| |
|
  |
 Защита частотных преобразователей от короткого замыкания |
|
|
|
|
 Jul 13 2017, 04:47
|
Участник
Группа: Участник
Сообщений: 15
Регистрация: 21-01-16
Из: Казань
Пользователь №: 90 123
|
Спасибо за бурное обсуждение проблемы! Будем думать, если решим проблему, обязательно напишу как.
|
|
|
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 09:19
|
Частый гость
Группа: Участник
Сообщений: 190
Регистрация: 2-03-11
Пользователь №: 63 341
|
Цитата 100 ns Во-первых, это реакция сигнальных цепей микры на насыщение без учёта времени на её измерение.Во-вторых, если бы это было реально время на срабатывание, то привод даже бы не включился, потому что српбптывала бы защита от ложняка непрерывно.Это числа далеко от реального на 2 порядка
|
|
|
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 09:44
|
Гуру
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741
|
Цитата(somebody111 @ Jul 13 2017, 11:19)  Во-первых, это реакция сигнальных цепей микры на насыщение без учёта времени на её измерение. Никакого сложного процесса измерения там нет- обычный быстродействующий компаратор, с временем реакции 10 нс и менее, все остальное- задержка от неправильных срабатываний и собственно время реакции схемы драйвера. В древние времена, когда таких интегральных драйверов небыло, лепили на рассыпухе на LM311 компараторах. Да купите вы драйвер с защитой по десатурации, любой IGBT промышленный модуль на 75-100а, зарядите емкостной источник до 50-75 вольт и устройте КЗ с обмером осциллографом. При таких напряжениях питания транзистор все равно не сгорит, зато получите полное представление о процессе.
|
|
|
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 14:47
|
Гуру
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741
|
Цитата(somebody111 @ Jul 13 2017, 14:22) Там уровень срабатывания 7.2В.Ни от чего она не защищает при таком пороге. Как не зашишает? промышленные IGBT выдерживают 2 кратную и больше перегрузку по току при длине импульса 50 мкс однократную. Ну вышел транзистор из насыщения, на нем 7.2 вольта падет. Срабатывает защита. За время срабатывания защиты ну хорошо если до 8 вольт доползет падение на транзисторе. Внутренне сопротивление модуля в районе единиц-десятков миллиом, уже при 100А напряжение на выводах будет достаточно для срабатывания десат. Вы реальный транзистор измеряйте, а не в даташитах параметры при КЗ ищите- там их действительно может не быть, особенно для старых серий. Главное dI/dt ограничить конструктивно.
 РЈРСВВВВВеньшено Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВВР С• 69% 
550 x 360 (17.44 килобайт)
|
А какие "новые методы" вы имеете ввиду?
|
|
|
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 15:01
|
Частый гость
Группа: Участник
Сообщений: 190
Регистрация: 2-03-11
Пользователь №: 63 341
|
Хорошо, вот Транзистор. Какой- там ток соответствует 7.2В? И если очень точно, то считать надо не ток, а энергию, которую кристал сможет отвести за время срабатывания этой защиты. Я даже расчёт приводить не хочу - 7.2В - это по вольт-амперной характеристике килоампер 6-7, в то время как в даташите указано предельное 2800.
Сообщение отредактировал somebody111 - Jul 13 2017, 15:05
|
|
|
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 15:28
|
Гуру
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741
|
Цитата(somebody111 @ Jul 13 2017, 17:01) Хорошо, вот Транзистор. Какой- там ток соответствует 7.2В? Ну вы и выбрали, Код Kurzschlußverhalten
SC data
VGE £ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
5600
A 5600A перегрузки при импульсе короче 10 мкс. Для такого транзистора я пас. Исследовать надо. Семикрон для своих модулей пишет следующее. Цитата The drivers that have the IGBT desaturation feature measure the current Vce voltage between the
collector and emitter of the IGBT, and then this value is compared with a reference voltage (Vref). This
reference is chosen so that Vce under this reference value can be considered as saturation voltage.
So far I understand how this feature works. But what happens in the instant when the IGBT
commutates to On-state (the so-called “gating time”, typically 10us)?
In the transition between off-state and saturation in on-state, Vce falls from a big voltage value to a
very small one (e.g. 3V). If we have e.g. a value of Vref = 6V, theoretically every time a commutation
takes place the desaturation monitoring should report a “desaturation error”.
How is this avoided in practice?
Answer
The key to the problem is a dynamic value of Vref.
At the very beginning of the turn-on, Vref can be e.g. 15V, and after that the value falls exponentially
until it stabilizes at e.g. 6V.
The falling speed of Vref can be controlled by an external capacitor CCE, which is connected in
parallel to a RCE resistor. It controls the blanking time which passes after turn-on of the IGBT before
the VCE monitoring is activated (so guaranteeing that always VCE < Vref during monitoring). This
makes an adaptation to any IGBT switching behaviour possible.
Note that the blanking time should not be too large, since otherwise the capability of reacting to a short
circuit will be reduced. Т.е ставить границу срабатывания менее 6 вольт нельзя, и надо правильно подобрать задержку после начала включения ключа до начала реакции на десат, т.к напряжения могут быть и до 15 вольт на ключе. Есть конечно проблема если при давно открытом ключе произойдет КЗ, но это маловероятное событие. А так граница 7-9 вольт вполне приемлима, т.к КЗ будет обнаруживаться на еще не полностью открытом ключе. Техас такие величины и ставит. Можно конечно и цифровое управление придумать опрным напряжением, но надо ли это?
|
|
|
|
|
|
|
|
Jul 13 2017, 15:40
|
Частый гость
Группа: Участник
Сообщений: 190
Регистрация: 2-03-11
Пользователь №: 63 341
|
Обычный транзистор, на котором куча устройств сделана...
Вы просто не до конца понимаете, как работает измерение Vce у этой микры.Видите источник тока внутри микры?Он заряжает конденсатор до тех пор, пока на нем напряжение не совпадет с Vce минус падение на диоде и резисторе.Это и есть то числа, которое сравнивается с опорнымВыберите ёмкость, возьмите ток и посчитайте сколько это дело будет заряжаться.Ещё раз повторяю, я общался с разработчиками texasa и спрашивал почему так- потому что гладиолус, могли сделать больше, могли меньше.У них есть несколько серий с уставкой 9ВМогу даже больше сказать-там параллельно выходу надо вешать обратный диод, а тот, который в схеме стоит должен иметь ёмкость не более 10пФ.А эта RC цепочка должна быть в районе 1 мкс(ну не получается по другому, если начнете это проектировать серьёзно).250нс-это даже близко неправда
Сообщение отредактировал somebody111 - Jul 13 2017, 16:16
|
|
|
|
|
|
|
|
Jul 30 2017, 12:27
|
Гуру
Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741
|
Т.е трансформатор одновитковый по первичке, но не токовый, т.к нет низкоомной нагрузки. И как такой трансформатор реагирует на ШИМ силовых транзисторов, вернее на фронты ШИМа? Там же иголки будут такие, что любой компаратор с ума сойдет. Интересно было бы глянуть на осциллограммы в нормальном и аварийном режиме. Датчики в таком включении встречал, но не в защитных цепях. Например.
РЈРСВВВВВеньшено Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВВР С• 57% 
400 x 218 (11.85 килобайт)
|
PS. https://www.eletimes.com/igbt-current-short...al-motor-drives реализован подобный способ защиты на AD7403. Хотя я и не понял, как им удалось получить скорость срабатывания защиты в 400 нс при использовании модулятора.
|
|
|
|
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|
