Цитата(alver @ Mar 5 2018, 00:16)
Мне казалось, у GaN при сравнимых мощностях и напряжениях емкость затвора будет меньше GaAs и проходная тоже.
Так и должно быть, потому для достижения тех же мощностей GaN HEMT должен иметь ток насыщения стока в несколько раз меньше, по сравнению с GaAs pHEMT из-за разницы в напряжении питания. Следовательно периметр затвора у GaN HEMT существенно меньше, чем у GaAs pHEMT на единицу выходной мощности. Емкость затвор-исток активной части структуры линейно зависит от периметра, отсюда и такие соотношения емкостей на единицу мощности.
Другое дело, что транзисторы на GaN и GaAs работают при разных напряжениях питания, поэтому вряд ли Вы найдете такие транзисторы с "сравнимыми напряжениями".
И вообще так просто нельзя утверждать, что если ёмкость затвора меньше, то во всех случаях такой транзистор будет легче согласовать по входу. К примеру, у СВЧ транзистора, работающего в активном режиме, входной коэффициент отражения может быть больше единицы, несмотря на то, что емкость затвора у него маленькая. Такой транзистор вообще не получится использовать без преднамеренного рассогласования.
Входной импеданс транзистора зависит от многих факторов и ёмкость затвора всего лишь один из них.
Цитата(merk_ice @ Mar 5 2018, 18:46)
Возможно GaN FMM5061VF подойдет? 9,5-13 ГГц (По факту от 9 ГГц)
Внутренне согласованный,
P1=24-26 dBm
Имел дело с подобными транзисторами
http://www.sedi.co.jp/file.jsp?/pdf/FMM5061VF_ED1-3.pdfНу это совсем слишком просто.
И это не транзистор, а трёхкаскадная микроволновая интегральная схема.
Транзисторы 10 ГГц, Р1dB = 22..25 dBm посоветуйте
Mar 5 2018, 04:08
