Много материала для раздумий подкинули, спасибо. Отчитываюсь по предварительным результатам:
Обратное смещение на фотодиоде несколько улучшило временной отклик, но это все еще 10кГц и не больше. То есть ёмкость диода не стала сильно меньше 10нФ из спецификации.
В добавок получил больше шума, но об этом предупреждали.
Я ведь правильно понимаю, обратное смещение не может превышать напряжения пробоя, а для этого диода это всего 10В. Видел что в других схемах используют 30В и выше, вплоть до 500В.
В чем особенность выбранного фотодиода? На всякий случай дубоирую ссылку на фотодиод из первого сообщения здесь:
http://electronix.ru/redirect.php?http://o...f/AXUV100Al.pdfВсе еще жду более быстрый ОУ (GPW 500МГц)