧ-сигнала, например, для коммутатора HMC849ALP4CE он уменьшается с 31дБм до 20дБм, судя по ответу службы поддержки.
Еще хочу поделиться, что нашел микросхему HMC981LP3E "active bias controller", которая как раз должна решать вопрос процедуры вывода на режим усилителей по питанию.
Но по поводу включения ВЧ в последнюю очередь все равно не вижу решения, кроме дополнительного ключа. Можно было бы ограничиться пассивной защитой нужного уровня, если бы знать, какой уровень при Vdd=0V выдерживает именно мой усилитель (например, TGA2611-SM).

Вот пример от NXP (Ampleon) - AN11130
В теме Ищется микросхема защиты GaN СВЧ транзистора от пропадания минуса на затворе, есть ли такие в природе? много чего уже обсуждалось.
Есть так же микросхемы типа MAX11014 и MAX11015.

Отрицательное напряжение не более 2,5 В. А нужно -5 В.

Спасибо за информацию.


Согласен, просмотрел, просто у меня на самом деле усилитель TGA2567-SM.