Не 200нА, а плюс ~230нА к остальному при 25°C. А что там при 85°C, например?


Удивительно, да

Учу читать даташиты. Недорого. Сегодня пробное занятие, бесплатно.

Даташит STM32L476xx
- страница 1:
120 nA Standby mode (5 wakeup pins)
- страница 27:
Mode: Standby, Consumption: 0.35 µA w/o RTC, 0.65 µA w/ RTC
сноска 3. Typical current at VDD = 1.8 V, 25°C. Consumptions values provided running from SRAM, Flash memory Off, 80 MHz in Range 1, 26 MHz in Range 2, 2 MHz in LPRun/LPSleep.
- страница 143
Supply current in Standby mode (backup registers retained), RTC disabled
Vdd = 3V, temp=+85C: 2.6uA typ, 5.2uA max.
Если подогреть ещё на 40 градусов и подать 3.6 вольта, получаем 43uA max.


MB85RS1MT
Sleep current IZZ 10uA max
(within recommended operating conditions)
т.е. и при +85 градусах и 3.6 вольтах напряжения в том числе.

Самое дешёвое и простое уже подсказали выше — накапливать пакет в ОЗУ МК и скидывать его во внешнюю FLASH.

да, удивительно. Если при подаче питания она просто долго думает, то делают два сна, один жрущий и мгновенный, другой наноамперы и долгий. Тут судя по всему не допилили второй вариант


И чо? Я вообще только про память писал, а если подогреть до 120 градусов и подать 4.2 вольта и пару рентген в час добавить, то и еще больше будет. Дальше то что?

И третий с внешним холодильником.


Интересно, а кто же про STM32L476xxx писал?

Память на перфокартах ещё меньше жрёт. И под требования ТС вполне подходит.


Это только SRAM? А остальная требуха STM32L476xx? Удалить напильником?

я вообще не понимаю, что мы тут обсуждаем. Может мне кто нибудь сказать, зачем энергонезависимой памяти нужна энергия в спячке? Она нужна ровно в той же степени что и перфокартам. Но тем не менее она ее кушает

М.б. чтобы не проспать обращение к ней. Вдруг кто-то захочет содержимое прочитать.
Как дежурный режим у телевизора - чтобы увидеть посылку от пульта.
Альтернатива - выдерни вилку из сети, потребление уберём, но тогда пультом не включить.

Сферической в вакууме - не нужна. Обычная же течет. Точно так же, как и помянутый зачем-то STM32.

Ну е мое.. , и много транзистор, перекрывающий питание натечет? Так и запишем - режим off просто нереализован, ставьте внешний транзистор, производитель сэкономил

1) AT25DF081A, 1 Mбайт, 5 мкА в глубокой спячке

2) M24M02-DR, 256 Кбайт, 3 мкА в спячке.

А как узнать какой ток "кушает" проц, если питание 3V и на, последовательно включенном, диоде BAT54 падает 60 mV?

Как вариант, заменить процессор резистором, подобрав номинал для такого же падения на переходе. Но чтобы температура была в точности такая же, иначе наврет... Но к обсуждаемому вопросу это никакого отношения не имеет.

Сообщение отредактировал rx3apf - Aug 21 2018, 21:03

если флеш - посмотрите Adesto (ex-Atmel) AT45DB081E.
2 буфера SRAM, есть режим ultra-deepSleep. Страницы - 264 байта. Емкость - 1 М байт. SPI.
Запись собственно в массив флеш идет асинхронно (без участия процессора через SPI)
Организация - блоки, сектора, страницы. Если записывать как советует Plain - вполне подойдет.
"драйверные" модули можно найти. А можно и не искать, док читабельный.
AT45DB081E DS