|
|
  |
В стотысячный раз про развязывающие конденсаторы... |
|
|
|
Feb 14 2017, 07:52
|

Adept
     
Группа: Свой
Сообщений: 3 469
Регистрация: 6-12-04
Из: Novosibirsk
Пользователь №: 1 343

|
QUOTE (bigor @ Feb 13 2017, 18:13)  Ключевой момент - конденсаторы должны висеть на тех же переходных, что и пины питания микросхемы, т.е. расположены с обратной стороны. Тогда они работают правильно... Если конденсаторы стоят с той же стороны, что и BGA-микросхема, и расположены по ее периметру, то они работают как-то.... Xilinx пишет, что лучше плейны питания/земли размещать поближе к слою установки - чтобы глубина части переходного от топа до плейнов была поменьше, а конденсаторы ставить по периметру тоже на топе. Де, такая конфигурация выгоднее, чем ставить конденсаторы под микросхемой, т.к. в этом случае индуктивность соединений будет значительно больше из-за переходных, которые будут в полную толщину платы, нежели в случае "короткая часть переходного + плейн". Сам вопрос плотно пока не изучал, но навскидку действительно, вроде, так и получается. Вот насколько реально, например, сделать плейны питания/земли на 0.1, 0.2 мм (толщина препрега) от топа? Это обычная технология или какая-то специальная?
--------------------
«Отыщи всему начало, и ты многое поймёшь» К. Прутков
|
|
|
|
|
Feb 14 2017, 08:54
|

ядовитый комментатор
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 765
Регистрация: 25-06-11
Пользователь №: 65 887

|
Цитата Xilinx пишет, что лучше плейны питания/земли размещать поближе к слою установки - чтобы глубина части переходного от топа до плейнов была поменьше, а конденсаторы ставить по периметру тоже на топе. Де, такая конфигурация выгоднее, чем ставить конденсаторы под микросхемой, т.к. в этом случае индуктивность соединений будет значительно больше из-за переходных, которые будут в полную толщину платы, нежели в случае "короткая часть переходного + плейн". Как бы да, но это зависит от геометрии переходного- при этом: Цитата Как на картинке выше- там иная ситуации. Один конденсатор на много. И внутренние Ball питания получаются не только самыми дальними, но еще и складываются с токами от ближних.Как на картинке выше- там иная ситуации. Один конденсатор на много. И внутренние Ball питания получаются не только самыми дальними, но еще и складываются с токами от ближних. На картинке выше ELIC, при этом и PDN в порядке- т.е индуктивность вообще минимально достижимая в принципе. Под планкой ддр3 на обратной стороне находится точно такая же планка ддр3 с такой же разводкой.
|
|
|
|
|
Feb 14 2017, 11:57
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 459
Регистрация: 3-04-15
Из: Россия, Казань
Пользователь №: 86 045

|
Цитата(EvilWrecker @ Feb 13 2017, 23:04)  А можно узнать, почему к пинам подключали толстой трассой, а не полигоном, пускай и рваным? Цитата(EvilWrecker @ Feb 14 2017, 12:40)  Можно было бы конечно сделать вариант с MCP А можно расшифровать что это значит?
|
|
|
|
|
Feb 14 2017, 12:05
|

ядовитый комментатор
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 765
Регистрация: 25-06-11
Пользователь №: 65 887

|
Цитата А можно узнать, почему к пинам подключали толстой трассой, а не полигоном, пускай и рваным? DFA требование со стороны кастомера, очень большая местечковая теплоемкость(из-за ELIC) в том районе- боялись что будут проблемы с монтажом. А так в принципе то на то и выйдет в случае полигона- здесь все равно толстые трассы взяты с запасом. Цитата А можно расшифровать что это значит? Это сокращение от Multi-Chip Package, в данном случае- несколько кристаллов ддр3 помещенных в один корпус.
|
|
|
|
|
Feb 15 2017, 11:28
|

ядовитый комментатор
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 765
Регистрация: 25-06-11
Пользователь №: 65 887

|
Цитата(_Sergey_ @ Feb 15 2017, 10:10)  True-ELIC не доводилось использовать, а вот uVia на верхних слоях делал. Дизайн был 100% на обе стороны, BGA0.5, 12 слоев. Вот и интересно, какая разница получилась бы в цене.. Вопрос в цене не совсем корректный- обычно люди часто сравнивают дизайны "в лоб", без микровиа и с ними: это в корне неверно потому что с микровиа имеет смысл класть меньшие по размеру компоненты и более плотно чтобы еще больше увеличить выигрыш по итоговой площади платы и уменьшить количество слоев. Т.е использованная правильно, это технология наоборот снижает конечную стоимость- а сделанная в 1в1 как обычная плата с микровиа ясное дело будет гораздо дороже. Касаемо ELIC, тут все несколько сложнее: главное его преимущество заключается в том что он позволяет сделать дизайн как таковой чисто физически- такую компоновку и разводку не получить больше ни на какой плате, альтернатив ему нет. Т.е или делаешь дизайн на нем либо не делаешь вовсе. И уже потом идут отличные показатели в SI/PI с хорошей надежностью- в силу конструкции переходного.
|
|
|
|
|
Feb 15 2017, 12:08
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 239
Регистрация: 5-02-06
Из: Подмосковье
Пользователь №: 14 012

|
Цитата(EvilWrecker @ Feb 15 2017, 14:28)  Т.е или делаешь дизайн на нем либо не делаешь вовсе. Знаем, плавали.. Только у меня были полностью скрытые обычные переходные (0.5/0.2, 6 слоев) а от них уже росли uVia. Количество слоев я бы не смог уменьшить. Поэтому пытаюсь сравнить - дороже бы вышло или дешевле..
--------------------
Автор благодарит алфавит за любезно предоставленные буквы.(С)
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|